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碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠(yuǎn)高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應(yīng)用于高端工業(yè)電源，高端逆變器及轉(zhuǎn)換器，高端電機(jī)拖動(dòng)及控制等。