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功率器件簡介：MOSFET基本原理

更新日期： 2023-04-18
瀏覽次數(shù)： 2234

MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

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DCDC能不能直接給MCU供電？

更新日期： 2023-04-18
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DCDC可以直接給MCU供電，當(dāng)輸出電流較大的時候需要考慮動態(tài)響應(yīng)問題。如果給模擬電路供電時可考慮增加高PSRR的LDO來抑制低頻噪聲。

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光伏逆變器IGBT國產(chǎn)化進(jìn)展

更新日期： 2023-04-18
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目前，中國的IGBT生產(chǎn)廠商已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展，其中比較知名的包括中芯國際、華力微電子、華為等。

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光耦、磁耦、容耦

更新日期： 2023-04-18
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耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅(qū)動發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長的光，被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過進(jìn)一步放大后輸出。

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薩科微slkor品牌的6N137介紹和應(yīng)用

更新日期： 2023-04-12
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用薩科微半導(dǎo)體高速邏輯門光電耦合器6N137來搭建高速數(shù)據(jù)傳輸電路，6N137的輸入回路和輸出回路隔離電壓可達(dá)5000Vrms（AC 1分鐘, R.H. = 40 ~ 60%）

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薩科微slkor品牌的SL8402介紹和應(yīng)用

更新日期： 2023-04-11
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薩科微半導(dǎo)體智能低邊功率開關(guān)SL8402，SL8402內(nèi)部的功率MOSFET的漏-源極遭受尖峰電壓時，會被限定為預(yù)設(shè)的鉗位電壓。當(dāng)VIN=0V到7V，ID=10mA時，漏極鉗位電壓在40-52V之間。

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高分辨率信號采集如何選擇精密ADC

更新日期： 2023-04-11
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高分辨率ADC在架構(gòu)的選擇上，過采樣Delta Sigma架構(gòu)一定是大家最熟悉的，它是近些年使用最為普遍的高分辨率ADC架構(gòu)，能產(chǎn)生16至24位以上的分辨率，在分辨率達(dá)到20位以上的ADC里是必選的架構(gòu)。

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光耦的實際應(yīng)用及選型指南！

更新日期： 2023-04-11
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光耦的應(yīng)用市場比較廣泛，具體到電子產(chǎn)品的電路實現(xiàn)功能：電氣絕緣、電平轉(zhuǎn)換、級間耦合、驅(qū)動電路、開關(guān)電路，以及電路信號處理

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薩科微slkor品牌的SL4275介紹和應(yīng)用

更新日期： 2023-04-10
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薩科微半導(dǎo)體單片集成低壓降固定電壓調(diào)節(jié)器SL4275進(jìn)行電源設(shè)計，當(dāng)IQ<450mA， VI< 55V時，輸出電壓精度達(dá)到了±2%，可以滿足絕大多數(shù)產(chǎn)品的電源精度需求，可以讓后端電路穩(wěn)定工作在額定電壓范圍內(nèi)，避免損壞器件。

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