二極管是一種常見的半導體器件，根據(jù)所用的半導體材料不同，可以分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同的用途，二極管又可以分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管等不同類型。此外，根據(jù)管芯結構的不同，二極管還可以分為點接觸型二極管、面接觸型二極管以及平面型二極管。
點接觸型?極管是??根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶?表?，通以脈沖電流，使觸絲?端與晶?牢固地燒結在?起，形成?個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過較?的電流（不超過??毫安），適?于?頻?電流電路，如收?機的檢波等。面接觸型?極管的“PN結”?積較?，允許通過較?的電流（?安到??安），主要?于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平?型?極管是?種特制的硅?極管，它不僅能通過較?的電流，?且性能穩(wěn)定可靠，多?于開關、脈沖及?頻電路中。

1 晶體?極管的分類
1.1 根據(jù)構造分類
半導體?極管主要是依靠PN結??作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列??般的?極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據(jù)PN結構造?的特點，把晶體?極管分類如下：

點接觸型?極管

是一種最早期的半導體器件之一，也被稱為晶體管的前身。它是由德國物理學家卡爾·費迪南德·布勞恩（Karl Ferdinand Braun）于1874年首次發(fā)現(xiàn)。點接觸二極管由兩個不同材料的半導體片組成，其中一個是n型（電子摻雜）半導體片，另一個是p型（空穴摻雜）半導體片，它們通過一個極小的點接觸而連接。

點接觸二極管在工作時，通過在p-n接觸處施加正向電壓，使得電流從p型區(qū)域注入到n型區(qū)域。當施加正向偏壓時，電子從n型區(qū)域注入p型區(qū)域，而空穴則從p型區(qū)域注入n型區(qū)域。因此，電流可以在p-n結的兩側流動，形成電流的導通。

然而，點接觸二極管存在一些缺點，如溫度敏感性高、制造成本高、不穩(wěn)定等。后來，晶體管（特別是晶體管的結構改進）逐漸取代了點接觸二極管。晶體管具有更高的穩(wěn)定性、可靠性和性能，成為了現(xiàn)代電子器件的基礎。點接觸二極管的重要性在技術發(fā)展中已經大幅減少，但它作為半導體器件的開創(chuàng)者仍然具有歷史意義。

點接觸型?極管是在鍺或硅材料的單晶?上壓觸?根?屬針后，再通過電流法?形成的。因此，其PN結的靜電容量?，適?于?頻電路。但是，與?結型相?較，點接觸型?極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使?于?電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于?信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等?般?途??，它是應?范圍較?的類型。

面接觸型二極管（Surface Barrier Diode）是一種高頻用途的特殊類型的二極管。面接觸型二極管的主要特點是其具有較快的反向恢復時間和較低的電容。這使得它們在高頻應用中非常有用，例如射頻放大器、混頻器、檢波器等。

面接觸型二極管通常由金屬與半導體材料之間的面接觸構成。金屬層與半導體材料直接接觸，因此電子在兩者之間移動的距離更短，反向恢復時間更快。此外，面接觸型二極管的結構設計使得其電容較低，進一步提高了其在高頻應用中的性能。

總的來說，面接觸型二極管在高頻電路中的應用非常廣泛，特別是在需要快速開關和低電容的場合。它們提供了一種有效的方式來處理高頻信號，使得其在無線通信、雷達系統(tǒng)、廣播等領域中發(fā)揮著重要作用。

平?型?極管
在半導體單晶?（主要地是N型硅單晶?）上，擴散P型雜質，利?硅?表?氧化膜的屏蔽作?，在N型硅單晶?上僅選擇性地擴散?部分?形成的PN結。因此，不需要為調整PN結?積的藥品腐蝕作?。由于半導體表?被制作得平整，故?得名。并且，PN結合的表?，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命?的類型。最初，對于被使?的半導體材料是采?外延法形成的，故?把平?型稱為外延平?型。對平?型?極管??，似乎使?于?電流整流?的型號很少，?作?電流開關?的型號則很多。

鍵型?極管
鍵型?極管是在鍺或硅的單晶?上熔接或銀的細絲?形成的。其特性介于點接觸型?極管和合金型?極管之間。與點接觸型相?較，雖然鍵型?極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關?，有時也被應?于檢波和電源整流（不?于50mA）。在鍵型?極管中，熔接?絲的?極管有時被稱?鍵型，熔接銀絲的?極管有時被稱為銀鍵型。

