法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發(fā)光層) 和2片鏡片端面構成。

激光二極管充分利用直進性、微小光斑尺寸 (數(shù)um～)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點，被用在各種應用上面。

晶體管的主要功能是放大和開關電信號。它在現(xiàn)代電子設備中起著至關重要的作用，例如在收音機中，晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號，然后通過揚聲器播放出來，這就是晶體管的放大功能。

柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌是指在功率半導體器件（如MOSFET和IGBT）工作時，由于電壓和電流的變化導致柵極和源極之間出現(xiàn)的意外、瞬時的電壓波動現(xiàn)象。這種現(xiàn)象通常會在開關操作時出現(xiàn)，特別是在高速開關過程中更為顯著。

LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動作是一樣的。與導通時的事件之間的對應關系：

當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會發(fā)生變化。在這個過程中，LS的ID沿增加方向流動，而HS的ID沿減少方向流動，受到等效電路圖中表示的事件影響，產(chǎn)生了電動勢。這個電動勢會導致電流流向源極側對CGS進行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負極側拉，產(chǎn)生負浪涌。

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，因此它們產(chǎn)生的電流和電壓在導通（Turn-on）和關斷（Turn-off）時的極性是不同的。

LS（低側）側SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）的影響時，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅動電路在內(nèi)的等效電路。

SiC MOSFET構建的同步式升壓電路中最簡單的橋式結構。

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區(qū)別： 驅動電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時，導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅動，以充分獲得低導通電阻。換句話說，兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅動電壓要比S

相對于IGBT，SiC-MOSFET在開關關斷時降低了損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應用的小型化。

SiC肖特基勢壘二極管為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。這種結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征是具備高速特性。