11月15日，第四次區(qū)域全面經(jīng)濟(jì)伙伴關(guān)系協(xié)定領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議以視頻方式舉行，經(jīng)過8年談判，東盟十國(guó)以及中國(guó)、日本、韓國(guó)、澳大利亞、新西蘭15個(gè)國(guó)家，正式簽署區(qū)域全面經(jīng)濟(jì)伙伴關(guān)系協(xié)定（RCEP，Regional Comprehensive Economic Partnership）。

據(jù)介紹，RCEP拓展了原有“10+1”自貿(mào)協(xié)定的規(guī)則涵蓋領(lǐng)域，既對(duì)標(biāo)國(guó)際高水平自貿(mào)規(guī)則，納入了知識(shí)產(chǎn)權(quán)、電子商務(wù)、競(jìng)爭(zhēng)、政府采購(gòu)等議題，又在中小企業(yè)、經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作等領(lǐng)域作出加強(qiáng)合作等規(guī)定。

比如在貨物貿(mào)易方面，協(xié)定生效后，15國(guó)區(qū)域內(nèi)90%以上的貨物貿(mào)易將最終實(shí)現(xiàn)零關(guān)稅，且主要是立刻降稅到零和10年內(nèi)降稅到零，使RCEP自貿(mào)區(qū)有望在較短時(shí)間兌現(xiàn)所有貨物貿(mào)易自由化承諾。

官方稱，這不僅僅是東亞區(qū)域合作極具標(biāo)志性意義的成果，更是多邊主義和自由貿(mào)易的勝利。

那么，對(duì)于大家關(guān)心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，RCEP會(huì)帶來哪些影響呢？

眾所周知，在此次締約的15國(guó)當(dāng)中，日本和韓國(guó)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中的兩個(gè)強(qiáng)國(guó)，其中日本在半導(dǎo)體材料（全球最強(qiáng)）、半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域（僅次于美國(guó)）非常強(qiáng)勢(shì)，而韓國(guó)則在顯示面板和存儲(chǔ)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

具體到貨物貿(mào)易關(guān)稅方面，隨著RCEP的落地，中日韓之間的半導(dǎo)體及顯示相關(guān)領(lǐng)域的關(guān)稅具體又有何變化呢？對(duì)此芯智訊查閱了RCEP當(dāng)中的中日韓之間的關(guān)稅承諾與半導(dǎo)體及顯示相關(guān)的部分，并整理如下：

中國(guó)對(duì)日本關(guān)稅承諾

首先在硅材料方面，經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的直徑在7.5cm-15.24cm之間單晶硅片基準(zhǔn)稅率為0。此外，直徑30cm以上的單晶硅棒以及經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)其他單晶硅棒，基準(zhǔn)稅率為4%，[敏感詞]年將直接降至0。

對(duì)于專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路或平板顯示器的機(jī)器及裝置，比如研磨、切割、CMP、氧化、擴(kuò)散、退火、CVD、PVD、光刻機(jī)、離子注入、刻蝕及剝離等眾多半導(dǎo)體設(shè)備，中國(guó)對(duì)日本的關(guān)稅均為0。

不過，在濕法刻蝕、顯影、剝離、清洗環(huán)節(jié)，所用到的超聲波清洗裝置上，中國(guó)對(duì)日本的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率為10%，第1年將降至9.1%，隨后逐年遞減，直至第11年降至0。

另外在主要用于或?qū)Ｓ糜谘b配與封裝半導(dǎo)體器件或基礎(chǔ)電路的設(shè)備當(dāng)中：塑封機(jī)的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.5%，隨后逐年遞減，直至第11年降至0；引線鍵合設(shè)備基準(zhǔn)稅率為8%，第1年將降至7.3%，隨后逐年遞減，直至第11年降至0。

在主要用于或?qū)Ｓ糜谏怠徇\(yùn)、裝卸、搬運(yùn)單晶柱、晶圓、半導(dǎo)體他器件、集成電路或平板顯示器的設(shè)備方面，除了集成電路工廠專用的自動(dòng)搬運(yùn)機(jī)器人的基準(zhǔn)稅率為0外，其他設(shè)備的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.5%，隨后逐年遞減，直至第11年降為0。

對(duì)于專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路或平板顯示器的機(jī)器及裝置所需的相關(guān)零件和附件方面：升降、搬運(yùn)、裝卸機(jī)器用（自動(dòng)搬運(yùn)設(shè)備用除外）的零件和附件的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.8%，隨后逐年遞減0.2個(gè)百分點(diǎn)；引線鍵合裝置用的零件和附件的基準(zhǔn)稅率為6%，第1年將直接降至0。

在集成電路方面，包括處理器、控制器、存儲(chǔ)器、放大器及其他集成電路器件和零件，中國(guó)對(duì)日本的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率都全部保持為0。

此外，電阻、電容等集成電路所需求的基礎(chǔ)元件，中國(guó)對(duì)日本的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也全部保持為0。

在電視機(jī)所需的彩色電視接收機(jī)所需的顯示面板、等離子顯像組件及零件、有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏方面，中國(guó)對(duì)日本的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為15%。另外，對(duì)于裝有LCD或LED的顯示板，基準(zhǔn)稅率為0。

