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技術(shù)交流

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替代硅片?有公司推出了12英寸的鉆石晶圓
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 1622
一家專門從事合成、實驗室培育的電子級鉆石材料的制造和應(yīng)用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布,公司面向半導(dǎo)體、電信、消費(fèi)行業(yè)和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出,這個行業(yè)突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強(qiáng)各行業(yè)電子產(chǎn)品的……
細(xì)數(shù)國外金剛石半導(dǎo)體材料和器件發(fā)展情況
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 4407
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度>4.5 e V)的研究和應(yīng)用,近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性,在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?,目前正成為國際競爭的新熱點。 金剛石作為超寬帶隙……
拆解完131款氮化鎵快充,我們得到了8個重要數(shù)據(jù)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2356
近幾年來,氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi),成為眾多手機(jī)、筆電產(chǎn)品的標(biāo)配。同時,氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源市場中的應(yīng)用領(lǐng)域也得到拓展,從單一的快充充電器,逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中,氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術(shù)。 充電頭網(wǎng)已經(jīng)累計拆解了近……
MEMS硅晶振替代石英 六大優(yōu)勢解決電子工程師問題痛點
  • 更新日期: 2022-03-18
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導(dǎo)讀:在不斷拓展的計時場景應(yīng)用中,電子系統(tǒng)對計時元件提出了更高、更復(fù)雜的技術(shù)要求,而傳統(tǒng)的石英晶振無法克服其固有限制,如怕摔怕振,易斷裂,易溫漂,有限的頻率等缺點。其已經(jīng)不能滿足所有應(yīng)用領(lǐng)域需求。與石英晶振相比,MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔,無溫漂,體積小可編程等優(yōu)勢將有機(jī)會替代傳統(tǒng)石英晶振,解決電子工程……
一文講透靜電放電(ESD)保護(hù)
  • 更新日期: 2022-03-18
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一直想給大家講講ESD的理論,很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng),任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的,如果你不會畫雞蛋,注定了你就不會畫大衛(wèi)。 先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>……
霍爾效應(yīng)(HALL)是什么?霍爾效應(yīng)傳感器工作原理解析
  • 更新日期: 2022-03-18
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集成電路(Hall Effect IC),霍爾效應(yīng)傳感集成電路(Hall Effect Sensor IC),霍爾傳感器(Hall Sensor),霍爾電路,霍爾IC。Hall有時也被翻譯成霍耳,所以也可稱霍耳集成電路等。以下簡稱霍爾IC。 霍爾IC通常按輸出信號類型分為數(shù)字霍爾IC和線性霍爾IC。數(shù)字霍爾IC通……
3D 封裝將成為主要工藝? !芯片巨頭決戰(zhàn)先進(jìn)封裝!
  • 更新日期: 2022-03-18
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一、3D封裝將成為主要工藝 轉(zhuǎn)自:智東西 近日,中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院研究總監(jiān) Yang Rui 預(yù)測,臺積電將在芯片制造業(yè)再占主導(dǎo)地位五年,此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰(zhàn)。 過去十年各種計算工作負(fù)載飛速發(fā)展,而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應(yīng)用需求,為了將更多功能 &……
功率mos管為何會被燒毀?都進(jìn)來看看!
  • 更新日期: 2022-03-18
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mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài),開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi),mos即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因: 過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流
深度解析!汽車上的功率半導(dǎo)體(二)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2488
電力驅(qū)動系統(tǒng)主要用在逆變器DC-AC中,將充電電池12V的直流電轉(zhuǎn)換成為驅(qū)動電機(jī)220V的交流電驅(qū)動電機(jī)工作。電機(jī)控制系統(tǒng)上需要用到幾十個IGBT,從電池輸出高電壓后,需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網(wǎng)絡(luò)使用,例如特斯拉的三相交流異步電機(jī),每相用28個IGBT累計84個,其他電機(jī)12個IGBT,特斯拉總共用到9……
是時候了解氧化鎵了
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 1738
在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中,已故的萊斯特?F.伊斯曼(Lester F. East-man)和烏梅什?K. 米什拉(Umesh K.Mishra)談到了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù):氮化鎵(GaN)。對于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使……
干貨!PLC現(xiàn)場安裝、調(diào)試全流程實戰(zhàn)經(jīng)驗
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 1378
PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試,涉及到各項工作,并且只能按序進(jìn)行,一環(huán)緊扣一環(huán),稍有不慎都將導(dǎo)致調(diào)試失敗,不但延誤工期,甚至?xí)p壞設(shè)備。本文介紹了在現(xiàn)場實踐中總結(jié)出的PLC控制系統(tǒng)的安裝與調(diào)試技術(shù)經(jīng)驗,并對現(xiàn)場經(jīng)常出現(xiàn)的安裝、調(diào)試相關(guān)問題,提出探討意見和解決方案。 系統(tǒng)的安裝與調(diào)試 合理安排系統(tǒng)安裝與調(diào)試程序,是確保高效優(yōu)質(zhì)地完成安裝與調(diào)試任務(wù)的關(guān)鍵。 1、前期技術(shù)準(zhǔn)備 系統(tǒng)安裝調(diào)試前的技術(shù)準(zhǔn)備工作越充分,安裝與調(diào)試就會越順利。前期技術(shù)準(zhǔn)備工作包括下列
深度解析!汽車上的功率半導(dǎo)體(一)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2834
隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展,汽車電子迎來結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會。在傳統(tǒng)燃料汽車中,汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。按照功能劃分,汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET等)、MCU、傳感器及其他等元器件。 對于新能源汽車……

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