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發(fā)布時(shí)間:2024-08-13作者來(lái)源:薩科微瀏覽:1444
半導(dǎo)體行業(yè)的Scaling效應(yīng)可以通過(guò)三個(gè)“定律”來(lái)理解:Moore’s Law、Dennard’s Law和Rock’s Law。這些定律共同構(gòu)成了半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的框架,理解它們對(duì)于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)至關(guān)重要。
摩爾定律推動(dòng)了晶體管密度的快速提升,帶來(lái)了計(jì)算性能的巨大飛躍,但面臨物理極限和成本增加的挑戰(zhàn)。
Dennard定律:描述了功耗隨尺寸縮小的比例縮放,但在超微縮技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨失效,導(dǎo)致功耗問(wèn)題顯現(xiàn)。
Rock定律:揭示了制造成本的指數(shù)增長(zhǎng),對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的資本投入提出了巨大挑戰(zhàn),限制了新進(jìn)入者。
1. Moore’s Law(摩爾定律)
定義:摩爾定律由英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)于1965年提出,指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每隔18-24個(gè)月就會(huì)增加一倍,同時(shí)價(jià)格不變或下降。
技術(shù)背景:
晶體管密度:通過(guò)技術(shù)進(jìn)步,半導(dǎo)體工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)(如從10nm到7nm再到5nm)不斷縮小,每單位面積上的晶體管數(shù)增加。
性能提升:更高的晶體管密度通常意味著更高的處理性能,因?yàn)樵谙嗤男酒娣e上可以集成更多的邏輯門(mén)和存儲(chǔ)單元。
成本效益:在摩爾定律的早期階段,由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng),單位晶體管的成本也在不斷下降。
技術(shù)挑戰(zhàn):
物理極限:隨著制程技術(shù)不斷向更小的工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展,遇到的物理和材料學(xué)挑戰(zhàn)越來(lái)越大,比如量子隧穿效應(yīng)和散熱問(wèn)題。
成本增加:先進(jìn)制程設(shè)備和研發(fā)費(fèi)用極高,使得持續(xù)的微縮技術(shù)經(jīng)濟(jì)性受到質(zhì)疑。
2. Dennard’s Law(Dennard定律)
定義:Dennard定律由Robert Dennard及其同事在1974年提出,指出當(dāng)晶體管縮小時(shí),功耗和電壓成比例縮小,從而使得功率密度(每單位面積的功率消耗)保持恒定。
技術(shù)背景:
動(dòng)態(tài)功耗:功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗(動(dòng)態(tài)功耗與電壓的平方成正比)和靜態(tài)功耗組成。
電壓縮放:Dennard定律假設(shè)晶體管電壓可以隨著尺寸縮小而降低,從而使得功耗不隨晶體管密度增加而增加。
技術(shù)挑戰(zhàn):
電壓縮放的限制:隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)繼續(xù)縮小,降低電壓變得越來(lái)越困難,導(dǎo)致Dennard縮放失效。
漏電流問(wèn)題:靜態(tài)功耗(漏電流)隨著晶體管尺寸縮小而增加,導(dǎo)致總功耗上升。
3. Rock’s Law(Rock定律)
定義:Rock定律由Arthur Rock提出,指出新一代半導(dǎo)體制造工廠(晶圓廠)的成本大約每四年翻一番。
技術(shù)背景:
制造成本:制造晶圓的成本極高,包括設(shè)備、材料和運(yùn)行費(fèi)用。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)需要更先進(jìn)、更昂貴的設(shè)備。
資本投入:建造和運(yùn)營(yíng)新一代晶圓廠需要大量的資本投入,導(dǎo)致進(jìn)入門(mén)檻高和風(fēng)險(xiǎn)大。
技術(shù)挑戰(zhàn):
經(jīng)濟(jì)性:隨著制造成本急劇上升,僅有少數(shù)幾家公司能夠承擔(dān)如此高昂的費(fèi)用。
投資回報(bào):新一代技術(shù)的商業(yè)回報(bào)不確定,使得投資風(fēng)險(xiǎn)增加。
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