多年以來，基于硅襯底的邏輯集成電路制造工藝技術(shù)一直按照摩爾定律不斷發(fā)展演進(jìn)。目前TSMC的3nm工藝也即將投入量產(chǎn)

對(duì)于多數(shù)人而言，代表半導(dǎo)體工藝水平的線寬尺寸自然耳熟能詳，但是隨著電路圖形的不斷縮小，各種新的技術(shù)和材料、甚至晶體管本身的結(jié)構(gòu)也發(fā)生著變化。為了方便大家參考了解，我特地查找資料并咨詢行業(yè)專家，整理了一個(gè)制造工藝演進(jìn)表歡迎大家參考和分享

由于個(gè)人能力和知識(shí)有限，加上數(shù)據(jù)整理時(shí)間倉促，數(shù)據(jù)中難免存在各種錯(cuò)漏，希望有識(shí)之士看到以后，給予我反饋建議

特此感謝，在該數(shù)據(jù)整理中給予我大量幫助的SMIC工藝專家楊曉松先生

注：本文轉(zhuǎn)載自“半導(dǎo)體行業(yè)綜研”，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。

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