下圖通過與Si功率元器件的比較，來說明SiC-MOSFET的耐壓范圍。

目前SiC-MOSFET的應(yīng)用范圍通常是耐壓在600V以上，尤其是1kV以上。下面將1kV以上的SiC-MOSFET與當(dāng)前主流的Si-IGBT進行比較，看看它的優(yōu)勢。相對于IGBT，SiC-MOSFET在開關(guān)關(guān)斷時降低了損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。與同等耐壓的SJ-MOSFET（超級結(jié)MOSFET）相比，SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻更小，可以減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。

下表是600V～2000V耐壓的功率元器件的特征匯總。

注：雷達圖的RonA為單位面積的導(dǎo)通電阻（表示傳導(dǎo)時損耗的參數(shù)），BV為元器件耐壓，Err為恢復(fù)損耗，Eoff為關(guān)斷開關(guān)的損耗。