這里展示的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式升壓電路，在LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，以及HS和LS SiC MOSFET的VDS和ID變化所產(chǎn)生的各處柵極電流（綠色線）。

ID變化帶來的電壓變化

ID的變化將會產(chǎn)生如下所示的電壓公式（1）：

這是因為存在于SiC MOSFET源極的寄生電感中流過ID而產(chǎn)生的電壓，由電路圖中的(I)引起。這個電壓會使電流(I)流過。

VDS變化帶來的電流變化

以HS為例，當SiC MOSFET關(guān)斷、VDS變化時，Gate-Drain寄生電容CGD中會產(chǎn)生電流ICGD。如電路圖所示，這個電流分為Gate-Source寄生電容CGS側(cè)流過的電流ICGD1：(II)-1和柵極電路側(cè)流過的電流ICGD2：(II)-2。當VDS開始變化時，柵極電路側(cè)的阻抗較大，因此大部分ICGD都在CGS側(cè)，此時的ICGD1如公式（2）所示。

從公式中可以看出，當CGD較大時或CGD/CGS的比值變小時，ICGD1會增加。

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，因此它們產(chǎn)生的電流和電壓在導(dǎo)通（Turn-on）和關(guān)斷（Turn-off）時的極性是不同的。