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發(fā)布時間:2023-04-03作者來源:MEMS瀏覽:1345
氫氣(H?)對于追求低碳化、環(huán)保、可持續(xù)的全球能源系統(tǒng)方面具有重要的戰(zhàn)略意義。然而,由于氫氣具有易爆性,需要監(jiān)測其泄漏情況,以確保在工業(yè)應(yīng)用的安全性。因此,開發(fā)具有高靈敏度、快速響應(yīng)和寬濃度范圍的氫氣傳感器至關(guān)重要,但在技術(shù)上仍具挑戰(zhàn)性。
熱電式氫氣傳感器是通過測量氫氣氧化所產(chǎn)生的熱量來檢測氫氣,因此影響檢測極限的主要因素是催化效率以及傳感結(jié)構(gòu)對熱致溫度變化的靈敏度。而在熱電堆感溫元件方面,現(xiàn)有研究大多采用多晶硅熱電偶。為了將熱電式氫氣傳感器的檢測極限達到1 ppm,有必要將多晶硅熱電材料替換為單晶硅等具有更高塞貝克系數(shù)(Seebeck coefficient)的新材料。
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的研究團隊在《微系統(tǒng)與納米工程》(Microsystems & Nanoengineering)發(fā)表了以“1ppm-detectable hydrogen gas sensors by using highly sensitive P+/N+ single-crystalline silicon thermopiles”為主題的論文。該論文[敏感詞]作者為Haozhi Zhang,通訊作者為李昕欣研究員,主要從事微納電子機械系統(tǒng)(MEMS/NEMS)和微納傳感器技術(shù)方面的研究工作。
在這項研究工作中,研究人員利用MEMS技術(shù)開發(fā)出一種高靈敏度的差分熱電堆氫氣傳感器。該氫氣傳感器采用單晶硅作為熱電材料,由于其塞貝克系數(shù)遠高于多晶硅,使得傳感器的檢測極限達到1 ppm。此外,將Pt NPs@ Al?O?催化劑涂覆于檢測氫氣的傳感熱電堆上,該MEMS差分熱電堆氫氣傳感器表現(xiàn)出優(yōu)異的選擇性、均勻性和長期穩(wěn)定性,從而為各類氫氣檢測應(yīng)用提供了可行性方案。
如圖1a所示,該氫氣傳感器由MEMS差分熱電堆構(gòu)成,兩顆相同的熱電堆懸浮于隔熱膜之上,并施加加熱電壓來控制工作溫度。左側(cè)熱電堆用于熱敏檢測,其表面涂有催化劑,可與氫氣發(fā)生特異反應(yīng)。為了消除如氣體熱導(dǎo)率和流速等環(huán)境因素的影響,研究人員專門設(shè)計了右側(cè)熱電堆作為參考和補償。每個熱電堆的直徑為640 μm,由54對單晶硅熱電偶串聯(lián)而成。
該單晶硅熱電堆懸掛在低應(yīng)力氮化硅隔熱支撐膜的背面,并通過蝕刻空氣腔實現(xiàn)與硅襯底的熱隔離。熱電偶的熱接點均勻分布在懸浮膜中心直徑240 μm的范圍內(nèi),作為傳感區(qū)域。同時,冷接點并聯(lián)連接到硅框架散熱器。該熱電堆可通過單個熱電偶來檢測熱接點與冷接點之間的溫度差,從而探測傳感區(qū)域與環(huán)境之間的平均溫度差。在每個熱電堆區(qū)域周圍設(shè)計了加熱電阻圖案,用于將薄膜加熱至催化劑所需溫度。得益于熱電堆的懸浮膜結(jié)構(gòu)特點,熱量被限制在加熱電阻附近,從而顯著降低了MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的功耗。在兩個熱電堆之間,設(shè)計了有蛇紋圖案的鉑熱敏電阻,用于檢測環(huán)境溫度。此外,整個器件周圍還設(shè)計了金屬保護環(huán),用于屏蔽噪聲。
圖1 MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計及工作原理示意圖
