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中國多家SiC廠預(yù)告虧損

發(fā)布時間:2023-02-16作者來源:薩科微瀏覽:1876


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本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)編譯自digitimes
如今的SiC產(chǎn)業(yè)冷熱不均,一邊是市場火熱、眾廠擴產(chǎn),另一邊卻又是企業(yè)業(yè)績持續(xù)虧損。
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雖然電動車銷量成長,帶動功率半導體需求,但中國多家碳化硅(SiC)廠商如露笑科技、天岳先進等紛紛預(yù)告2022年業(yè)績將呈虧損。

據(jù)天岳先進公告,預(yù)計2022年凈虧損人民幣1.55億~1.85億元,年增由盈轉(zhuǎn)虧。天岳先進解釋,“在主要產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整過程中,因產(chǎn)線、設(shè)備調(diào)整等導致臨時性產(chǎn)能下滑,進而影響營業(yè)營收和綜合毛利率等下降?!?/span>

資料顯示,天岳先進專注于SiC基板的研發(fā)、制造和銷售,而且半絕緣型和導電性均有布局,主攻半絕緣型SiC基板。由于電動車、太陽光電系統(tǒng)和儲能等產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展,導電型襯底需求不斷。

據(jù)Yole預(yù)測,截至2025年,全球SiC零組件市場規(guī)模將達到25.62億美元,2019~2025年CAGR為30%。其中,電動車、太陽光電系統(tǒng)和儲能是SiC零部件主要的應(yīng)用市場,2025年市場規(guī)模分別為15.53億美元和3.14億美元。為此,天岳先進特別投資的SiC半導體材料項目,即包含導電型基板。

不過,由于2022年上半年上海疫情,原定于2022年試生產(chǎn)的計劃被迫推遲。為了交付6英寸導電型產(chǎn)品,天岳先進將濟南工廠的部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)變?yōu)閷щ娦?。該調(diào)整不僅代表導電型基板供應(yīng)節(jié)奏可能延遲,還將影響半絕緣型襯底的生產(chǎn)和銷售情況。而產(chǎn)品被動調(diào)整的沖擊,也直觀反映在2022年的業(yè)績上。同時,天岳先進還表示,由于2022年公司投入研發(fā)大尺寸和N型產(chǎn)品,研發(fā)費用增加,成本上漲。

無獨有偶,當?shù)亓硪患掖髲S露笑科技也表示,因SiC產(chǎn)業(yè)前期研發(fā)及資產(chǎn)投入成本高,預(yù)計2022年凈利潤虧損人民幣2.30億~2.95億元,年增由盈轉(zhuǎn)虧。但除此之外,該公司表示主營業(yè)務(wù)一切正常,SiC產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步推進中。另外,得潤電子也預(yù)計2022年凈利潤虧損人民幣1.8億~2.5億元,較2021年虧損減少。

圖片 碳化硅商業(yè)化進程加速

自2021年Tesla宣布,Model 3搭載意法半導體(STM)的SiC功率零組件后,SiC便搭上了新能源的快車道。目前,SiC作為第三類半導體材料,已在電動車、工業(yè)與新能源等領(lǐng)域加速滲透應(yīng)用,SiC功率零組件更是成為半導體與新能源賽道的交匯點。

英飛凌(Infineon)也宣布,擴大與SiC供應(yīng)商合作,且與Resonac(前身為昭和電工)簽署一份新采購合作清單。

同時,中國對于SiC擴產(chǎn)動作也未停歇。2022年7月,士蘭微正式啟動“SiC功率零組件生產(chǎn)線建設(shè)項目”,項目計劃投資人民幣15億元; 11月8日,三安光電旗下全資子公司簽署一項SiC芯片《戰(zhàn)略采購意向協(xié)議》,金額達人民幣38億元; 時代電氣也透露,投資人民幣4.6億對原有SiC產(chǎn)線進行產(chǎn)能提升。

東尼電子也在1月初發(fā)布了關(guān)于簽訂重大合約公告,2023年將向客戶交付13.5萬片6英寸SiC基板,含稅銷售金額合計人民幣6.75億元,已超過2021全年營收13.39億元的一半,2024年和2025年還將分別交付30萬片和50萬片。

一邊是市場火熱,眾廠擴產(chǎn); 一邊卻又是企業(yè)業(yè)績持續(xù)虧損,一熱一冷間,業(yè)界對于SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展話題熱議不已。實際上,盈利難、自身造血能力弱一直是擺在SiC產(chǎn)業(yè)面前的難題。

以產(chǎn)業(yè)龍頭科銳為例,該公司于1993年在美國上市,是SiC領(lǐng)域?qū)嵵撩麣w的領(lǐng)頭者,但在產(chǎn)品供不應(yīng)求的同時,業(yè)績虧損卻十分嚴重,2018~2020年間共計虧損8.46億美元。

天岳先進也表示,由于SiC材料的持續(xù)研發(fā)需要大量投入,未來一段時間可能持續(xù)虧損。

目前國際主流SiC襯底尺寸為4英寸和6英寸,晶圓面積較小、芯片裁切效率較低、單晶襯底及外延良率較低導致SiC器件成本高昂,疊加后續(xù)晶圓制造、封裝良率較低,且載流能力和柵氧穩(wěn)定性仍待提高,SiC器件整體成本仍處于較高水平。未來隨著全球半導體廠商加速研發(fā)及擴產(chǎn),產(chǎn)線良率將逐步提高,從而提高晶圓利用率,有效降低SiC器件成本。

中國的SiC器件供應(yīng)商,既面臨新材料對硅的取代,又面臨國產(chǎn)器件對國外器件的取代,在整個過程中一定會面臨許多問題。SiC行業(yè)還有很長的路要走,以推動技術(shù)創(chuàng)新,同時削減成本和提高產(chǎn)量,這需要很多的耐心。

*聲明:本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點,我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論,不代表我方贊成或認同,如有異議,請聯(lián)系后臺。

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