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中國(guó)大陸半導(dǎo)體前道制造設(shè)備數(shù)據(jù)月報(bào)(2022-122)

發(fā)布時(shí)間:2023-02-24作者來(lái)源:薩科微瀏覽:1938


數(shù)據(jù)概覽:

根據(jù)中國(guó)大陸海關(guān)說明,半導(dǎo)體前道制造設(shè)備可分為以下類別,分別對(duì)應(yīng)前道制造中的熱處理、CVD、PVD、其他沉積、光刻、干法刻蝕、其他刻蝕與離子注入等流程。

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以下為數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果圖表:

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最近3月,中國(guó)大陸半導(dǎo)體前道制造設(shè)備進(jìn)口金額為3919.5百萬(wàn)美元,較去年同期下降28.8%。除了其他沉積設(shè)備進(jìn)口金額增加以外,其余設(shè)備進(jìn)口金額同樣均有不同比例的減少。但是,由于其他沉積設(shè)備進(jìn)口金額占比僅有1.7%,其意義不明顯。所以,中國(guó)大陸半導(dǎo)體前道制造設(shè)備進(jìn)口總體呈下降趨勢(shì)。


熱處理設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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2022年自10月起,熱處理設(shè)備進(jìn)口金額明顯減少,10~12月的總進(jìn)口金額為337.8百萬(wàn)美元,同下降22.9%,環(huán)比下降24.8%。如下圖所示,來(lái)自日本的進(jìn)口占比長(zhǎng)期過半,2022年占比近六成;相比于2022年上半年,下半年來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口金額大幅下降,環(huán)比下降69.4%。

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CVD設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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盡管最近3月CVD設(shè)備進(jìn)口金額同比下降22.3%,但這很大程度上是因?yàn)橛?021年11月異常高的數(shù)值,相比于熱處理設(shè)備,CVD設(shè)備的進(jìn)口金額較為平穩(wěn)。按貿(mào)易地區(qū)看,2022年,來(lái)自馬來(lái)西亞的進(jìn)口金額大幅增加,同比增長(zhǎng)超五倍。

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PVD設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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最近3月,PVD設(shè)備的進(jìn)口金額為205.9百萬(wàn)美元,環(huán)比下降43.8%。如下圖,雖然在2022年來(lái)自新加坡的進(jìn)口金額所占比重[敏感詞],但在10~12月,來(lái)自新加坡的進(jìn)口金額明顯下降,在10月無(wú)進(jìn)口,同比下降82.3%,環(huán)比下降89.3%。

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其他沉積設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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其他沉積設(shè)備進(jìn)口金額在各設(shè)備中占比最小。2022年,其他沉積設(shè)備的進(jìn)口金額波動(dòng)較大。來(lái)自各貿(mào)易地區(qū)的進(jìn)口金額同樣具有高波動(dòng)性,以美國(guó)為例,在1~9月,來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口金額占比為49.5%,接近一半;到了10~12月,這個(gè)數(shù)字卻僅有29.7%。

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步進(jìn)光刻設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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在2022年,步進(jìn)光刻設(shè)備的進(jìn)口金額比較穩(wěn)定,但12月的進(jìn)口金額明顯下降。如下圖所示,荷蘭與日本兩國(guó)幾乎壟斷了步進(jìn)光刻設(shè)備在中國(guó)大陸的進(jìn)口,2022年來(lái)自其他貿(mào)易地區(qū)的進(jìn)口金額占比僅1%;其中,來(lái)自荷蘭的進(jìn)口金額遠(yuǎn)大于日本,2022年來(lái)自荷蘭的進(jìn)口金額占比達(dá)71.3%。

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其他光刻設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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相比于步進(jìn)光刻設(shè)備,其他光刻設(shè)備的進(jìn)口金額在2022年則波動(dòng)較大。以貿(mào)易地區(qū)來(lái)看,荷蘭與日本同樣占據(jù)了大部分進(jìn)口,但其他貿(mào)易地區(qū)的占比相較步進(jìn)光刻設(shè)備稍大一些,最近12月占比4.2%。

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干法刻蝕設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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自2022年9月起,干法刻蝕設(shè)備進(jìn)口金額明顯減少。10~12月,總進(jìn)口金額為719.3百萬(wàn)美元,同比減少26.1%,環(huán)比減少34.1%。如下圖,在2022年,來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口金額占比顯著減少,來(lái)自馬來(lái)西亞的則顯著增加。2022年,來(lái)自美國(guó)與馬來(lái)西亞的進(jìn)口金額占比分別為17.8%與19.3%,去年的這組數(shù)字為31.7%與7.8%。

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其他刻蝕設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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其他刻蝕設(shè)備的進(jìn)口金額在2022年整體呈下降趨勢(shì),最近3月,進(jìn)口金額為148.7百萬(wàn)美元,同比減少45.6%。2022年,來(lái)自日本的進(jìn)口金額占比近六成;來(lái)自韓國(guó)的年進(jìn)口金額則大幅減少,同比減少63.3%。

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離子注入設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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2022年下半年,離子注入設(shè)備進(jìn)口金額走勢(shì)與去年同期十分相似,較為穩(wěn)定,最近3月進(jìn)口金額同期下降8.6%。美國(guó)是離子注入設(shè)備的主要進(jìn)口來(lái)源,2022年,來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口金額占比達(dá)67.5%。但是在12月,來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口金額大幅減少,來(lái)自日本的則大幅增加。

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其他設(shè)備數(shù)據(jù)明細(xì):

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2022年,其他設(shè)備的進(jìn)口金額走勢(shì)較為穩(wěn)定,年進(jìn)口金額為2243.6百萬(wàn)美元,同比減少13.2%。如下圖所示,來(lái)自日本的進(jìn)口金額占比長(zhǎng)期約50%;來(lái)自?shī)W地利的進(jìn)口金額在2022年大幅增加,同比增加50.7%。

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免責(zé)聲明:本文采摘自“半導(dǎo)體綜研”,本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn),只為轉(zhuǎn)載與分享,支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。

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