Yole Development 的市場調(diào)查報告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。 隨著第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件(如SiC)出現(xiàn)以及日趨成熟和全面商業(yè)化普及,其獨特的耐高溫性能正在加速推動結(jié)溫從目前的150℃邁向175℃,未來將進(jìn)軍200℃。 借助于SiC的獨特高溫特性和低開關(guān)損耗優(yōu)勢,這一結(jié)溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計格局。這些典型的、面向未來的高溫、高功率密度應(yīng)用,包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動飛機(jī)
射頻前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是實現(xiàn)手機(jī)及各類移動終端通信功能的核心元器件,全球市場超過百億美金級別。過去10年本土手機(jī)的全面崛起,為本土射頻前端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ);而5G在中國的率先商用化,以及全球貿(mào)易環(huán)境的變化,又給本土射頻行業(yè)加了兩捆柴火。射頻前端芯片產(chǎn)……