Yole在報(bào)告《2021氮化鎵射頻市場(chǎng)：應(yīng)用、主要廠商、技術(shù)和襯底》中預(yù)測(cè)，氮化鎵（GaN）射頻器件市場(chǎng)正以18%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，從2020年的8.91億美元到2026年的24億美元以上。
  該市場(chǎng)將由5G電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用主導(dǎo)，到2026年分別占整個(gè)市場(chǎng)的49%和41%。特別是，基于氮化鎵的宏/微蜂窩領(lǐng)域?qū)⒃?026年占氮化鎵電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的95%以上。     相對(duì)于[敏感詞]代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高，其具有臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。   氮化鎵(GalliumNitride；GaN)是[敏感詞]代表性的第三代半導(dǎo)體材料，成為高溫、高頻、大功率微波器件的[敏感詞]材料之一，是迄今為止理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率[敏感詞]的材料體系。   氮化鎵優(yōu)異特性：

目前GaN器件有三分之二應(yīng)用于[敏感詞]電子，如[敏感詞]通訊、電子、干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域；在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。

未來(lái)五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車(chē)、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。

       

射頻氮化鎵技術(shù)

是5G的絕配

氮化鎵的帶隙為3.4eV，而現(xiàn)今最常用的半導(dǎo)體材料硅的帶隙為1.12eV，因此氮化鎵在高功率和高速元件中具有比硅元件更好的性能。
  氮化鎵向來(lái)以較高的功率處理能力而著稱(chēng)，是基地臺(tái)、雷達(dá)和航空電子等無(wú)線通訊設(shè)備的[敏感詞]放大器，在4G通訊系統(tǒng)中也已經(jīng)使用多年。在5G行動(dòng)通訊系統(tǒng)中，基地臺(tái)和手機(jī)終端的資料傳輸速率比4G更快，調(diào)變技術(shù)的頻譜利用率更高，這對(duì)射頻前端元件和模塊提出了更高的要求。    另外，氮化鎵對(duì)電磁輻射的敏感性較低，氮化鎵元件在輻射環(huán)境中顯示出很高的穩(wěn)定性。相比砷化鎵(GaAs)晶體管，氮化鎵晶體管可以在高得多的溫度和電壓下工作，因此是理想的微波頻率功率放大元件。   作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵的研究和應(yīng)用已經(jīng)有20多年的歷史，但直到最近幾年才開(kāi)始凸顯其商業(yè)化的發(fā)展前景，5G無(wú)疑是背后的主要驅(qū)動(dòng)力之一。5G通訊的射頻前端有著高頻和高效率的嚴(yán)格要求，這正是氮化鎵的用武之地。另外，汽車(chē)電動(dòng)化和便攜式電子產(chǎn)品快速而高效的充電需求也將驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率元件走向大眾市場(chǎng)，逐漸替代傳統(tǒng)的硅功率元件。

▲不同材料體系射頻功率晶體管對(duì)比圖

▲GaNHEMT器件結(jié)構(gòu)    ▌輸出功率高，附加效率高  

GaN材料體系易于形成如AlGaN/GaN等異質(zhì)結(jié)材料系統(tǒng)，在異質(zhì)結(jié)界面上存在極強(qiáng)的自發(fā)極化與壓電極化效應(yīng)，誘導(dǎo)產(chǎn)生的二維電子氣濃度很高，且具有高達(dá)2000cm2/V·s的電子遷移率，因此基于GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的晶體管又被稱(chēng)為高電子遷移率晶體管，即GaNHEMT(HighElectronMobilityTransistor)。同時(shí)GaN材料的擊穿場(chǎng)強(qiáng)高，比Si和GaAs高出數(shù)倍；GaNHEMT器件所采用的SiC半絕緣襯底熱導(dǎo)率優(yōu)于金屬銅，其良好的散熱特性有利于高功率工作；GaNHEMT還具有低寄生電容及高擊穿電壓的特性，非常適合實(shí)現(xiàn)高效率功效放大器(PA，PowerAmplifier)。

▌長(zhǎng)脈寬，高占空比  

GaNHEMT通常外延生長(zhǎng)于寬禁帶材料SiC半絕緣襯底上，適當(dāng)控制GaNHEMT的功率密度可輕松實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)脈寬，高占空比，在大功率連續(xù)波工作均可實(shí)現(xiàn)。