其內部結構由金屬與半導體之間的金屬-半導體接觸（Schottky接觸）組成。

內部結構的主要組成部分包括：

1. 金屬層（陽極）：鍵型二極管的一個端口通常是金屬層，也稱為陽極。這個金屬層可以是鉑、鉬、鉻、鋁等金屬。

2. 半導體層（陰極）：另一個端口是半導體層，也稱為陰極。這個半導體層通常是n型或p型的硅（Silicon）或碳化硅（Silicon Carbide）等半導體材料。

3. Schottky接觸界面：金屬層和半導體層之間形成了一個金屬-半導體接觸，稱為Schottky接觸。這個接觸是非晶態(tài)或非均勻的，不像PN結二極管那樣有明確定義的P型和N型區(qū)域。

4. 表面特征：鍵型二極管的金屬-半導體接觸通常具有一些表面特征，如微觀凹陷或起伏，這些特征可以增加接觸區(qū)域的有效表面積，從而降低接觸電阻。

鍵型二極管由于其金屬-半導體接觸的特殊性質，具有許多優(yōu)點，包括快速開關速度、低正向電壓降、高溫特性良好等。它們在高頻電路、功率電子器件、混頻器、檢波器等領域中有著廣泛的應用。

合?型?極管
在N型鍺或硅的單晶?上，通過合?銦、鋁等?屬的?法制作PN結?形成的。正向電壓降?，適于?電流整流。因其PN結反向時靜電容量?，所以不適于?頻檢波和?頻整流。

擴散型?極管
在?溫的P型雜質?體中，加熱N型鍺或硅的單晶?，使單晶?表?的?部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降?，適?于?電流整流。最近，使??電流整流器的主流已由硅合?型轉移到硅擴散型。

臺?型?極管
PN結的制作?法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分?藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺?形，因?得名。初期?產的臺?型，是對半導體材料使?擴散法?制成的。因此，?把這種臺?型稱為擴散臺?型。對于這?類型來說，似乎?電流整流?的產品型號很少，??電流開關?的產品型號卻很多。

合?擴散型?極管
它是合?型的?種。合?材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合??起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當?shù)臐舛确植?。此法適?于制造?靈敏度的變容?極管。

外延型?極管
?外延??的過程制造PN結?形成的?極管。制造時需要?常?超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造?靈敏度的變容?極管。

肖特基?極管
基本原理是：在?屬（例如鉛）和半導體（N型硅?）的接觸?上，?已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作?原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特?是：開關速度??？欤悍聪蚧謴蜁r間trr特別地短。因此，能制作開關?極和低壓?電流整流?極管。

"肖特基"通常指的是德國物理學家沃爾特·肖特基（Walter H. Schottky）。他生于1886年，于1976年去世。肖特基在電子學和半導體物理學領域做出了重要貢獻，尤其是在半導體器件方面。他最[敏感詞]的貢獻之一是肖特基二極管，這是一種利用金屬-半導體接觸的二極管。這種二極管具有低噪聲、高速度和高穩(wěn)定性等特性，在無線電、微波和其他電子領域中得到廣泛應用。

除了肖特基二極管，肖特基還對真空管、晶體管以及其他電子器件的理論和設計做出了重要貢獻。他的工作對于現(xiàn)代電子技術的發(fā)展具有深遠影響，并使他成為20世紀最重要的電子學家之一。

肖特基二極管（Schottky diode）是一種特殊類型的二極管，其工作原理基于肖特基效應。這種效應是指當金屬與半導體接觸時，在金屬和半導體之間會形成一個能量勢壘，這個勢壘相比于PN結二極管的PN結形成的勢壘更低。肖特基二極管的工作原理主要包括以下幾個方面：

1. 電荷注入和排斥：當金屬與半導體接觸時，金屬中的自由電子會向半導體區(qū)域注入，并與半導體中的自由載流子（通常是電子）進行復合。這會在接觸界面形成一個具有電子虧缺的區(qū)域（稱為空間電荷區(qū)），形成了勢壘。這個過程是一個熱激發(fā)的過程，不需要外加電壓。

2. 勢壘的高導電性：由于肖特基二極管的勢壘較低，所以電子能夠相對容易地通過勢壘，這導致了肖特基二極管具有非?？斓拈_關特性和低的正向電壓降。

3. 快速開關特性：肖特基二極管的快速開關特性使得它在高頻應用中特別有用，比如射頻（RF）應用或高速開關電源。

4. 低反向漏電流：與普通PN結二極管相比，肖特基二極管在反向偏置時有更低的漏電流，這是由于它的勢壘高度較低所致。

總的來說，肖特基二極管的工作原理是基于金屬與半導體之間形成的勢壘以及勢壘的導電特性。