1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質(zhì)上屬于電磁波，根據(jù)波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進(jìn)行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術(shù)是通過光學(xué)……

退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火（annealing）是一種熱處理工藝……

硅晶棒切割技術(shù)涉及多個(gè)方面的技術(shù)難點(diǎn)，需要綜合考慮機(jī)械、材料、熱力學(xué)、流體力學(xué)等多學(xué)科的知識，才能實(shí)現(xiàn)高效、高質(zhì)量的硅片切割。 硅晶棒切割是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，其技術(shù)難點(diǎn)主要集中在以下幾個(gè)方面： 1. 切割精度 切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……

光刻機(jī)按光源類型可分為五類：I-line光刻機(jī)、KrF光刻機(jī)、ArF光刻機(jī)、ArFi光刻機(jī)（即ArF浸沒式光刻機(jī)，與ArF光刻機(jī)相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機(jī)。按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機(jī)和IC后道光刻機(jī)。其中，IC前道光刻機(jī)主要應(yīng)用于芯片制造，而后道光刻機(jī)主要用于芯片封裝。 ……

收入：中芯國際相當(dāng)于臺(tái)積電的十分之一，華虹相當(dāng)于中芯國際四分之一

《黑神話：悟空》是一款國產(chǎn)的單機(jī)動(dòng)作類角色扮演游戲，以西游記為題材。 玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數(shù)解釋如下： 最低配置說明：最低配置是指運(yùn)行某個(gè)軟件或游戲時(shí)，設(shè)備所需的最低硬件和軟件規(guī)格。這意味著，您的電腦至少需要達(dá)到這些配置要求，才能正常運(yùn)行該軟件或者游戲。 1、操作系統(tǒng)……

FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu)，通過增強(qiáng)柵極控制和降低漏電流，實(shí)現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對于實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體器件是至關(guān)重要的。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，F(xiàn)inFET技術(shù)的應(yīng)用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮?。ū热鐝?0nm到65nm再到更小的節(jié)點(diǎn)），我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn)： 短溝道效應(yīng)：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中。 圖：存儲(chǔ)芯片分類 與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，這就是“動(dòng)態(tài)”的含義。每個(gè)DRAM單元……

高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時(shí)具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢，使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個(gè)領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎(chǔ)CM……

在制造集成電路時(shí)，有時(shí)候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學(xué)氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應(yīng)室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別 硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結(jié)構(gòu)排列的方向）對于半導(dǎo)體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不……

先進(jìn)封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點(diǎn)）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能，從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎(chǔ)材料和封裝載體 Wafer 是先進(jìn)封裝的基礎(chǔ)，作為芯片……