行業(yè)觀點-“02專項”支持下的上市公司全景（轉(zhuǎn)載）

發(fā)布時間：2022-03-10作者來源：薩科微瀏覽：7559

“02專項”支持下的上市公司全景

提到中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，就不得不提到“02專項”。

特別是在硬科技投資領(lǐng)域，10年前開始，就有一大批投資機構(gòu)圍繞在“02專項”周圍，跟隨著國家支持集成電路的步伐，展開同步投資。

此前，市場上也有消息傳聞，國家集成電路大基金二期主投方向為半導(dǎo)體設(shè)備和材料，將是否參與了“02專項”作為一個重要投資參考指標(biāo)。承擔(dān)了國家重大科技專項、獲得國家 “02專項” 的相關(guān)項目立項的公司，將會優(yōu)先考慮投資。

而圍繞在“02專項”周圍的這些投資機構(gòu)，踏準(zhǔn)了節(jié)奏，大部分都獲得了不菲的收益。

國家在2003年啟動中長期科技發(fā)展規(guī)劃的制定工作，并于2006年發(fā)布《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》，確定了16個重大專項，完成時限為15年左右，每個投資數(shù)百億元，這些重大專項是我國到2020年科技發(fā)展的重中之重。

這16個重大專項包括（僅對外披露13個）：1）核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件，2）極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝，3）新一代寬帶無線移動通信，4）[敏感詞]數(shù)控機床與基礎(chǔ)制造技術(shù)，5）大型油氣田及煤層氣開發(fā)，6）大型先進壓水堆及高溫氣冷堆核電站，7）水體污染控制與治理，8）轉(zhuǎn)基因生物新品種培育，9）重大新藥創(chuàng)制，10）艾滋病和病毒性肝炎等重大傳染病防治，11）大型飛機，12）高分辨率對地觀測系統(tǒng)，13）載人航天與探月工程等。

因此，所謂“02專項”，全稱應(yīng)為國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”項目，因位列國家科技重大專項16個重大專項第二位，因此也被稱為“02專項”。

“02專項”的具體內(nèi)容包括：重點進行45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā)32-22納米互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈，進一步縮小與世界先進水平差距，裝備和材料占國內(nèi)市場的份額分別達到10%和20%，開拓國際市場。

由此可見，“02專項”的重點在于設(shè)備、材料、工藝。重點支持的對象為半導(dǎo)體設(shè)備公司、半導(dǎo)體材料公司及半導(dǎo)體晶圓制造和封測公司。

國家重大專項關(guān)系到我國科學(xué)技術(shù)、先進生產(chǎn)力的發(fā)展與國家競爭力的提升。伴隨著“十三五”進入收尾階段，國家科技重大專項也已經(jīng)到了2020年的實施期限，我們來盤點一下有哪些公司獲得了“02專項”的支持，并在資本市場獲得了一席之地。

據(jù)不完全統(tǒng)計，共有30家A股半導(dǎo)體領(lǐng)域上市公司（含擬科創(chuàng)板企業(yè)），獲得了“02專項”的支持，并且取得了技術(shù)突破。

——1）通富微電（證券代碼：002156）——

2010年：先進封裝工藝開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、關(guān)鍵封測設(shè)備、材料應(yīng)用工程項目驗證

2012年：通訊與多媒體芯片封裝測試設(shè)備與材料應(yīng)用工程

2013年：移動智能終端芯片圓片級及銅線封裝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2014年：以TCB-NCP等技術(shù)為基礎(chǔ)的高密度系統(tǒng)集成封裝量產(chǎn)技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化、國產(chǎn)集成電路封測關(guān)鍵設(shè)備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程

——2）北方華創(chuàng)（證券代碼：002371）——

2010年：65nm超精細清洗設(shè)備研制與產(chǎn)業(yè)化

2011年：45-32nm LPCVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)化

2014年：14nm立體柵等離子體刻蝕機研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2015年：28-14nm原子層沉積系統(tǒng)（ALD）產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2016年：14-7nm CuBS多工藝腔室集成裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