日本對(duì)中國(guó)關(guān)稅承諾

在經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的硅片及硅材料方面，日本對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率全部為0。

對(duì)于專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路或平板顯示器的機(jī)器及裝置，以及零件及附件方面，日本對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也均為0。

在集成電路方面，包括處理器、控制器、存儲(chǔ)器、放大器及其他集成電路器件和零件，日本對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部為0。

在電阻、電容、印刷電路方面，日本對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部保持為0。

在電視機(jī)或顯示器所需的顯示模組，日本對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為0。

中國(guó)對(duì)韓國(guó)關(guān)稅承諾

在硅材料方面，按重量計(jì)硅含量不低于99.99%，經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的化合物或直徑在7.5cm-15.24cm之間單晶硅片，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率為0。此外，直徑30cm以上的單晶硅棒以及經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)其他單晶硅棒，基準(zhǔn)稅率均為4%，[敏感詞]年將直接降至0。

對(duì)于專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路的機(jī)器及裝置，比如研磨、切割、CMP、氧化、擴(kuò)散、退火、CVD、PVD、光刻機(jī)、離子注入、刻蝕及剝離等中東半導(dǎo)體設(shè)備，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅均為0。

對(duì)于制造平板顯示器用的機(jī)器及裝置，其中的眾多設(shè)備的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為0。不過，在濕法刻蝕、顯影、剝離、清洗環(huán)節(jié)，所用到的超聲波清洗裝置上，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率為10%，第1年將降至9%（日本是9.1%），隨后逐年遞減1%，直至第10年降至0（日本是第11年降為0）。

另外在主要用于或?qū)Ｓ糜谘b配與封裝半導(dǎo)體器件或基礎(chǔ)電路的設(shè)備當(dāng)中：塑封機(jī)的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.8%（日本為4.5%），隨后逐年遞減，直至第20年降至0（日本是第10年降至0）；引線鍵合設(shè)備基準(zhǔn)稅率為8%，第1年將降至7.2%（日本為7.3%），隨后逐年遞減，直至第10年降至0（日本是第11年降至0）。

在主要用于或?qū)Ｓ糜谏?、搬運(yùn)、裝卸、搬運(yùn)單晶柱、晶圓、半導(dǎo)體他器件、集成電路或平板顯示器的設(shè)備方面，除了集成電路工廠專用的自動(dòng)搬運(yùn)機(jī)器人的基準(zhǔn)稅率為0外，其他設(shè)備的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.5%，隨后逐年遞減，直至第10年降為0（日本為第11年降為0）。

對(duì)于專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路或平板顯示器的機(jī)器及裝置所需的相關(guān)零件和附件方面：升降、搬運(yùn)、裝卸機(jī)器用（自動(dòng)搬運(yùn)設(shè)備用除外）的零件和附件的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年直接降為0（日本為[敏感詞]年降至4.8%，隨后逐年遞減，直至第21年降為0）；引線鍵合裝置用的零件和附件的基準(zhǔn)稅率為6%，第1年將直接降至0。

在集成電路方面，包括處理器、控制器、存儲(chǔ)器、放大器及其他集成電路器件和零件，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部保持為0。

此外在電阻、電容、印刷電路方面，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部保持為0。

在電視機(jī)所需的彩色電視接收機(jī)所需的顯示面板、等離子顯像組件及零件、有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏方面，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為15%。

韓國(guó)對(duì)中國(guó)關(guān)稅承諾

在硅材料方面，經(jīng)摻雜用于電子工業(yè)的硅片或化合物，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅稅率均為0。而在按重量計(jì)硅含量不低于99.99%的硅材料方面，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率為3%，第1年將直接降至0。其他類型的硅材料，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率為5%，第1年將降至4.5%，此后逐年降低0.5個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。

專用于或主要用于制造半導(dǎo)體單晶柱或晶圓、半導(dǎo)體器件、集成電路或平板顯示器的眾多機(jī)器及裝置中，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅大多為0，僅極少數(shù)設(shè)備的基準(zhǔn)稅率為8%，不過第1年都將直接降至0。

在制造平板顯示器用的機(jī)器及裝置類目下：

通過激光或其他光或光子束、超聲波、放電等工藝去除材料來加工任何材料的設(shè)備的基準(zhǔn)稅率均為8%，第1年都將降至7.2%，此后逐年遞減0.8個(gè)百分點(diǎn)，直至10年降至0。

而在基于電化學(xué)、電子束、離子束或等離子弧工藝的去除材料來加工任何材料的設(shè)備當(dāng)中，用于制造有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的干式蝕刻機(jī)的基準(zhǔn)稅率為5%，第1年降至4.5%，此后逐年降低0.5個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降至0；其他干式蝕刻機(jī)及其他設(shè)備的基準(zhǔn)稅率均為8%，第1年都將降至7.2%，此后逐年降低0.8個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降至0。

在歸類于礦物材料加工設(shè)備下的研磨設(shè)備和拋光設(shè)備及其他設(shè)備的基準(zhǔn)稅均為8%，第1年降至7.2%，此后逐年降低0.8個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。

