晶圓清洗的原理、流程、方法、設(shè)備

發(fā)布時(shí)間：2024-09-30作者來(lái)源：薩科微瀏覽：1638

晶圓清洗（Wet Clean）是半導(dǎo)體制造工藝中至關(guān)重要的步驟之一，其目的是去除晶圓表面的各種污染物，確保后續(xù)工藝步驟能夠在潔凈的表面上進(jìn)行。

圖：批量的晶圓清洗

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的成品率和可靠性。

一、晶圓清洗的核心原理

晶圓清洗的核心在于通過(guò)物理、化學(xué)以及其他方法有效去除晶圓表面的各類(lèi)污染物，以確保晶圓具有適合后續(xù)加工的潔凈表面。

圖：硅片表面的污染物

表：晶圓表面不同污染物及其影響

Type of Contamination

Main Influences on Device Characteristics


Particle Contamination		Pattern defects Ion implantation defects Insulating film breakdown defects
Metallic Contamination	Alkali Metals	MOS transistor instability Gate oxide film breakdown/degradation
Metallic Contamination	Heavy Metals	Increased PN junction reverse leakage current Gate oxide film breakdown defects Minority carrier lifetime degradation Oxide excitation layer defect generation
Chemical Contamination	Organic Material	Gate oxide film breakdown defects CVD film variations (incubation times) Thermal oxide film thickness variations (accelerated oxidation) Haze occurrence (wafer, lens, mirror, mask, reticle)
	Inorganic Dopants (B, P)	MOS transistor Vth shifts Si substrate and high resistance poly-silicon sheet resistance variations
	Inorganic Bases (amines, ammonia) & Acids (SOx)	Degradation of the resolution of chemically amplified resists Occurrence of particle contamination and haze due to salt generation
	Native and Chemical Oxide Films Due to Moisture, Air	Increased contact resistance Gate oxide film breakdown/degradation

具體來(lái)說(shuō)，晶圓清洗工藝的目標(biāo)包括：

顆粒物的去除：利用物理或化學(xué)手段，去除附著在晶圓表面的微小顆粒物。較小的顆粒物由于與晶圓表面之間存在較強(qiáng)的靜電吸附力，去除的難度較大，需要特別處理。

有機(jī)物的去除：晶圓表面可能附著油脂、光刻膠殘留等有機(jī)污染物，這些污染物通常通過(guò)強(qiáng)氧化劑或溶劑來(lái)去除。

金屬離子的去除：金屬離子殘留在晶圓表面可能導(dǎo)致電性能的下降，甚至影響晶圓后續(xù)的制程，因此需要使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行處理。

氧化物的去除：部分工藝要求晶圓表面沒(méi)有氧化物層，如氧化硅等，因此在某些清洗步驟中需要去除自然氧化層。

晶圓清洗技術(shù)的難點(diǎn)在于既要高效去除污染物，又不能對(duì)晶圓表面產(chǎn)生不良影響，例如不能引起表面粗糙化、腐蝕或其他物理?yè)p傷。

二、晶圓清洗工藝流程

晶圓清洗工藝通常分為多個(gè)步驟，以確保污染物的全面去除和表面的完全潔凈。

圖：Batch類(lèi)型和單片清洗對(duì)比

典型的晶圓清洗工藝包括以下幾個(gè)主要步驟：

1. 預(yù)清洗（Pre-Clean）

預(yù)清洗的目的是去除晶圓表面的松散污染物和大顆粒，這通常通過(guò)去離子水（DI Water）沖洗和超聲波清洗來(lái)完成。去離子水能夠初步去除晶圓表面的顆粒和溶解的雜質(zhì)，而超聲波清洗則利用空化效應(yīng)破壞顆粒與晶圓表面的結(jié)合力，使顆粒易于脫落。

