描述 被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區(qū)別于主動元件。而國內(nèi)此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內(nèi)無需電源驅(qū)動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應(yīng)，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進(jìn)行自檢狀態(tài)，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負(fù)、預(yù)充繼電器進(jìn)行預(yù)充，當(dāng)檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預(yù)充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預(yù)充繼電器，高壓上電完成，進(jìn)入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法，可實現(xiàn)單面熱阻測……

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管

根據(jù) 50 歐姆阻抗線寬進(jìn)行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進(jìn)行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請嚴(yán) 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

本文刊載于《中國科學(xué)院院刊》2023年第2期“科學(xué)觀察” 李樹深* 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 半導(dǎo)體……

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。 　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時最有效地應(yīng)用這些化合物……

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)（圖4左側(cè)）可以設(shè)計為在第一象限和第三象限（對稱IGBT）的結(jié)J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅(qū)動電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。 由于碳化硅功率……

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能?，F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時……

前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的……

01 關(guān)于 IGBT ……