▌工作頻帶寬，頻率高  

GaNHEMT的截止頻率直接決定了其應(yīng)用的工作頻率和瞬時(shí)帶寬，它隨溝道的摻雜濃度增加而上升，隨溝道的厚度和柵長(zhǎng)的增加而下降。由于Si半導(dǎo)體材料禁帶能量的限制，其截止頻率較低，因此Si半導(dǎo)體功率器件的工作頻率只能在S波段以下工作。GaAs器件具有比其它器件好很多的載流子遷移率，截止頻率很高，但受擊穿場(chǎng)強(qiáng)的限制，工作電壓低，導(dǎo)致器件輸出功率小，GaNHEMT具有寬的禁帶能量、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高飽和電子漂移速度的特性，補(bǔ)償了這一不足而獲得好的高頻性能，GaNHEMT可以工作在更高頻率，同時(shí)能有高輸出功率。另外，GaNHEMT的固有特性使得其輸入輸出阻抗較高，電路的寬帶阻抗匹配更加容易實(shí)現(xiàn)，使得GaNHEMT適合寬帶應(yīng)用。

  ▲不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間    ▌抗輻照能力強(qiáng)，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)  

GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是[敏感詞]的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN器件比Si和GaAs有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。

參數(shù)	Si	GaAs	GaN
禁帶寬度（eV）	1.1	1.4	3.4
介電常數(shù)	11.8	12.8	9.0
擊穿場(chǎng)強(qiáng)（106V/cm）	0.6	0.7	3.5
熱傳導(dǎo)率（W/cm.K）	1.3	0.5	1.3
電子遷移率（cm2/V.s）	1450	8500	900
飽和電子速率（107cm/s）	1.0	2.0	2.7

▲主要半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵性質(zhì)

GaN射頻器件

在各類(lèi)應(yīng)用中的性能優(yōu)勢(shì)

移動(dòng)通信基站是GaN射頻器件的主要應(yīng)用之一。相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段遷移。目前我國(guó)4G網(wǎng)絡(luò)通信頻段以2.6GHz為主，2017年工信部發(fā)布了5G系統(tǒng)在3-5GHz頻段（中頻段）內(nèi)的頻率使用規(guī)劃，后期會(huì)逐步增補(bǔ)6GHz以上的高頻段作為容量覆蓋。

相較SiLDMOS和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿(mǎn)足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。盡管SiLDMOS可以輸出大功率，但在頻率方面，其僅在不超過(guò)3.5GHz頻譜范圍內(nèi)有效，而GaAs功率放大器雖然頻率可以做大，但在輸出功率方面又顯著遜色于GaN器件，因此，在滿(mǎn)足高功率、高頻率、大帶寬的5G通信方面，GaN功率放大器是基站端的[敏感詞]選擇。

▌[敏感詞]應(yīng)用——氮化鎵在雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)中的優(yōu)勢(shì)  

射頻氮化鎵器件現(xiàn)在[敏感詞]的市場(chǎng)是[敏感詞]與航天領(lǐng)域。大約十五年前，在美國(guó)的資助下，研究人員開(kāi)始投入到射頻氮化鎵技術(shù)的研究，這才催生了現(xiàn)在的射頻氮化鎵器件市場(chǎng)。

根據(jù)StrategyAnalytics的統(tǒng)計(jì)，航天應(yīng)用占了射頻氮化鎵總市場(chǎng)規(guī)模的40%，雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)是射頻氮化鎵的[敏感詞]應(yīng)用市場(chǎng)。

2017年3月，雷神公司宣布其愛(ài)國(guó)者導(dǎo)彈防御系統(tǒng)采用了[敏感詞]的基于氮化鎵技術(shù)的天線系統(tǒng)。愛(ài)國(guó)者導(dǎo)彈防御系統(tǒng)是一種陸基導(dǎo)彈防御系統(tǒng)，可攔截彈道導(dǎo)彈、無(wú)人機(jī)和飛機(jī)。

