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發(fā)布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:7324
模擬集成電路設計中,除了電路的設計以及仿真之外,版圖設計也是很重要的內(nèi)容,版圖設計的質(zhì)量直接跟芯片的性能相關(guān),接下來的幾次內(nèi)容會跟大家一起學習版圖設計的內(nèi)容。
版圖前的準備軟件上設計的電路是如何在代工廠加工成有一定功能的芯片呢?電路設計和芯片之間是通過版圖聯(lián)系的,電路設計只是一個形式,而版圖是電路的具體表現(xiàn)。通俗來講,代工廠就是按照設計者提供的版圖制造掩膜版,再通過掩膜版的形狀結(jié)合工藝流程實現(xiàn)芯片制造。
上圖展示的是CMOS工藝實現(xiàn)的反相器截面圖,圖中 和 區(qū)域的分布決定著NMOS和PMOS的區(qū)域,版圖設計就是確定這些區(qū)域如何分布,以及NMOS和PMOS之間的連線是如何實現(xiàn)的。
首先了解一下版圖設計工具,同時通過打開PDK中提供的器件版圖了解一下版圖設計。在軟件Library Manager窗口中找到PDK提供的庫,選擇提供layout View的器件,并打開對應的layout.
查看PDK中提供的器件版圖 NMOS版圖及軟件工作界面介紹 上下滑動可以查看更多內(nèi)容哦! 在版圖界面左側(cè)有一個顯示工藝層的窗口(LSW),這是畫版圖過程中使用率[敏感詞]的窗口,在其中可以設置選擇某一層、顯示哪些層以及哪些層可以被選中等,也可以更換層的顯示形狀及顏色。
結(jié)合上面的版圖示例和本文最初給出的CMOS反相器截面圖來初步認識一下版圖,同時熟悉一下版圖中對某些層的一些常用叫法。
版圖中常用層的叫法和意義
習慣叫法 |
實現(xiàn)功能 |
顯示名稱(smic18mmrf) |
poly |
定義MOS管的柵極或者電阻區(qū)域等 |
GT |
metal |
所有金屬互連 |
M1、M2、M3... |
active area |
定義離子注入?yún)^(qū)域 |
AA |
n plus(p plus) |
定義離子注入類型 |
SN(SP) |
contact |
active area(poly)與M1的過孔 |
CT |
via |
金屬之間的過孔 |
V1、V2、V3... |
上下、左右滑動可以查看更多內(nèi)容哦!
版圖工具使用過程中也有很多快捷鍵來提高工作效率,下面介紹常用的快捷鍵,用戶可以自己嘗試每個快捷鍵的功能。版圖設計中常用快捷鍵
快捷鍵 |
實現(xiàn)功能 |
快捷鍵 |
實現(xiàn)功能 |
p |
創(chuàng)建連線 |
shift+p |
創(chuàng)建多邊形 |
r |
創(chuàng)建矩形 |
shift+r |
改變已有形狀 |
o |
[敏感詞]過孔 |
shift+o |
旋轉(zhuǎn)工具 |
i |
[敏感詞]實例 |
q |
編輯屬性 |
c |
復制圖形 |
shift+c |
裁剪工具 |
m |
移動工具 |
shift+m |
合并圖形 |
l |
創(chuàng)建線名 |
s |
拉伸工具 |
k |
創(chuàng)建標尺 |
shift+k |
清除標尺 |
f |
顯示全部 |
n |
45°走線 |
u |
撤銷操作 |
shift+u |
取消撤銷操作 |
t |
查看層名 |
z |
區(qū)域放大 |
y |
復制區(qū)域 |
shift+y |
粘貼區(qū)域 |
v |
綁定圖形 |
backspace |
撤銷一次操作 |
a |
快速對齊 |
shift+a |
區(qū)域選擇 |
ctrl+z |
放大 |
shift+z |
縮小 |
ctrl+f |
顯示層次 |
shift+f |
鋪平顯示 |
x |
原地編輯 |
shift+x |
進入下一級 |
ctrl+b |
返回上一級 |
ctrl+a |
選中所有 |
ctrl+w |
關(guān)閉視圖 |
shift+w |
下一個視圖 |
tab |
移動視圖 |
delete |
刪除內(nèi)容 |
enter |
完成操作 |
esc |
結(jié)束操作 |
方向鍵 |
移動視角 |
shift+方向鍵 |
移動光標 |
上下、左右滑動可以查看更多內(nèi)容哦!
以上是部分軟件默認狀態(tài)的快捷鍵,熟悉之后用戶可以根據(jù)自己的操作習慣更改快捷鍵??旖萱I的功能可能存在一定的翻譯偏差,希望各位同學在實際操作中慢慢體會,熟練使用快捷鍵可以大大提高版圖效率。 反相器版圖設計新建反相器的版圖View, 在Library Manager界面:File->New->Cell View, 選出自己的工程庫,Cell選擇:inv, Type選擇layout, 打開工具選擇默認即可,確定之后會彈出版圖設計窗口。
下面開始反相器版圖設計,反相器中有兩個器件,分別是NMOS和PMOS,所以首先完成兩個器件,再考慮器件之間的互連。
因為我們是基于PDK的版圖設計,所以可以直接使用PDK提供的器件版圖,免除了自己設計器件版圖的麻煩。
在版圖設計界面使用快捷鍵i, 然后與原理圖設計中調(diào)用器件類似,不過此時選擇器件View為layout,然后填入器件參數(shù),將調(diào)用的器件放在工作區(qū)域,例如調(diào)用一個n33的NMOS.
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