一個碳化硅芯片業(yè)余愛好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻整理，業(yè)界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號屬于個人學(xué)習(xí)筆記，僅為個人業(yè)余興趣愛好，不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請見諒。有人的愛好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展。
題記：做點有趣的事，做個有趣的靈魂。
瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??，發(fā)現(xiàn)感興趣的朋友還真不少。很多交流和問題沒法一一回復(fù)了。那就繼續(xù)瞎聊聊
關(guān)于這幾個溝槽結(jié)構(gòu)專利，其實也沒啥好多聊的，大家都知道，沒辦法，這就是起的早的??有蟲吃，和早些年搶占域名注冊類似，
咱們都來晚了幾年…
這幾個溝槽結(jié)構(gòu)，都是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。有時候看起來有種特別的美，仔細一看，特別對稱。
想象一下把這些結(jié)構(gòu)做個排列組合，在三維立體空間重新組合下…是不是很有趣！
這就是為啥總說那三個結(jié)構(gòu)，“英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋” 是基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
很有趣吧！…
可惜的是，按國際專利法，排列組合不管用啊！
否則Rohm可以輕松在雙溝槽旁邊集成個
肖特基二極管進去，是不是就不用這么辛苦打官司了！
這個官司打起來，看起來是沒個完了。這也從側(cè)面充分證明了，真正有用的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)專利IP是多么稀有！
特別是，現(xiàn)在搞碳化硅器件的越來越多，很多原來做硅
IGBT和CoolMOS的，轉(zhuǎn)過來做個碳化硅二極管和平面MOSFET，基本是分分鐘就出產(chǎn)品。
這種情況下，碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)的IP，彌足珍貴！
我曾經(jīng)一度很想去創(chuàng)業(yè)。特別是在肖特基街道辦學(xué)了幾手之后，認為既然自己差不多能一個人從設(shè)計版圖到工藝集成開發(fā)流片全搞完，是不是可以找點錢??試試了！
等一點點看完各個結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷史和專利權(quán)人，發(fā)現(xiàn)特么SiC的結(jié)構(gòu)發(fā)展，和當年硅
IGBT七代結(jié)構(gòu)和工藝的發(fā)展，還真有不少類似點！
驚訝的是，居然很多結(jié)構(gòu)和工藝IP的源頭，居然在GE那兒！
曾經(jīng)一度以為平面MOS里沒有專利問題，現(xiàn)在卻不太確定了。等把GE和日本團體那些專利都一點點讀完，不知道是啥時候了！
而且，日本是團體作戰(zhàn)，這個對于專利布局來說優(yōu)勢互補。很管用！
例如，我曾經(jīng)覺得相對于英飛凌半包和Rohm雙溝槽，其實在住友的接地雙掩埋IP里添點料加點粉，會是個很好的溝槽結(jié)構(gòu)IP的突破口。還有很多東西可以做做。而且將來不會像Infenion半包和雙溝槽那么顯眼容易被訴訟。
但最近兩年，在Rohm打官司的同時，發(fā)現(xiàn)日本電裝富士羅姆豐田這幾家在怒吼式的申請專利，在原來的幾種結(jié)構(gòu)上瘋狂繡花??，查缺補漏。簡直是想要在溝里再修幾套高樓的樣子。例如接地雙掩埋那個結(jié)構(gòu)，足足就搞了十七八種變體和組合…
今年九月份的時候，聽說三安也想開始開發(fā)碳化硅溝槽MOSFET，苦于溝槽結(jié)構(gòu)專利避不開，最后干脆選擇先照著做一個出來再說。于是直接從北京微電子所招了個博士，開始仿照著做個溝槽結(jié)構(gòu)。
不扯遠了，剛本來想聊GE的。這才是真正的碳化硅IP大佬。只不過碳化硅器件對于GE來說是個小生意，GE興趣不大。連暴利的醫(yī)療裝備GE都懶得搭理了，說不清GE現(xiàn)在究竟啥情況
這兩周GE正在鬧分家。也許分完了以后，GE POWER能慢慢搞點小生意碳化硅器件也說不定。
畢竟，現(xiàn)在要各付各的晚餐費了。
GE應(yīng)該對大功率器件還是挺有興趣的。分家之后，沒準需要剝離重新上市。SiC可是個估值利器！看看最近GE POWER熱情高漲的跑中國發(fā)展宣傳就可見一斑。
如果說GE POWER真的開始獨立出來，謀求單獨上市，那么功率芯片和SiC Power器件應(yīng)該是個重新出發(fā)的好港口。
這個時機對GE POWER來說剛好。
正好碳化硅無比火熱，正好各玩家都特別有錢。
也許，GE POWER 就可以像高通那樣，開始收割點韭菜，變成個POWER的IP提供商。
對于一個上百年的企業(yè)來說，
分家的故事才剛剛開始，以后的精彩紛呈，誰知道呢！
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