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- 更新日期: 2022-03-10
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SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長(zhǎng)力的材料,預(yù)計(jì)到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng),一是電動(dòng)車逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT,二是以SiC基板(Substrate,大陸多稱之為襯底,也有稱之為blankraw wafer,空白晶圓)承載GaN做5G基地臺(tái)的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場(chǎng)備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料,第一代是硅,第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體兩個(gè)最重要參數(shù)