2. 化學(xué)清洗（Chemical Cleaning）

化學(xué)清洗是晶圓清洗工藝的核心步驟之一，它利用化學(xué)溶液去除晶圓表面的有機(jī)物、金屬離子和氧化物。

去除有機(jī)物：通常使用丙酮或氨水/過(guò)氧化氫混合液（SC-1）來(lái)溶解和氧化去除有機(jī)污染物。SC-1溶液的典型配比為NH?OH:H?O?:H?O = 1:1:5，使用溫度約為20°C。

去除金屬離子：使用硝酸或鹽酸/過(guò)氧化氫混合液（SC-2）去除晶圓表面的金屬離子。SC-2溶液的配比通常為HCl:H?O?:H?O = 1:1:6，溫度保持在80°C左右。

去除氧化物：某些工藝要求去除晶圓表面的自然氧化層，這時(shí)會(huì)使用氫氟酸（HF）溶液。HF的典型配比為HF:H?O = 1:50，常溫下即可使用。

3. 終清洗（Final Clean）

在化學(xué)清洗后，晶圓通常需要進(jìn)行終清洗，以確保表面沒(méi)有殘留的化學(xué)物質(zhì)。終清洗主要使用去離子水進(jìn)行徹底的沖洗。此外，臭氧水清洗（O?/H?O）也被用于進(jìn)一步去除晶圓表面的殘留污染物。

4. 干燥

清洗后的晶圓必須迅速干燥，以防止水痕或污染物的重新附著。常用的干燥方法包括旋轉(zhuǎn)甩干和氮?dú)獯祾?，前者通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)將晶圓表面的水分甩除，后者通過(guò)干燥氮?dú)獾拇捣鱽?lái)確保表面的完全干燥。

表：用于CMOS工藝的清洗解決方案

Contaminant

Cleaning Procedure Name

Chemical Mixture Description

Chemicals


Particles	Piranha (SPM)	Sulfuric acid/hydrogen peroxide/DI water	H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C
Particles	SC-1 (APM)	Ammonium hydroxide/hydrogen peroxide/DI water	NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C
Metals (not copper)	SC-2 (HPM)	Hydrochloric acid/hydrogen peroxide/DI water	HCl/H2O2/H2O1:1:6; 85°C
	Piranha (SPM)	Sulfuric acid/hydrogen peroxide/DI water	H2SO4/H2O2/H2O3-4:1; 90°C
	DHF	Dilute hydrofluoric acid/DI water (will not remove copper)	HF/H2O1:50
Organics	Piranha (SPM)	Sulfuric acid/hydrogen peroxide/DI water	H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C
	SC-1 (APM)	Ammonium hydroxide/hydrogen peroxide/DI water	NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C
	DIO3	Ozone in de-ionized water	O3/H2O Optimized Mixtures
Native Oxide	DHF	Dilute hydrofluoric acid/DI water	HF/H2O 1:100
Native Oxide	BHF	Buffered hydrofluoric acid	NH4F/HF/H2O

三、常見(jiàn)的晶圓清洗方法

1. RCA 清洗法

RCA清洗法是半導(dǎo)體行業(yè)中最為經(jīng)典的晶圓清洗方法之一，由RCA公司開(kāi)發(fā)，已有超過(guò)40年的歷史。該方法主要用于去除有機(jī)物和金屬離子污染物，并且可以分為SC-1（標(biāo)準(zhǔn)清洗1）和SC-2（標(biāo)準(zhǔn)清洗2）兩步完成。

SC-1清洗：主要去除有機(jī)污染物和顆粒，溶液為氨水、過(guò)氧化氫和水的混合液，形成一層薄氧化硅層。

SC-2清洗：主要去除金屬離子污染物，使用鹽酸、過(guò)氧化氫和水的混合溶液，留下薄的鈍化層，防止晶圓表面再次污染。

2. 吡拉尼亞清洗法（Piranha Etch clean）

吡拉尼亞清洗法是一種高效的有機(jī)物去除方法，使用硫酸和過(guò)氧化氫的混合溶液，典型的配比為3:1或4:1。由于該溶液具有極強(qiáng)的氧化性，可以去除大量的有機(jī)物質(zhì)和頑固的污染物。這種方法需要在嚴(yán)格的控制條件下進(jìn)行，尤其是在溫度和濃度方面，以避免對(duì)晶圓的損傷。

