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以下觀點僅代表嘉賓本人立場,文章都已獲得本人授權發(fā)布,與本網(wǎng)站無關。?
PCB可焊性問題的根本原因如何確定?
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2891
印制電路板生產(chǎn)制造的過程中,焊接質(zhì)量的好壞會直接影響整機產(chǎn)品質(zhì)量的好壞。常見的可焊性問題有:潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。 究其原因,到底是什么導致產(chǎn)品出現(xiàn)此類焊接失效問題的發(fā)生呢? 這涉及到以下幾個方面: 01 助焊劑、焊料等原料的質(zhì)量是否滿足要求。原料……
切片分析技術在電子產(chǎn)品微觀結構中的全應用!
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 3317
電子產(chǎn)品高集成化、微型化發(fā)展,電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導線化和微小孔徑化,使得對檢測方法和技術提出了更嚴格的要求。切片分析技術在電子產(chǎn)品微觀檢測方面應用廣泛,起到重要作用! 通常被用作電子產(chǎn)品的品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測、尋找失效……
元器件失效分析
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2887
失效分析基本概念 定義:對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理,提出糾正措施,防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。 3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式……
10個電源設計中最常用的公式有哪些?本文幫你梳理清楚
  • 更新日期: 2022-03-18
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1 ---MOSFET開關管工作的最大占空比Dmax: ……
氮化鎵外延用硅襯底問題研究
  • 更新日期: 2022-03-18
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摘?要:隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破,其專用的硅襯底材料的國產(chǎn)化問題日益凸顯。分析了國產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題,提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數(shù)和技術指標,為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性,可用于制作極其惡劣環(huán)境下運……
揭秘!怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片
  • 更新日期: 2022-03-18
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揭秘!怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎材料,半導體級硅的純度極高,通常要達到99.9....%(小數(shù)點后面7至9個9,甚至是12個9),且為單晶,即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。 當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度,不包括……
隔離電源與噪聲
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2290
在惡劣或強電子干擾環(huán)境中,比如工業(yè)環(huán)境和生產(chǎn)裝配線等等,在這些系統(tǒng)中,機械設備、高頻 設備、火花機等等會產(chǎn)出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對凈化電源的要求, 比如對電源質(zhì)量要求比較高的精密儀器設備特別是傳感器和微弱信號采集的要求,采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流(或噪聲)隔……
開關電源的MOSFET如何選擇,看這篇就夠了!
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2214
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復雜。 圖 1—降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖 DC/DC 開關電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時擁有一個高側 FET和低側 FET 的降壓同步開關穩(wěn)壓器,如圖 1 所示。這兩個 FET 會根據(jù)控制
DAC轉換+運算放大器乘法數(shù)模轉換器
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 2899
大多數(shù)數(shù)模轉換器(DAC)采用固定的正基準電壓工作,輸出電壓或電流與基準電壓和設定的數(shù)字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數(shù)模轉換器(MDAC),情況并非如此,其基準電壓可以變化,變化范圍通常是±10 V。因此,通過基準電壓和數(shù)字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態(tài)的)。 應用 借……
為什么MOS管要并聯(lián)個二極管,有什么作用?
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 3521
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,根據(jù)導電溝道的不同,MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖,從圖中紅色框內(nèi)可以看到,MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管,有人說這個二極管是寄生二極管,有人說是體二極管,究竟哪個說法準確呢?很多同學也非常好奇:為什么要并聯(lián)這個二極管?是否可以刪除呢? 這要從MOS的工藝和結構說起,不
一個公式打天下,ASML總監(jiān)講解光刻機關鍵技術
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 3001
在“追光實驗室”上海站啟動儀式上,阿斯麥(ASML)中國區(qū)總裁沈波笑言,隨著近年來半導體的社會關注度上升,ASML已經(jīng)成功出圈,從一家只有業(yè)內(nèi)人士了解的隱形冠軍,成為全民都能談論幾句的網(wǎng)紅公司,幾乎每天都能看到與ASML相關的報道和話題。ASML中國區(qū)技術總監(jiān)高偉民甚至總結了媒體報道中對ASML的描述,他表示,專業(yè)媒體……
MOS管電流方向能反嗎?體二極管能過多大電流?
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數(shù): 4551
今天來說兩個問題:1、MOS管導通電流能否反著流?D到S,S到D方向隨意? 2、MOS管體二極管能過多大的電流? 為啥會有這兩個問題? 我們在最開始學習MOS管的時候,應該都是從NMOS開始的,電流的方向都是從D到S的。 而實際應用電路,NMOS會有電流從S到D的情況,比如下面這個……

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