BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS，其中的Bipolar是用于高精度處理模擬信號(hào)的雙極晶體管，CMOS是用于設(shè)計(jì)數(shù)字控制電路的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，DMOS是用于開(kāi)發(fā)電源和高壓開(kāi)關(guān)器件的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體。

隨著人們對(duì)舒適生活的需求不斷提高，冬季取暖的方式越來(lái)越多，從燒柴→燒煤→燒氣→燒電的取暖燃料發(fā)展來(lái)看，科技不斷進(jìn)步，取暖設(shè)備也在一步一步發(fā)展。

光伏（Photovoltaic – PV）電池也被稱為太陽(yáng)能電池。一組太陽(yáng)能光伏板或太陽(yáng)能光伏組件與太陽(yáng)能接線，斷路器，太陽(yáng)能充電器，電池，太陽(yáng)能逆變器等下游設(shè)備一起構(gòu)成光伏系統(tǒng)。

近日，習(xí)近平總書(shū)記在主持召開(kāi)全面深化改革委員會(huì)第二十七次會(huì)議時(shí)強(qiáng)調(diào)，要發(fā)揮我國(guó)社會(huì)主義制度能夠集中力量辦大事的顯著優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化黨和國(guó)家對(duì)重大科技創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)，充分發(fā)揮市場(chǎng)機(jī)制作用，圍繞國(guó)家戰(zhàn)略需求，優(yōu)化配置創(chuàng)新資源，強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，大幅提升科技攻關(guān)體系化能力，在若干重要領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、贏得戰(zhàn)略主動(dòng)。

近日，在研究院2022年知識(shí)饗宴科普講座上，林本堅(jiān)院士以「光刻技術(shù)縮IC 百萬(wàn)倍」為題，分享光刻技術(shù)一路走來(lái)，如何將半導(dǎo)體元件尺寸愈縮愈小、推向極限。

首先UTG玻璃又叫做柔性玻璃，優(yōu)勢(shì)在于厚度、折痕、透光率、耐磨性等方面，而且可彎曲性更好，反復(fù)折疊不易產(chǎn)生折痕，壽命更長(zhǎng)，缺點(diǎn)可能就是技術(shù)難度大，良率低，成本高。例如三星的折疊屏和OPPO Find N用的都是UTG的屏幕材質(zhì)，其中OPPO Find N更是憑借著自研鉸鏈技術(shù)和UTG超薄玻璃的組合，成為了目前屏幕折痕最……

?CAN是控制器局域網(wǎng)絡(luò)(Controller Area Network, CAN)的簡(jiǎn)稱，是由以研發(fā)和生產(chǎn)汽車電子產(chǎn)品著稱的德國(guó)BOSCH公司開(kāi)發(fā)的，并最終成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（ISO 11898），是國(guó)際上應(yīng)用最廣泛的現(xiàn)場(chǎng)總線之一。

IC 在進(jìn)入市場(chǎng)之前可以經(jīng)歷數(shù)年的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證周期。 系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程團(tuán)隊(duì)在將 IC 開(kāi)發(fā)成系統(tǒng)之前對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。 IC 宏模型可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在創(chuàng)建物理 PCB 之前了解、模擬并將這些設(shè)備實(shí)施到他們的系統(tǒng)中。

2022-06-21 深圳 南山 , 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的工程類工業(yè)總線及電源完整性解決方案供應(yīng)商大印藍(lán)海發(fā)布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊 伴隨我國(guó)新能源汽車?yán)谜哧懤m(xù)出臺(tái)，城市交通系統(tǒng)紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉(cāng)庫(kù)也逐步應(yīng)用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預(yù)計(jì) 2022年，我國(guó)將擁有分布式……

廣州鈞明歡樂(lè)世界對(duì)外營(yíng)業(yè)，由位于中山市的廣東金馬游樂(lè)股份有限公司(下稱“金馬游樂(lè)”)自主研發(fā)的、國(guó)產(chǎn)首臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車“炫酷飛馳”在此正式亮相。這是國(guó)產(chǎn)第一臺(tái)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的彈射式過(guò)山車。這也意味著金馬游樂(lè)成為全球第三家擁有相關(guān)核心技術(shù)的游樂(lè)企業(yè)，此舉打破了游樂(lè)行業(yè)運(yùn)用LSM電磁彈射技術(shù)的……

技術(shù)日新月異, 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)及制造工藝發(fā)展還沒(méi)有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽(yù)為第四代半導(dǎo)體技術(shù)已開(kāi)始國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)育. 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga……

概述閘級(jí)功率放大器（Gate Driver），也稱柵（閘）級(jí)驅(qū)動(dòng)器，可以讓控制集成電路產(chǎn)生的小功率訊號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體（例如IGBT或是功率級(jí)MOSFET）的閘極。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器可能是附在功率晶體上甚至集成進(jìn)MCU內(nèi)部，也有可能是獨(dú)立的元件。柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器會(huì)包括位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器以及放大器電路。 目的 MOSFET和……