失效分析的目的是通過技術手段找出器件失效的根本原因，并推動改進措施的實施，從而提升生產(chǎn)工藝、改善產(chǎn)品質量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析過程中經(jīng)常使用的設備之一，它們能夠幫助分析人員檢測電氣故障，并定位失效的具體位置。

1. EMMI的基本原理

EMMI（Electro-Magnetic Induced Emission）是一種光致發(fā)光顯微鏡技術，主要用于檢測半導體器件中的電氣異常。EMMI基于這樣一個原理：當電流通過半導體器件中的某些故障點時，這些點會發(fā)射出與正常運行狀態(tài)不同的光。通過高靈敏度的探測器，EMMI能夠捕捉到這些異常發(fā)出的光信號，從而幫助工程師定位失效區(qū)域。EMMI檢測原理如下：

具體來說，當器件中的某個區(qū)域出現(xiàn)漏電、電遷移、或是由于工藝缺陷導致的短路或開路時，電流集中在這些缺陷處會導致局部發(fā)熱和光致發(fā)光現(xiàn)象。EMMI設備可以捕捉這些微弱的光信號，形成一張發(fā)光圖像，通過該圖像可以分析失效區(qū)域。EMMI設備構造如下：

2. EMMI的優(yōu)勢

非破壞性檢測：EMMI是一種非破壞性測試方法，不需要對器件進行剖面切割或去層處理，適合初步分析，能夠迅速判斷故障位置。

高靈敏度：EMMI能夠檢測到非常微弱的電氣異常，特別是在檢測漏電和局部熱點方面非常有優(yōu)勢。

快速定位：通過光致發(fā)光，EMMI能夠迅速定位故障點，為進一步的分析提供了基礎。

3. EMMI的應用場景

EMMI在許多失效分析案例中都有廣泛應用，尤其是在以下幾種情況下：

電氣故障：如短路、漏電或電遷移導致的失效。對于像SRAM或邏輯器件中的單個bit cell失效，EMMI能夠快速找到可能的失效區(qū)域。

熱效應相關的故障：由于工藝問題或材料缺陷引起的局部熱點，EMMI通過捕捉熱發(fā)光來幫助識別。

在實際案例中，比如某網(wǎng)絡產(chǎn)品的16nm工藝Shmoo異常問題，EMMI通過捕捉到的光信號，協(xié)助定位到SRAM區(qū)的某個bit cell的漏電異常，為后續(xù)的Nano-probe和PFA分析提供了基礎。EMMI檢測案例如下：

我們小結一下：半導體器件失效分析是一項復雜且多學科交叉的工作，而EMMI等設備在該領域中扮演了重要角色。通過EMMI的光致發(fā)光技術，工程師可以快速定位電氣故障點，并通過OBIRCH的電阻變化熱成像技術進一步分析失效原因。這兩種設備的協(xié)同作用可以幫助失效分析工程師快速、準確地找出器件失效的根本原因，并為改進工藝提供有力的支持。

免責聲明：本文采摘自“老虎說芯”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業(yè)觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產(chǎn)權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯(lián)系我們刪除。