1 晶體?極管的分類

1.2 根據(jù)?途分類
檢波??極管
就原理??，從輸?信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的??。?00mA）作為界線通常把輸出電流?于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、?作頻率可達400MHz，正向壓降?，結電容?，檢波效率?，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波?的?極管，除?于檢波外，還能夠?于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專?的特性?致性好的兩只?極管組合件。

整流??極管
就原理??，從輸?交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的??（100mA）作為界線通常把輸出電流?于100mA的叫整流。?結型，?作頻率?于KHz，最?反向電壓從25伏?3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導體整流?極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③?于電視機?壓硅堆?作頻率近100KHz的2CLG型。

限幅??極管
?多數(shù)?極管能作為限幅使?。也有象保護儀表?和?頻?納管那樣的專?限幅?極管。為了使這些?極管具有特別強的限制尖銳振幅的作?，通常使?硅材料制造的?極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若?個必要的整流?極管串聯(lián)起來形成?個整體。

調制??極管
通常指的是環(huán)形調制專?的?極管。就是正向特性?致性好的四個?極管的組合件。即使其它變容?極管也有調制?途，但它們通常是直接作為調頻?。

混頻??極管
使??極管混頻?式時，在500～10,000Hz的頻率范圍內，多采?肖特基型和點接觸型?極管。

放???極管
??極管放?，?致有依靠隧道?極管和體效應?極管那樣的負阻性器件的放?，以及?變容?極管的參量放?。因此，放???極管通常是指隧道?極管、體效應?極管和變容?極管。

開關??極管
有在?電流下（10mA程度）使?的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使?的磁芯激勵?開關?極管。?電流的開關?極管通常有點接觸型和鍵型等?極管，也有在?溫下還可能?作的硅擴散型、臺?型和平?型?極管。開關?極管的特?是開關速度快。?肖特基型?極管的開關時間特短，因?是理想的開關?極管。2AK型點接觸為中速開關電路?；2CK型平?接觸為?速開
關電路?；?于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅?電流開關，正向壓降?，速度快、效率?。

變容?極管
?于?動頻率控制（AFC）和調諧?的?功率?極管稱變容?極管。?本?商??也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發(fā)?變化。因此，被使?于?動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等?途。通常，雖然是采?硅的擴散型?極管，但是也可采?合?擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的?極管，因為這些?極管對于電壓??，其靜電容量的變化率特別?。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，?作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常?于電視機?頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。

頻率倍增??極管
對?極管的頻率倍增作???，有依靠變容?極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）?極管的頻率倍增。頻率倍增?的變容?極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和?動頻率控制?的變容?極管的?作原理相同，但電抗器的構造卻能承受?功率。階躍?極管?被稱為階躍恢復?極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特?是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍?極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產?很多?頻諧波。

穩(wěn)壓?極管
是代替穩(wěn)壓電??極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合?型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的?極管。作為控制電壓和標準電壓使??制作的。?極管?作時的端電壓（?稱?納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率??，也有從200mW?100W以上的產品。?作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很?，?般為2CW型；將兩個互補?極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。

PIN型?極管（PIN Diode）
這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾?層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體?極管。PIN中的I是“本征”意義的英?略語。當其?作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流?的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其?極管失去整流作??變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓?改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很?；在直流正向偏置時，由于載流?注?“本征”區(qū)，?使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN?極管作為可變阻抗元件使?。

PIN型二極管是一種特殊類型的二極管，其名稱來自于其構造：正向偏置的P區(qū)、非摻雜的Intrinsic（內稟）區(qū)和負向偏置的N區(qū)。PIN型二極管通常用于微波和射頻應用中，以及光電探測器和光通信系統(tǒng)中的光敏元件。

PIN型二極管相比于普通的PN結二極管具有更大的內稟區(qū)，這使得它在反向偏置時具有更高的電阻。這個內稟區(qū)的增加使得PIN型二極管能夠處理更高的功率、更高的頻率，以及更大的反向電壓。

主要特點和應用包括：

1. 低頻率和高頻率的應用：PIN型二極管在低頻率和高頻率應用中都有廣泛的應用。在低頻率應用中，它們可以用作變阻器或電流控制器；而在高頻率應用中，它們可以用作開關、調制器、混頻器等。

2. 微波和射頻應用：由于PIN型二極管的高速特性和較低的損耗，它們經(jīng)常用于微波和射頻應用中，例如射頻開關、調制器、限幅器等。

3. 光電探測器：在光電探測器中，PIN型二極管用于轉換光信號為電信號，因為它們對光的敏感度較高。

4. 光通信系統(tǒng)：在光通信系統(tǒng)中，PIN型二極管也用作光電探測器，用于接收光信號并轉換為電信號。

雪崩?極管(Avalanche Diode)

