深圳線下交流來了產(chǎn)業(yè)大咖，分享了臺(tái)積電的CoWoS干貨。

臺(tái)積電的CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，旨在提升集成電路的性能、減小封裝尺寸，并有效降低功耗。

CoWoS技術(shù)通過在一個(gè)硅中介層（Interposer）上集成多個(gè)芯片（或芯片組），形成一個(gè)高性能的封裝解決方案。該技術(shù)主要應(yīng)用于需要高帶寬和低延遲的高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）加速器和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

1、CoWoS的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)

多芯片集成：CoWoS技術(shù)能夠?qū)⒉煌δ艿男酒ㄈ鏑PU、GPU、內(nèi)存芯片等）集成到一個(gè)封裝中。這些芯片可以采用不同的制造工藝節(jié)點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)[敏感詞]的性能和成本效益組合。

硅中介層（Interposer）：硅中介層是CoWoS技術(shù)的核心組件，提供了高密度的互連網(wǎng)絡(luò)。中介層上的微米級(jí)金屬線和通孔（TSV，Through-Silicon Via）實(shí)現(xiàn)了芯片間的高速數(shù)據(jù)傳輸。

高效散熱：多芯片集成的封裝需要有效的散熱管理，CoWoS技術(shù)通過優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和材料選擇，實(shí)現(xiàn)了高效的散熱，從而確保芯片在高負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。

根據(jù)采用的不同的中介層（ interposer ）， 臺(tái)積電把CoWoS 封裝技術(shù)分為三種類型——CoWoS-S（Silicon Interposer）、CoWoS-R（RDL Interposer）以及CoWoS-L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）。

2、技術(shù)優(yōu)勢(shì)

提升帶寬和性能：通過減少芯片之間的互連距離，CoWoS技術(shù)顯著提高了數(shù)據(jù)傳輸帶寬和速度，降低了延遲。適用于需要快速數(shù)據(jù)處理和高吞吐量的應(yīng)用場景。

功耗優(yōu)化：緊密的芯片集成和高效的互連設(shè)計(jì)降低了系統(tǒng)的整體功耗，延長了設(shè)備的使用壽命。

靈活的設(shè)計(jì)和制造：CoWoS技術(shù)支持不同工藝節(jié)點(diǎn)和不同類型芯片的集成，設(shè)計(jì)靈活性大?？梢愿鶕?jù)具體需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)，滿足多樣化的市場需求。

3、應(yīng)用領(lǐng)域

高性能計(jì)算（HPC）：需要處理大量數(shù)據(jù)和復(fù)雜計(jì)算的領(lǐng)域，如科學(xué)計(jì)算、金融建模等。

人工智能（AI）：AI加速器和深度學(xué)習(xí)處理器需要高帶寬和低延遲的數(shù)據(jù)傳輸。

數(shù)據(jù)中心：服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)處理器等需要高效的數(shù)據(jù)處理能力和快速的存儲(chǔ)訪問。

小結(jié)：臺(tái)積電的CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）技術(shù)通過將多個(gè)芯片緊密集成在一個(gè)封裝中，并利用硅中介層提供高速互連，顯著提升了系統(tǒng)的性能、帶寬和能效，適用于需要高性能和高帶寬的計(jì)算和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。

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