3. 超聲波清洗和兆聲波清洗（Megasonic Cleaning）

超聲波清洗利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生的空化作用來(lái)去除晶圓表面的污染物。相比傳統(tǒng)的超聲波清洗，兆聲波清洗具有更高的頻率，能夠更高效地去除亞微米級(jí)別的顆粒，而不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷。

4. 臭氧清洗（Ozone Cleaning）

臭氧清洗技術(shù)利用臭氧的強(qiáng)氧化性來(lái)分解和去除晶圓表面的有機(jī)污染物，最終將這些污染物轉(zhuǎn)化為無(wú)害的二氧化碳和水。這種方法不需要使用昂貴的化學(xué)試劑，并且對(duì)環(huán)境污染較小，因此逐漸成為晶圓清洗領(lǐng)域的一種新興技術(shù)。

四、晶圓清洗工藝設(shè)備

為了確保晶圓清洗工藝的高效和安全性，半導(dǎo)體制造中使用了各種先進(jìn)的清洗設(shè)備。主要包括以下幾類(lèi)：

1. 濕法清洗設(shè)備

濕法清洗設(shè)備包括各種浸泡槽、超聲波清洗槽和旋轉(zhuǎn)甩干設(shè)備。這些設(shè)備通過(guò)機(jī)械力和化學(xué)試劑的結(jié)合，完成晶圓表面的污染物去除。浸泡槽通常配有溫度控制系統(tǒng)，以確?；瘜W(xué)溶液的穩(wěn)定性和有效性。

2. 干法清洗設(shè)備

干法清洗設(shè)備主要包括等離子清洗機(jī)，利用等離子體中的高能粒子與污染物反應(yīng)來(lái)去除晶圓表面的殘留物。等離子清洗特別適用于需要保持表面完整性而不引入化學(xué)物質(zhì)殘留的工藝。

3. 自動(dòng)化清洗系統(tǒng)

隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴(kuò)大，自動(dòng)化清洗系統(tǒng)已成為大批量晶圓清洗的[敏感詞]。這類(lèi)系統(tǒng)通常包括自動(dòng)傳輸裝置、多槽清洗系統(tǒng)和精密控制系統(tǒng)，以確保每片晶圓都能達(dá)到一致的清洗效果。

五、未來(lái)趨勢(shì)

隨著半導(dǎo)體器件的不斷微縮化，晶圓清洗技術(shù)正朝著更高效、更環(huán)保的方向發(fā)展。未來(lái)的清洗技術(shù)將更加注重：

亞納米級(jí)別顆粒物的去除：現(xiàn)有的清洗技術(shù)已經(jīng)可以處理納米級(jí)顆粒，但隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小，亞納米級(jí)顆粒的去除將成為新的挑戰(zhàn)。

綠色環(huán)保清洗：減少對(duì)環(huán)境有害的化學(xué)品的使用，開(kāi)發(fā)更環(huán)保的清洗方法，例如臭氧清洗和兆聲波清洗等。

更高的自動(dòng)化和智能化：通過(guò)智能化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)控和調(diào)整清洗過(guò)程中的各種參數(shù)，以進(jìn)一步提高清洗效果和生產(chǎn)效率。

晶圓清洗技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其重要性不言而喻。通過(guò)多種清洗方法的組合使用，能夠有效去除晶圓表面的各種污染物，為后續(xù)工藝提供潔凈的基底表面。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，清洗工藝也在不斷優(yōu)化，以適應(yīng)更高精度、更低缺陷率的半導(dǎo)體制造需求。

免責(zé)聲明：本文采摘自“老虎說(shuō)芯”，本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn)，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。

上一條：為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺(tái)？
下一條：聊聊芯片說(shuō)明書(shū)datasheet——以國(guó)產(chǎn)三相無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為例