  ▲愛(ài)國(guó)者導(dǎo)彈

舊愛(ài)國(guó)者系統(tǒng)采用的雷達(dá)技術(shù)被稱(chēng)為被動(dòng)電子掃描陣列，新雷達(dá)系統(tǒng)改為主動(dòng)電子掃描陣列（AESA），主動(dòng)電子掃描陣列將提供給愛(ài)國(guó)者系統(tǒng)360度的雷達(dá)能力。

“雷神相信，升級(jí)到基于氮化鎵技術(shù)的主動(dòng)電子掃描陣列雷達(dá)，可以使愛(ài)國(guó)者系統(tǒng)保持對(duì)新型進(jìn)攻[敏感詞]優(yōu)勢(shì)?！崩咨窨罩泻蛯?dǎo)彈綜合防御業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁TimGlaeser說(shuō)道。

主動(dòng)電子掃描陣列雷達(dá)是基于相控陣技術(shù)，相控陣設(shè)備包含一組可以單獨(dú)控制的天線，利用波束成形技術(shù)，可以讓這組天線轉(zhuǎn)向不同的方向。

值得注意的是，這些技術(shù)正在從軍用轉(zhuǎn)向商用。例如，主動(dòng)電子掃描陣列和相控陣技術(shù)已經(jīng)被用于60GHz毫米波Wi-Fi技術(shù)、汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)和無(wú)線基站等。此外，5G中將廣泛采用相控陣技術(shù)。

同時(shí)，氮化鎵工藝制造的功率放大器也已經(jīng)用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信的[敏感詞]持式無(wú)線電中。

▌商業(yè)應(yīng)用——氮化鎵在電源管理的性能優(yōu)勢(shì)  

氮化鎵是一種寬能隙(WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料相比，它能夠讓功率元件在更高的電壓、頻率和溫度下運(yùn)作。在電源管理應(yīng)用上，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)包括：

• 傳導(dǎo)損耗小，能效高。氮化鎵晶體管的導(dǎo)通電阻(Rds,on)是傳統(tǒng)硅元件的一半，在相同輸出電流下?lián)p耗更小，能效更高。低損耗同時(shí)意味著低發(fā)熱，從而可以有效地簡(jiǎn)化散熱元件和熱管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)；

• 氮化鎵晶體管內(nèi)不含體二極管，沒(méi)有反向恢復(fù)損耗；

• 氮化鎵晶體管的輸入電荷非常小，幾乎沒(méi)有閘極驅(qū)動(dòng)損耗；

• 氮化鎵功率元件可以支援更高的開(kāi)關(guān)頻率(氮化鎵：1MHz，硅：<100KHz)，從而減小被動(dòng)元件的體積；

• 氮化鎵元件的功率密度很大，能夠達(dá)到硅基LDMOS的四倍以上，在減小體積的同時(shí)可以增加輸出功率。

  
  

     

英飛凌(Infineon)大中華區(qū)電源管理及多元電子事業(yè)處資深營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理陳清源對(duì)同為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵和SiC的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了對(duì)比，二者都具有快速開(kāi)關(guān)性能，有助于提高效率，但是氮化鎵比硅的損耗低。

在應(yīng)用場(chǎng)景下進(jìn)一步對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)，在高功率和更高壓應(yīng)用場(chǎng)景下，SiC體現(xiàn)出很好的成熟度和性?xún)r(jià)比；而在100V~600V的低中壓應(yīng)用中，氮化鎵就能夠發(fā)揮出更高的性?xún)r(jià)比。就結(jié)構(gòu)來(lái)看，氮化鎵是橫向結(jié)構(gòu)(比如JFET)，很難達(dá)到SiCMOSFET(垂直結(jié)構(gòu))的高電壓能力。

氮化鎵對(duì)于本征是常關(guān)的開(kāi)關(guān)更具吸引力，它代表著迄今所用的全部硅晶體管的后續(xù)技術(shù)。此外，從整體系統(tǒng)的角度考慮，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)在于能夠使拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加緊湊。

英飛凌研發(fā)的CoolGaN系列產(chǎn)品是一種氮化鎵增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)，非常適合高壓下執(zhí)行更高頻率的開(kāi)關(guān)，可以做到設(shè)計(jì)輕薄、功率密度進(jìn)一步提高，從而使轉(zhuǎn)換效率有更大的提升，降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。

