01 穩(wěn)壓電源 ……

Intel: Meteor Lake Chiplet SoC Up and Running 說(shuō)到芯片領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)，最近一個(gè)月內(nèi)，先是英特爾在4月宣布其第一款采用Chipl

在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ……

一

放大器是構(gòu)筑模電大廈最基礎(chǔ)的磚石，它是一種有源器件，需要供電才能工作，電源的不同選擇和設(shè)置也會(huì)對(duì)放大器參數(shù)性能產(chǎn)生影響，因此，不管您是已入職場(chǎng)的設(shè)計(jì)人員，還是在正在學(xué)習(xí)電路設(shè)計(jì)的學(xué)生，都應(yīng)該對(duì)放大器電源有更多的了解。

一、MOSFET簡(jiǎn)介 ■MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管. ■MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。 ■功率M……

1.歐姆定律計(jì)算 ……

GaN半導(dǎo)體器件用于增長(zhǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的市場(chǎng)潛力。

晶振概述 晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振； 而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。 晶振工作原理 ……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過(guò)來(lái)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，有人說(shuō)這個(gè)二極管是寄生二極管，有人說(shuō)是體二極管，究竟哪個(gè)說(shuō)法準(zhǔn)確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個(gè)二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說(shuō)起，不

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效

近幾十年來(lái)，以新發(fā)展起來(lái)的第 3 代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強(qiáng)，開(kāi)關(guān)頻率更高，損……