當(dāng)將MOS管采購(gòu)回來后我們?cè)撊绾芜M(jìn)行存放才能保障產(chǎn)品不被氧化，其使用時(shí)才不受影響？

晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR。它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。

MOS管（也稱場(chǎng)效應(yīng)管），是MOSFET的縮寫。場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

IGBT的應(yīng)用范圍是多少？可應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍 功率半導(dǎo)體分為以元件單位構(gòu)成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分，并分別有其適合的應(yīng)用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導(dǎo)體在開關(guān)（工作）頻率與輸出電容關(guān)系圖中的應(yīng)用范圍。 【功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍】 IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域

薩科微Slkor運(yùn)算放大器有著怎樣的溫度特性呢？大家都知道工作溫度范圍是指可維持IC所期待的功能，進(jìn)行正常工作的范圍。IC的特性會(huì)因溫度的不同而發(fā)生變動(dòng)。

絕對(duì)最大額定項(xiàng)目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。 施加了超過絕對(duì)最大額定值的電壓或在絕對(duì)最大額定值規(guī)定的溫度環(huán)境外使用時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致IC的特性退化或損壞。

運(yùn)算放大器（運(yùn)放）與比較器電路結(jié)構(gòu)非常相似，經(jīng)常會(huì)有人分不清兩者，下邊給大家詳細(xì)說明一下，運(yùn)算放大器的電路結(jié)構(gòu)是怎樣的，與比較器相比有何不同？

運(yùn)算放大器類型可根據(jù)參數(shù)大體可分為通用型、低溫漂型、高速型、高阻型、高壓大功率型、低功耗型、可編程控制型，根據(jù)輸入/輸出電壓范圍的差異，可分為雙電源運(yùn)算放大器、單電源運(yùn)算放大器、軌到軌運(yùn)算放大器。

運(yùn)算放大器(Operational Amplifier)又名：運(yùn)放，內(nèi)含多級(jí)放大電路的電子集成電路，是一種具有很高放大倍數(shù)的電路單元。輸入級(jí)是差分放大電路，具有高輸入電阻和抑制零點(diǎn)漂移能力；中間級(jí)主要進(jìn)行電壓放大，具有高電壓放大倍數(shù)，一般由共射極放大電路構(gòu)成；輸出極與負(fù)載相連，具有帶載能力強(qiáng)、低輸出電阻特點(diǎn)。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）也稱為：絕緣柵雙極晶體管，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

何為SiC功率模塊？隨著近年來，對(duì)半導(dǎo)體材料的要求及性能的不斷提高，單個(gè)功率器件已無法完全滿足需求，于是就有了功率模塊的出現(xiàn)，SiC功率模塊則是為了滿足對(duì)材料要求更高的電子電路所設(shè)計(jì)的，接下來跟隨薩科微小編詳細(xì)了解一下。

SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高工作溫度。