圖1b展示了該MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的工作原理。催化傳感材料被涂覆在傳感區(qū)域。通過施加相同的加熱電壓,兩顆熱電堆的傳感區(qū)域被加熱至達到工作溫度。在工作溫度下,催化劑將H?分解為H原子,并與分解的O?生成羥基(OH),隨后羥基被進一步氧化生成水。H?和O?的反應(yīng)會釋放熱量,使得傳感熱電堆的輸出電壓升高。與此同時,參考熱電堆僅對初始溫度與環(huán)境變化引起的共模干擾有響應(yīng)。兩個熱電堆的差分輸出反映了選擇性氧化氫氣產(chǎn)生的特定信號。
與以往報道的在介電薄膜表面利用多晶硅沉積和背面蝕刻技術(shù)制備熱電堆的方法不同,該研究工作采用了一種獨特的方法,即利用基于(111)硅晶圓的“微創(chuàng)手術(shù)(MIS)”微加工技術(shù)來制備MEMS熱電堆。MIS技術(shù)可以使用非SOI晶圓以低成本的單面工藝來構(gòu)建復(fù)雜的單晶硅MEMS結(jié)構(gòu),從而顯著提高器件的均勻性(如器件厚度),并降低MEMS熱電堆傳感器的批量制造成本,制造工藝如圖2所示。
圖2 MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的制造工藝
隨后,研究人員利用掃描電子顯微鏡(SEM)和聚焦離子束(FIB)對所制備的MEMS差分熱電堆氫氣傳感器進行了性能表征。同時,他們通過透射電子顯微鏡(TEM)和元素能量色散譜儀(EDS)對Pt NPs@Al?O?催化劑進行了表征,如圖3所示。
圖3 MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的表征
研究人員通過加熱電阻使傳感區(qū)域(器件中心)升溫,以標(biāo)定MEMS差分熱電堆的溫度響應(yīng)。他們利用空間分辨率為20 μm的非接觸式紅外熱成像儀測量了傳感區(qū)域的平均溫度,并且使用有限元模型驗證了溫度響應(yīng),結(jié)果如圖4所示。
圖4 MEMS差分熱電堆的溫度響應(yīng)
文中還測試了該MEMS差分熱電堆在空氣中的氫氣檢測能力,結(jié)果如圖5所示。此外,研究人員還評估了該MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的選擇性、重復(fù)性、均勻性以及穩(wěn)定性,結(jié)果如圖6所示。
圖5 MEMS差分熱電堆的氫氣傳感性能
圖6 MEMS差分熱電堆氫氣傳感器的選擇性、重復(fù)性、均勻性和穩(wěn)定性
綜上所述,本研究工作設(shè)計并制造了一種基于MEMS差分熱電堆的氫氣傳感器。該氫氣傳感器由兩個相同的溫控?zé)犭姸褬?gòu)成,能夠檢測由氫氣在熱電堆上發(fā)生催化反應(yīng)而導(dǎo)致的溫度變化。通過采用具有高塞貝克系數(shù)的單晶硅和高密度熱電偶,該熱電堆具有28 mV/°C的溫度靈敏度和亞mK量級的溫度分辨率。該氫氣傳感器表現(xiàn)出優(yōu)異而均衡的性能,檢測極限為1 ppm,線性探測范圍寬,達到1 ppm - 2%(超過4個數(shù)量級),快速響應(yīng)和恢復(fù)時間為1 - 2 s。此外,該氫氣傳感器還具有對氫氣的良好選擇性、重復(fù)性和長期穩(wěn)定性。本文提出的MEMS差分熱電堆傳感器有望在各類應(yīng)用中實現(xiàn)對氫氣泄漏的痕量檢測和預(yù)警。
這項研究獲得了國家重點研發(fā)計劃(2021YFB3200800、2021YFB3201302)、國家自然科學(xué)基金(61974155、61831021、62104241、62271473、U21A20500)、上海市科技創(chuàng)新行動計劃(19510744600)、中科院科研儀器設(shè)備研制項目(YJKYYQ20210024)、上海市浦江人才計劃(20PJ1415600)和國家中醫(yī)藥管理局中醫(yī)藥創(chuàng)新團隊及人才支持計劃項目(ZYYCXTD-D-202002、ZYYCXTD-D-202003)的資助和支持。
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