服務(wù)熱線
0755-83044319
發(fā)布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:2835
新能源汽車市場概況
新能源汽車景氣度高企
新能源汽車優(yōu)勢明顯
汽車電動化推動功率半導(dǎo)體量價齊升
半導(dǎo)體價值倍增
新能源汽車半導(dǎo)體主賽道:功率半導(dǎo)體
新能源汽車功率半導(dǎo)體市場空間測算
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命[敏感詞]代表性的產(chǎn)品。IGBT是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件,其作用類似于人類的心臟,能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的。保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運行,同時降低電壓損耗,使設(shè)備節(jié)能高效。
IGBT是由MOSFET和BJT組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件,既具備MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快的優(yōu)勢,也具備BJT通態(tài)電流大、通電壓低、損耗小等優(yōu)點。其在高壓、高速、大電流等方面相比其他功率半導(dǎo)體器件具備明顯優(yōu)勢,是未來功率半導(dǎo)體應(yīng)用的主要發(fā)展方向。
從上世紀80年代至今,IGBT經(jīng)歷了數(shù)代更新發(fā)展,從平面穿通型(PT)到溝槽型電場—截止型(FS-Trench),芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時間、功率損耗等各項指標經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化,斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。IGBT技術(shù)不斷更新是提高耐壓水平和減小損耗以達到下游領(lǐng)域的需求。采用新架構(gòu)的IGBT通過降低關(guān)斷時間和通態(tài)壓降來減少功率損耗,提高斷態(tài)電壓水平,同時新工藝使得面積更小,工作溫度更高,成本更低。
免責聲明:本文轉(zhuǎn)載自“EV芯聞”,本文僅代表作者個人觀點,不代表薩科微及行業(yè)觀點,只為轉(zhuǎn)載與分享,支持保護知識產(chǎn)權(quán),轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
友情鏈接:站點地圖 薩科微官方微博 立創(chuàng)商城-薩科微專賣 金航標官網(wǎng) 金航標英文站
Copyright ?2015-2024 深圳薩科微半導(dǎo)體有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備20017602號-1