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0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):100V
連續(xù)漏極電流(Id):33A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA
封裝:TO-263
產(chǎn)品名稱:MOS管IRF540NS
生產(chǎn)商:薩科微Slkor
產(chǎn)品類型:N溝道
電性能參數(shù):
漏源電壓(Vdss): 100V
連續(xù)漏極電流(Id): 33A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 30mΩ @ 10V, 15A
閾值電壓(Vgs(th)@Id): 4.0V @ 250uA
封裝規(guī)格:
封裝類型: TO-263
產(chǎn)品特性與應(yīng)用:
MOS管IRF540NS是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其優(yōu)秀的電性能參數(shù)和TO-263封裝設(shè)計(jì)使其適用于中高功率電子應(yīng)用。
主要特性:
高電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為100V,適用于對電壓要求較高的電路設(shè)計(jì)。
高電流承受能力: 連續(xù)漏極電流(Id)為33A,適用于中高功率應(yīng)用場景。
低導(dǎo)通電阻: 在10V電壓和15A電流下,導(dǎo)通電阻為30mΩ,有助于降低功耗和提高效率。
相對較高的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為4.0V @ 250uA,有助于確保精確的電路控制。
封裝優(yōu)勢:
TO-263封裝提供了良好的散熱性能和適中的尺寸,適用于各種中高功率電路設(shè)計(jì)。其外形符合標(biāo)準(zhǔn),方便安裝和維護(hù)。
應(yīng)用領(lǐng)域:
MOS管IRF540NS廣泛應(yīng)用于多種中高功率電子應(yīng)用,包括但不限于:
電源開關(guān): 適用于中高功率電源開關(guān)電路。
電機(jī)控制: 在中高功率電機(jī)控制電路中,可實(shí)現(xiàn)有效的電流控制。
電源逆變器: 用于中高功率電源逆變器的輸出控制。
安全與可靠性:
MOS管IRF540NS經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應(yīng)用注意事項(xiàng)正確使用。
總結(jié):
MOS管IRF540NS以其優(yōu)秀的電性能和TO-263封裝設(shè)計(jì),為中高功率電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要高電壓承受能力和高電流承受能力的場景下,IRF540NS是一個(gè)值得考慮的選擇。
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