——3）深南電路（證券代碼：002916）——

2010年：三維高密度基板及高性能CPU封裝技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

——4）晶瑞股份（證券代碼：300655）——

2010年：i 線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

——5）長電科技（證券代碼：600584）——

2010年：高端封裝工藝及高容量閃存集成封裝技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化、關(guān)鍵封裝設(shè)備、材料應(yīng)用工程項目

2011年：重布線/嵌入式圓片級封裝技術(shù)及高密度凸點技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

——6）康強電子（證券代碼：002119）——

2010年：先進封裝用鍵合絲的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化、QFN高密度蝕刻引線框架的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

——7）立昂微（證券代碼：605358）——

2010年：8英寸硅片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化及12英寸硅片關(guān)鍵技術(shù)研究

——8）士蘭微（證券代碼：600460）——

2011年：高速低功耗600v 以上多芯片高壓模塊

2012年：面向移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的智能傳感器產(chǎn)品制造與封裝一體化集成技術(shù)

——9）江豐電子（證券代碼：300666）——

2011年：45-28nm配線用超高純系列濺射靶材開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

1、45-28nm配線用Cu合金、Co、Ni、Ta的薄膜性能測試與分析

2、45-28nm配線用超高純Ta、Cu合金、Co、Ni合金靶材

3、45-28nm配線用超高純Cu陽極制備與產(chǎn)業(yè)化

——10）丹邦科技（證券代碼：002618）——

2011年：三維柔性基板及工藝技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

——11）中環(huán)股份（證券代碼：002129）——

2011年：區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制

——12）晶盛機電（證券代碼：300316）——

2011年：8英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制

——13）華天科技（證券代碼：002185）——

2011年：多圈V/UQFN、FCQFN和AAQFN封裝工藝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

2014年：陣列鏡頭智能成像TSV-CIS集成模塊工藝開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

——14）晶方科技（證券代碼：603005）——

2013年：12英寸硅通孔工藝國產(chǎn)集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程

2017年：國產(chǎn)中道工藝高端封測裝備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程

——15）中瑞思創(chuàng)（證券代碼：300078）——

2013年：智能識別傳感器產(chǎn)品集成一體化技術(shù)

——16）蘇州固锝（證券代碼：002079）——

2014年：國產(chǎn)集成電路封測關(guān)鍵設(shè)備與材料量產(chǎn)應(yīng)用工程

——17）中芯國際（證券代碼：688981）——

2016年：20-14納米先導(dǎo)產(chǎn)品工藝

——18）鼎龍股份（證券代碼：300054）——

2016年：“20-14納米先導(dǎo)產(chǎn)品工藝”項目中“20納米平面體硅產(chǎn)品工藝及22納米 FD SOI工藝”課題下設(shè)004子課題“20-14nm技術(shù)代關(guān)鍵材料技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)”的子項目“20-14nm技術(shù)節(jié)點CMP拋光墊產(chǎn)品研發(fā)

——19）南大光電（證券代碼：300346）——

2017年：193nm（ArF）光刻膠材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化高純電子氣體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

——20）萬業(yè)股份（證券代碼：600641）——

2019年：300mm高能離子注入機裝備及工藝研發(fā)項目

——21）滬硅產(chǎn)業(yè)（證券代碼：688126）——

《40-28nm集成電路用300mm硅片技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目》

《20-14nm集成電路用300mm硅片成套技開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目》

《200mmSOI晶圓片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》

《硅基GaN材料及核心器件的研發(fā)項目》

《200mm硅片產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化能力提升》之子課題“200mm外延片產(chǎn)品開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”

《0.13微米SOI通用CMOS與高壓工藝開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》之子課題“SOI材料及高壓器件的研發(fā)與模型建立”

《20-14nm先導(dǎo)產(chǎn)品工藝開發(fā)項目》之子任務(wù)“基于層轉(zhuǎn)移技術(shù)的FinFETSOI材料及工藝開發(fā)”