另外，用于制造有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的涂布設(shè)備基準(zhǔn)稅率為5%，第1年降至4.5%，此后逐年降低0.5個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。其他的涂布和顯影設(shè)備的基準(zhǔn)稅率均為8%，第1年降至7.2%，此后逐年降低0.5個(gè)個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。

基于物理或化學(xué)方式的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的沉積設(shè)備的基準(zhǔn)稅率均為5%，第1年降至4.5%，此后逐年降低0.5個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。其他類型的用于顯示面板制造的沉積設(shè)備的基準(zhǔn)稅率均8%，第1年降至7.2%，此后逐年降低0.5個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。

對(duì)于各類液晶面板加工設(shè)備，基準(zhǔn)稅率基本都為8%，第1年將降至7.2%，此后逐年降低0.8個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降為0。

對(duì)于主要用于制作和修復(fù)掩膜版的設(shè)備，以及裝配與封裝半導(dǎo)體器件或集成電路的設(shè)備，雖然有部分設(shè)備的基準(zhǔn)稅率為3%-8%，但是第1年均將直接降至0。

另外，主要用于或?qū)Ｓ糜谏?、搬運(yùn)、裝卸、搬運(yùn)單晶柱、晶圓、半導(dǎo)體他器件、集成電路或平板顯示器的設(shè)備，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的基準(zhǔn)稅率為0。

在集成電路方面，包括處理器、控制器、存儲(chǔ)器、放大器及其他集成電路器件和零件，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部保持為0。

此外在電容、電阻、印刷電路方面，中國(guó)對(duì)韓國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率也都全部保持為0。

在電視機(jī)所需的等離子顯示面板方面，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為8%，第1年直接降至0。LCD和OLED面板方面，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的關(guān)稅基準(zhǔn)稅率均為8%，第1年均直接降至7.2%，隨后逐年降低0.8個(gè)百分點(diǎn)，直至第10年降至0。

小結(jié)：

對(duì)于國(guó)內(nèi)的廠商來說，在RCEP協(xié)定簽署之前，雖然進(jìn)口自日韓的絕大部分半導(dǎo)體芯片及部分的半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料就已經(jīng)是零進(jìn)口關(guān)稅（但是需要交13%的增值稅），不過仍有部分半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料仍然存在8%左右的關(guān)稅。

從上面的數(shù)據(jù)來看，根據(jù)RCEP的協(xié)議，對(duì)于很多原本存在8%左右關(guān)稅的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備來說，大部分都將在RCEP協(xié)定簽署后第1年內(nèi)降至0，其他也大多將會(huì)在10年內(nèi)降至0。

可以說，隨著RCEP的落地，中國(guó)的晶圓廠及封測(cè)廠也將受益于日韓半導(dǎo)體材料和設(shè)備的進(jìn)口關(guān)稅的降低。當(dāng)然，對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料和設(shè)備廠商來說，這將也是一個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)闀?huì)面臨來自日韓廠的更大的競(jìng)爭(zhēng)。但是，這也是機(jī)會(huì)，對(duì)于具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料、芯片及設(shè)備廠商來說，這也是一個(gè)進(jìn)入日韓市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，因?yàn)橄鄳?yīng)的，日韓對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體材料和設(shè)備的進(jìn)口關(guān)稅也在全面降低。

而對(duì)于國(guó)內(nèi)下游的智能終端廠商來說，進(jìn)口的日韓的半導(dǎo)體芯片關(guān)稅之前基本就是0，所以這塊沒有什么變化，不過隨著日韓對(duì)中國(guó)終端設(shè)備稅率的降低，有利于國(guó)內(nèi)的終端設(shè)備廠商進(jìn)一步開拓日韓市場(chǎng)。

除了貿(mào)易方面的挑戰(zhàn)與機(jī)遇之外，RECP的15個(gè)國(guó)家還將會(huì)采用負(fù)面清單方式對(duì)制造業(yè)等5個(gè)非服務(wù)業(yè)領(lǐng)域投資作出較高水平開放承諾，大大提高了各方政策透明度。并且，各方承諾對(duì)于區(qū)域內(nèi)各國(guó)的投資者、公司內(nèi)部流動(dòng)人員、合同服務(wù)提供者、隨行配偶及家屬等各類商業(yè)人員，在符合條件的情況下，可獲得一定居留期限，享受簽證便利，開展各種貿(mào)易投資活動(dòng)。這將有助于加強(qiáng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與日韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的合作，有利于三方的半導(dǎo)體領(lǐng)域的企業(yè)和資本在區(qū)域內(nèi)的投資。

商務(wù)部國(guó)際貿(mào)易經(jīng)濟(jì)合作研究院國(guó)際市場(chǎng)研究所副所長(zhǎng)白明也表示：“RCEP簽署對(duì)于我國(guó)高端產(chǎn)業(yè)影響更大一些，之前日韓之間、中日之間都沒有自貿(mào)協(xié)定，這次簽署之后或?qū)⒂兄谙嚓P(guān)國(guó)家在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的合作，但技術(shù)管制等因素還是存在。” 

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