雪崩二極管（Avalanche Diode）是一種特殊類型的二極管，它利用了雪崩擊穿效應來實現(xiàn)其功能。在正向電壓下，雪崩二極管的電流-電壓特性類似于普通的二極管，但在反向電壓下，其特性則表現(xiàn)出了與普通二極管截然不同的特點。

當反向電壓施加在雪崩二極管上時，如果電壓足夠高，電子會在 PN 結的空穴區(qū)域中獲得足夠的能量以使它們被加速到高能級，當這些高能電子碰撞到晶格原子時，會釋放出額外的電子空穴對。這些額外的電子空穴對可以繼續(xù)獲得能量并碰撞更多的原子，形成一種類似于雪崩效應的現(xiàn)象，因此得名雪崩二極管。

雪崩二極管的主要特點包括：

1. 反向擊穿電壓（Breakdown Voltage）: 在雪崩效應發(fā)生之前，雪崩二極管可以承受很高的反向電壓。當達到一定的反向電壓時，雪崩效應開始，此時二極管處于擊穿狀態(tài)。這個電壓稱為反向擊穿電壓或雪崩電壓。

2. 高反向電流能力: 雪崩二極管在擊穿狀態(tài)下可以通過大量的反向電流，因此可用于電壓穩(wěn)定器和過壓保護器件。

3. 穩(wěn)定性: 雪崩二極管在擊穿狀態(tài)下的電壓幾乎保持不變，這使得它們在一定范圍內可以提供穩(wěn)定的電壓輸出。

4. 溫度特性: 雪崩二極管的擊穿電壓隨溫度變化的影響相對較小，因此它們具有較好的溫度穩(wěn)定性。

雪崩二極管在許多應用中都非常有用，特別是在需要穩(wěn)定反向電壓的場合，例如電壓參考、穩(wěn)壓器、過壓保護等方面。

江崎?極管 （Tunnel Diode）
江崎二極管，也稱為隧道二極管（Tunnel Diode），是一種特殊的半導體二極管，它利用了量子力學的隧穿效應作為其主要的工作原理。江崎二極管最早由日本物理學家江崎玄開發(fā)。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體?極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是?摻雜的（即?濃度雜質的）。

隧道二極管的主要特點是在其特定的工作區(qū)域內，其電流-電壓特性呈現(xiàn)出負阻特性，也就是說，當電壓增加時，電流反而減小。這種負阻特性使得隧道二極管在一些特殊的電路應用中非常有用。

江崎二極管的工作原理基于量子力學中的隧穿效應。當兩個半導體材料之間的能帶出現(xiàn)重疊時，電子可以通過能量足夠的量子跳躍到另一側，而無需克服能壘。這種現(xiàn)象被稱為隧穿效應。在江崎二極管中，當反向電壓施加到一個特定的程度時，就會發(fā)生隧穿效應，導致電子可以從價帶通過隧道跳躍到導帶，導致電流的劇烈增加。

江崎二極管的應用主要包括高頻電路、微波電路、振蕩器、開關和邏輯門等領域。雖然江崎二極管在數(shù)字電路中的應用已經(jīng)被后來的器件所取代，但在某些特定的模擬電路和微波電路中，它仍然具有一定的應用價值。

快速關斷（階躍恢復）?極管(Step Recovary Diode)
它也是?種具有PN結的?極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區(qū)，從?形成“?助電場”。由于PN結在正向偏壓下，以少數(shù)載流?導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經(jīng)歷?個“存貯時間”后才能降?最?值（反向飽和電流
值）。階躍恢復?極管的“?助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截?，并產?豐富的諧波分量。利?這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)?電路?？焖訇P斷（階躍恢復）?極管?于脈沖和?次諧波電路中。

阻尼?極管
具有較?的反向?作電壓和峰值電流，正向壓降?，?頻?壓整流?極管，?在電視機?掃描電路作阻尼和升壓整流?。

阻尼二極管是一種常見的二極管，通常用于電感元件（例如電感線圈）的保護電路中。其作用是在電感元件電流截斷時提供一條低阻抗的路徑，以防止電感元件中產生的高電壓脈沖損壞其他元件。

在電感元件中，當電流截斷時，電感元件會產生一個反向電壓脈沖，其幅值可以很高，這是由于電感元件的自感作用導致的。這種高電壓脈沖可能會損壞其他電路元件。阻尼二極管的作用就是通過提供一個低阻抗的路徑，使得這些電壓脈沖能夠得到有效地消耗，從而保護其他元件。