安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)YongAng進(jìn)一步解釋?zhuān)壴啾裙柙募纳娙莸停蚨梢越档烷T(mén)極電荷Qg相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗，使開(kāi)關(guān)頻率提高到幾百kHz至MHz范圍，而不降低能效。

與硅功率元件不同，氮化鎵因?yàn)闆](méi)有體二極管，在鋁鎵氮(AlGaN)/氮化鎵邊界表面的二維電子氣(2DEG)可以反向傳導(dǎo)電流，但沒(méi)有反向恢復(fù)電荷QRR，非常適合硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

由于氮化鎵對(duì)過(guò)電壓的敏感性和相對(duì)于硅非常有限的雪崩能力，特別適合半橋拓?fù)洌渲新┰措妷恒Q位元到軌道電壓。氮化鎵在諧振LLC、主動(dòng)鉗位反馳，以及硬開(kāi)關(guān)圖騰柱PFC等零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有很大的吸引力。

  ▲不同應(yīng)用領(lǐng)域主流射頻器件技術(shù)路線演進(jìn)

全球 GaN射頻器件

產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局

目前，射頻器件的主要市場(chǎng)如下：手機(jī)和通訊模塊市場(chǎng)，約占80%；WIFI路由器市場(chǎng)，約占9%；通訊基站市場(chǎng)，約占9%；NB-IoT市場(chǎng)，約占2%。

▌境外 GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展  

GaN 微波射頻器件產(chǎn)品推出速度明顯加快。目前微波射頻領(lǐng)域雖然備受關(guān)注，但是由于技術(shù)水平較高，專(zhuān)利壁壘過(guò)大，因此這個(gè)領(lǐng)域的公司相比較電力電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域并不算很多，但多數(shù)都具有較強(qiáng)的科研實(shí)力和市場(chǎng)運(yùn)作能力。GaN 微波射頻器件的商業(yè)化供應(yīng)發(fā)展迅速。

Qorvo 產(chǎn)品工作頻率范圍[敏感詞]，Skyworks 產(chǎn)品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM 73%的產(chǎn)品輸出功率集中在 10W～100W 之間，[敏感詞]功率達(dá)到 1500W（工作頻率在 1.0-1.1GHz，由 Qorvo 生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是 GaN/SiC GaN 路線。

此外，部分企業(yè)提供 GaN 射頻模組產(chǎn)品，目前有 4家企業(yè)對(duì)外提供 GaN 射頻放大器的銷(xiāo)售，其中 Qorvo 產(chǎn)品工作頻率范圍[敏感詞]，[敏感詞]工作頻率可達(dá)到 31GHz。Skyworks 產(chǎn)品工作頻率較小，主要集中在 0.05-1.218GHz 之間。

Qorvo 射頻放大器的產(chǎn)品類(lèi)別最多。在我國(guó)工信部公布的 2 個(gè) 5G 工作頻段（3.3-3.6GHz、4.8-5GHz，）內(nèi)，Qorvo 公司推出的射頻放大器的產(chǎn)品類(lèi)別最多，[敏感詞]功率分別高達(dá) 100W 和 80W（1 月份 Qorvo 在 4.8-5GHz 的產(chǎn)品[敏感詞]功率為 60W），ADI 在 4.8-5GHz 的產(chǎn)品[敏感詞]功率提高到 50W（之前產(chǎn)品的[敏感詞]功率不到 40W），其他產(chǎn)品的功率大部分在 50W 以下。

▌大陸 GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展  

歐美國(guó)家出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂(yōu)及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。

在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主創(chuàng)新，目前在 GaN 微波射頻領(lǐng)域已取得顯著成效，在領(lǐng)域和民用通信領(lǐng)域兩個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行突破，打造了中電科 13 所、中電科 55 所、中興通信、大唐移動(dòng)等重點(diǎn)企業(yè)以及中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通等大客戶(hù)。

蘇州能訊推出了頻率高達(dá) 6GHz、工作電壓 48V、設(shè)計(jì)功率從 10W-320W的射頻功率晶體管。

在移動(dòng)通信方面，蘇州能訊已經(jīng)可以提供適合 LTE、4G、5G 等移動(dòng)通信應(yīng)用的高效率和高增益的射頻功放管，工作頻率涵蓋1.8-3.8GHz，工作電壓 48V，設(shè)計(jì)功率從 130W-390W，平均功率為 16W-55W。

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