由于反相器版圖設(shè)計簡單，器件數(shù)量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，關(guān)于Layout XL工具的使用大家可以自行試驗。  
  調(diào)入NMOS和PMOS晶體管之后，選中器件，按下快捷鍵q按照原理圖中的尺寸編輯器件屬性，使MOS管的W、L與原理圖中保持一致。     在編輯器件屬性的時候可以根據(jù)器件尺寸調(diào)整器件形態(tài)，比如單個器件W太大時不利于版圖布局，可以調(diào)整器件插指(Fingers)數(shù)量和插指寬度(Finger Width)之間的關(guān)系，只要器件的總寬度(Total Width)與設(shè)計值保持一致就可以。
 
  調(diào)用PDK的器件也可以選擇是否添加柵極接觸孔(Gate Connection)和是否連接源漏(S/D Connection, 只對多插指結(jié)構(gòu)有用)，這些PDK提供的功能可以讓用戶方便地畫版圖。    

調(diào)整好尺寸和布局的器件如圖所示，下面開始實現(xiàn)器件間的連線，在LWS欄中選擇M1, 然后使用快捷鍵p或者r, 完成MOS管之間的連線，把AVDD和AVSS的線分別預(yù)留在上下位置，最后使用快捷鍵l, 為連線節(jié)點命名（使用與metal相對應(yīng)的txt層，比如：M1TXT層）。完成以上步驟之后，版圖看上去應(yīng)該和下圖中的截圖相似。

  以上完成了器件之間的連線，剩下的一項內(nèi)容可能不容易理解，也是很多初學者容易忽視的地方，就是給NMOS和PMOS加上襯底接觸。那么何為襯底接觸呢？
 
  我們都知道MOS是一個四端器件，這個在原理圖中也可以注意到，版圖中的襯底接觸就是MOS的第四端，這一端對于NMOS來說就是整個芯片的襯底（只對標準CMOS工藝來講），對于PMOS就是NWell，所以NMOS的襯底接觸做在p plus上，PMOS的襯底接觸做在NWell上，襯底接觸的實現(xiàn)在反相器的截面圖中也可以清楚地看到。     完成的反相器版圖如上圖左側(cè)所示，器件的襯底接觸也可以直接在器件屬性編輯欄中，選擇：Bodytei Type類型，然后選擇襯底接觸的放置位置，這種襯底接觸由PDK自動實現(xiàn)，用起來很方便。
 
 

完成以上步驟之后，可以在版圖設(shè)計界面選擇：Edit->Advanced->Move Origin, 選擇版圖的坐標原點，這樣在以后需要調(diào)用的時候會更方便。

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