阻尼二極管通常被連接在電感元件的并聯(lián)路徑上，在電感元件的兩端之間。在正常工作情況下，阻尼二極管是反向偏置的，因此不導通。但是當電感元件中斷電流時，阻尼二極管就會導通，提供一個路徑來消耗電感元件中產生的能量，并保護其他電路元件不受損壞。

阻尼二極管通常被選擇為快速恢復二極管或肖特基二極管，這是因為它們具有較快的反向恢復時間，可以更有效地消耗電感元件中的能量，從而提供更好的保護效果。

瞬變電壓抑制?極管

瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS Diode）是一種用于保護電路免受瞬態(tài)或過電壓損壞的特殊類型的二極管。它通常用于電路中，以限制過電壓或瞬態(tài)電壓在電路中的傳播，并將其消耗掉，從而保護其他敏感元件不受損壞。

瞬態(tài)電壓抑制二極管的工作原理是當電壓超過其額定工作電壓時，它將迅速導通并提供一個低阻抗路徑，將過電壓或瞬態(tài)電壓釋放到地或其他安全位置，從而將其限制在一個安全水平以下。

主要特點包括：

1. 快速響應時間：瞬態(tài)電壓抑制二極管能夠迅速導通，響應時間非常快，從而有效地保護其他元件免受損壞。

2. 低動態(tài)電阻：在導通狀態(tài)下，瞬態(tài)電壓抑制二極管具有相對較低的動態(tài)電阻，能夠有效地消耗過電壓或瞬態(tài)電壓。

3. 高能量吸收能力：它能夠吸收大量的能量，因此在保護電路免受大功率瞬態(tài)電壓沖擊時非常有效。

4. 可重復使用：一旦瞬態(tài)電壓消失，二極管將恢復到其非導通狀態(tài)，可以重復使用。

瞬態(tài)電壓抑制二極管在許多電子設備和電路中廣泛應用，尤其是在需要保護敏感元件（例如集成電路、傳感器、通信設備等）免受雷擊、電壓浪涌或其他瞬態(tài)電壓事件損壞的情況下。

雙基極?極管（單結晶體管）
兩個基極，?個發(fā)射極的三端負阻器件，?于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

雙基極二極管的制作過程：在一塊高電阻率的N型半導體基片的兩端各引出一個鋁電極，如圖c所示，分別稱為[敏感詞]基極B1和第二基極B2，然后在N型半導體基片一側埋入P型半導體，在兩種半導體的結合部位就形成了一個PN結，再在P型半導體端引出一個電極，稱為發(fā)射極E。

雙基極二極管的等效電路如圖d所示。雙基極二極管B1、B2極之間為高電阻率的N型半導體，故兩極之間的電阻RBB較大（約4—12千歐），以PN結為中心，將N型半導體分為兩部分，PN結與B1極之間的電阻用RB1表示，PN結與B2極之間的電阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E極與N型半導體之間的PN結可等效為一個二極管，用VD表示。

發(fā)光?極管
?磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積?，正向驅動發(fā)光。?作電壓低，?作電流?，發(fā)光均勻、壽命?、可發(fā)紅、?、綠單?光。

發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種半導體器件，具有將電能直接轉換為光能的能力。它是由一種固體半導體材料構成的，當電流通過時，會發(fā)出可見光。

LED的工作原理是基于半導體的電子結構。LED通常由n型和p型半導體材料組成，它們之間的結構被稱為p-n結。當正向電壓施加到LED上時，電子從n型區(qū)域流向p型區(qū)域，同時空穴從p型區(qū)域流向n型區(qū)域。在p-n結附近，電子和空穴會結合并釋放出能量，這些能量以光子的形式釋放出來，產生可見光。LED的發(fā)光顏色取決于半導體材料的組成。

LED具有許多優(yōu)點，包括：

1. 高效率：LED能夠將大部分電能轉換為光能，相對于傳統(tǒng)的光源（如白熾燈泡），LED具有更高的能量利用率。

2. 長壽命：LED具有較長的使用壽命，通?？沙掷m(xù)數(shù)萬小時，甚至數(shù)十萬小時，遠遠超過傳統(tǒng)的光源。

3. 快速啟動：LED能夠立即達到全功率，不需要預熱時間。

4. 節(jié)能：LED的能耗較低，因此可節(jié)省能源成本。

5. 小型化：LED非常小巧，可以制造成各種形狀和尺寸，非常適合用于各種應用場合。

由于這些優(yōu)點，LED被廣泛應用于照明、顯示、指示燈、背光源、汽車燈、電子設備等領域。隨著技術的不斷進步，LED的性能不斷提高，價格不斷下降，預計LED將在更多的領域取代傳統(tǒng)光源。