IGBT主要企業(yè)匯總！

發(fā)布時(shí)間：2022-03-17作者來源：薩科微瀏覽：1867

什么是IGBT

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。

簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等

目前，士蘭微5英寸、6英寸芯片生產(chǎn)線已穩(wěn)定運(yùn)行，8英寸芯片生產(chǎn)線也順利投產(chǎn)，陸續(xù)完成了高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)。
華微電子
官網(wǎng)：http://www.hwdz.com.cn/
吉林華微電子股份有限公司成立于1999年，集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營銷為一體，官網(wǎng)信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為24億只/年，模塊360萬塊/年。今年4月，華微電子擬募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目，600V-1700V各種電壓、電流等級(jí)IGBT芯片是該項(xiàng)目的重點(diǎn)之一。
華潤微
官網(wǎng)：https://www.crmicro.com/
華潤微電子即原中航（重慶）微電子有限公司，集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與服務(wù)一體化，以功率半導(dǎo)體器件、功率/模擬集成電路為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，面向工業(yè)電子、消費(fèi)電子、汽車電子、5G通訊市場(chǎng)。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術(shù)開發(fā)和制造平臺(tái)。
華潤微擁有國內(nèi)[敏感詞]條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能5.1萬片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動(dòng)12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測(cè)線建設(shè)規(guī)劃，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
揚(yáng)杰科技
官網(wǎng)：http://www.21yangjie.com/
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。
據(jù)了解，在IGBT方面揚(yáng)杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)IGBT芯片，主要應(yīng)用于電磁爐等小家電領(lǐng)域。揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上表示，2018年度，公司IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近6000片。

模組

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。

上海陸芯電子科技

聚焦于功率半導(dǎo)體（IGBT、SJMOS & SiC）的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，包括芯片、單管和模塊。具有以下優(yōu)勢(shì)：通過優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)；通過控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開關(guān)速度；實(shí)現(xiàn)安全操作區(qū)（SOA）和短路電流安全操作區(qū)域SCSOA性能最優(yōu)；改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應(yīng)；調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。

江蘇東海半導(dǎo)體

江蘇東海半導(dǎo)體科技有限公司成立于2004年12月，注冊(cè)資金5330萬元，現(xiàn)有員工325人，是一家設(shè)計(jì)研發(fā)及封裝測(cè)試半導(dǎo)體功率器件高新技術(shù)企業(yè)，我司共投資2.8億人民幣，與我司合作的芯片制造廠投資600億人民幣，我們公司通過了ISO90001質(zhì)量體系認(rèn)證、ISO140001環(huán)境管理體系認(rèn)證和TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，并先后獲得無錫市高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證和國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證，產(chǎn)品榮獲無錫市知名商標(biāo)及江蘇省[敏感詞]商標(biāo)，是國家工商總局認(rèn)定的守合同重信用企業(yè)。江蘇東海半導(dǎo)體科技集多項(xiàng)實(shí)用專利和發(fā)明專利于一身，已經(jīng)申請(qǐng)各項(xiàng)發(fā)明和實(shí)用新型專利合計(jì)近百項(xiàng)，并授權(quán)獲江蘇省科技部門審批成立江蘇省工程技術(shù)研究中心，是中國最有競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)之一。

江蘇東海半導(dǎo)體科技有限公司始終致力于提升產(chǎn)品品質(zhì)，在封裝、測(cè)試設(shè)備、封裝工藝、以及材料選擇上，保持與國際先進(jìn)水平一致。公司配有ASM自動(dòng)固晶機(jī)、ASM自動(dòng)焊線機(jī)、自動(dòng)切筋設(shè)備、自動(dòng)測(cè)試分選機(jī)等設(shè)備。公司不斷加大對(duì)集成電路、功率器件封裝的研發(fā)投入，在生產(chǎn)加工過程中始終貫徹嚴(yán)格的品質(zhì)管控體系。公司自成立以來，產(chǎn)品根據(jù)不同客戶要求符合ROHS和Halogen Free環(huán)保認(rèn)證。公司主要封裝TO251、TO252、TO263、TO220、TO220F、TO3P、TO247、SOT、QFN系列。產(chǎn)品系列：MOSFET ,肖特基二極管，快恢復(fù)二極管，可控硅，三端穩(wěn)壓，IGBT。

深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2013年，由深圳正軒科技、深圳國資委、深圳人才創(chuàng)新基金、達(dá)晨創(chuàng)投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。
目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個(gè)領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先。
嘉興斯達(dá)
官網(wǎng)：http://www.powersemi.cc/
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的[敏感詞]高新技術(shù)企業(yè)，其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級(jí)涵蓋100V～3300V，電流等級(jí)涵蓋10A～3600A。
在技術(shù)方面，嘉興斯達(dá)已開發(fā)出平面柵NPT型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場(chǎng)中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解決了包括8英寸晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火激活技術(shù)以及溝槽柵挖槽成型技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。
宏微科技
官網(wǎng)：http://www.macmicst.com/
宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于電力電子元器件行業(yè)，業(yè)務(wù)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)，并提供高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案。
2018年，宏微科技與北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃從芯片設(shè)計(jì)到模塊設(shè)計(jì)與封裝再到電機(jī)控制器設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，聯(lián)合打造電機(jī)控制器產(chǎn)業(yè)鏈。宏微科技年報(bào)顯示，2018年其電動(dòng)汽車用IGBT模塊在SVG行業(yè)應(yīng)用中逐步放量，同時(shí)客戶定制化產(chǎn)品也開始批量銷售。

IGBT技術(shù)發(fā)展歷史

官網(wǎng)：http://www.ncepower.com/
無錫新潔能股份有限公司成立于2013年，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，主要產(chǎn)品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。
目前，無錫新潔能的主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。

達(dá)新半導(dǎo)體官網(wǎng)：http://www.daxin-semi.com/ 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司，主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，建有IGBT產(chǎn)品性能測(cè)試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室，擁有一條測(cè)試和制造手段完備IGBT模塊研發(fā)生產(chǎn)線。

先進(jìn)半導(dǎo)體官網(wǎng)：http://www.asmcs.com/ 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司，前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司，擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，自2004年開始提供IGBT國內(nèi)、外代工業(yè)務(wù)。上海先進(jìn)2008年在國內(nèi)建立IGBT背面工藝線，具備IGBT正面、背面、測(cè)試等完整的IGBT工藝能力，IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技術(shù)能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、溝槽IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面IGBT和FRD工藝平臺(tái)，電壓覆蓋1200V~6500V，8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺(tái)，電壓覆蓋450V~1700V。

華潤上華官網(wǎng)：http://www.csmc.com.cn/ 無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術(shù)，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標(biāo)準(zhǔn)工藝及一系列客制化工藝平臺(tái)。
華潤上華擁有國內(nèi)[敏感詞]的6英寸代工線和一條8英寸代工線，6英寸月產(chǎn)能逾11萬片，八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)3.5萬片，未來整體月產(chǎn)能規(guī)劃為6萬片，制程技術(shù)將提升至0.11微米。IGBT方面，華潤上華于2012年已宣布開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工藝平臺(tái)。