什么是H橋 因?yàn)殡娐烽L得像字母H而得名，通常它會包含四個獨(dú)立控制的開關(guān)元器件，例如下圖有四個MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它們通常用于驅(qū)動電流較大的負(fù)載，比如電機(jī)。 H橋電路中間有一個直流電機(jī)M。 D1、D2、D3、D4是MOS-FET的續(xù)流二極管； 開關(guān)狀態(tài)……

負(fù)電壓的產(chǎn)生電路圖原理 在電子電路中我們常常需要使用負(fù)電壓，比如說我們在使用運(yùn)放的時(shí)候常常需要建立一個負(fù)電壓。下面就簡單的以正5V電壓到負(fù)電壓5V為例說一下它的電路。 通常需要使用負(fù)電壓時(shí)一般會選擇使用專用的負(fù)壓產(chǎn)生芯片，但這些芯片都比較貴，比如ICL7600，LT1054等。差點(diǎn)忘了MC34063了，這個……

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導(dǎo)體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，更能滿足未來電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。 上海 瞻芯電子 經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應(yīng)用進(jìn)行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

如果有人跟你說：“嗨，我做的芯片實(shí)現(xiàn)了100%自主可控！”等等，你先不急著崇拜（相信）他，請看完此文再說... 首先，什么叫自主可控，最直觀的理解就是當(dāng)別人“卡脖子”的時(shí)候不會被卡住。 集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試三大領(lǐng)域，參看下圖： 我們逐一進(jìn)行分析， 芯片設(shè)計(jì) 主要從ED……

上接最強(qiáng)的芯片產(chǎn)業(yè)鏈科普，芯片自主可控深度解析（一） 刻蝕機(jī) 刻蝕是將晶圓表面不必要的材質(zhì)去除的過程?？涛g工藝位于光刻之后。 光刻機(jī)用光將掩膜上的電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到硅片上，刻蝕機(jī)把復(fù)制到硅片上的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行微雕，雕刻出溝槽和接觸點(diǎn)，讓……

近日，拜讀遼寧工業(yè)大學(xué)陳永真教授的文章“氮化鎵FET用電解電容器只不過是噱頭？”感觸良多，應(yīng)運(yùn)而生的氮化鎵（GaN）FET（場效應(yīng)晶體管）用電解電容器除了體積減小，在制造工藝沒有本質(zhì)性改變時(shí)，其寄生電感無法大幅降低，且在高開關(guān)頻率下已呈電感特性，高次諧波頗豐。所以，這樣的電解電容器不用也罷。 ……

今天分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路，都用過嗎？ 1、IC直接驅(qū)動型 這種電源IC的直接驅(qū)動是最常見、最簡單的驅(qū)動方式。 圖1 IC直接驅(qū)動MOS柵極 使用這種方法，我們應(yīng)該注意幾個參數(shù)及其影響。 首先查看電源IC手冊，了解最大峰值驅(qū)動電流，因?yàn)椴煌摹?/div>