三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術的一些細節(jié)，包括類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結構，率先開啟先進工藝在技術架構上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET(多橋通道場效應管)，可顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

為了能夠從臺積電手中搶到客戶，三星半導體最近幾年一直在積極宣傳GAA(Gate All Around)。伴隨著成功流片，三星3nm芯片即將進入模量產(chǎn)。但隨后有消息稱，可能在2022年推出的3nm(GAA架構)，要推遲到2024年。

根據(jù)三星官方的數(shù)據(jù)，7nm FinFET制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高35%以上，功耗降低50%，邏輯面積減少45%。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營銷主管Charlie Bae表示：“基于GAA結構的下一代工藝節(jié)點(3nm)將使三星能夠率先打開一個新的智能互聯(lián)世界，同時加強我們的技術領先地位”。

什么是GGA晶體管？

GGA的全稱是Gate All Around Field Effect Transistors(簡稱GAAFET)，中文全稱全環(huán)柵晶體管，能夠延續(xù)半導體技術經(jīng)典“摩爾定律”的新興技術路線，可進一步增強柵極控制能力，克服當前技術的物理縮放比例和性能限制。

GAAFET有兩種結構，一種是使用納米線(Nanowire)作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET;另一種則是以納米片(Nanosheet)形式出現(xiàn)的較厚鰭片的多橋通道場效應管MBCFET，這兩種方式都可以實現(xiàn)3nm工藝節(jié)點，只是取決于制造商具體的設計。從GAAFET到MBCFET，可以視為從二維到三維的躍進，能夠改進電路控制，降低漏電率。

GAA晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，滿足某些柵極寬度的需求。在同等尺寸結構下，GAA溝道控制能力增強，給尺寸進一步微縮提供可能;傳統(tǒng)FinFET的溝道僅三面被柵極包圍，GAA以納米線溝道設計的整個外輪廓都被柵極完全包裹，意味著柵極對溝道的控制性能就更好。Leti公司高級集成工程師Sylvain Barraud指出：“與FinFET相比，除了具有更好的柵極控制能力以外，GAA堆疊的納米線還具有更高的有效溝道寬度，能夠提供更高的性能?！?/span>

臺積電與三星的分歧

臺積電和三星在5nm、7nm節(jié)點繼續(xù)使用FinFET(鰭式場效應管)結構，但是3nm工藝的晶體管結構選擇出現(xiàn)分歧。三星確認將率先在3nm的工藝節(jié)點上使用GAAFET，臺積電則更保守的使用FinFET結構。只是臺積電使用FinFET工藝知識權宜之計，工藝制程來到3nm之后，鰭片(Fin)寬度達到5nm(等于3nm節(jié)點)時，F(xiàn)inFET將接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。

因此，有消息稱臺積電也將在2nm工藝節(jié)點將轉(zhuǎn)向GAA架構，全新的MBCFET架構以GAA制程為基礎，可以解決FinFET因為制程微縮而產(chǎn)生的電流控制漏電等物理極限問題。2nm或?qū)⑹荈inFET結構全面過渡到GAA結構的技術節(jié)點。在經(jīng)歷了Planar FET、FinFET后，晶體管結構將整體過渡到GAAFET結構上。

臺積電選擇在[敏感詞]代3nm工藝繼續(xù)使用FinFET技術，處于多方面的考慮。首先是相同的制程技術與制造流程下，無需不用變動太多的生產(chǎn)工具，就能實現(xiàn)從FinFET切換到GAA，具有不錯的成本優(yōu)勢。特別是先進工藝晶圓的設計成本，會讓客戶更加謹慎的選擇制造工藝。根據(jù)早前曝光的設計奮勇來看，5nm的晶圓開發(fā)費用高達4.76億美元，3nm甚至2nm只會更高。

在先進制程的開發(fā)里變更設計，無論是改變設計工具或者是驗證和測試的流程，都會是龐大的時間和經(jīng)濟成本，幫助客戶降低生產(chǎn)的成本。。臺積電首席科學家黃漢森強調(diào)，選擇FinFET工藝是從客戶角度出發(fā)的，成熟的FinFET結構產(chǎn)品性能會更加穩(wěn)定。

三星方面，最近幾年的晶圓制造出與追趕階段，他們需要在3nm時代尋找技術架構差異化，拉近與臺積電芯片代工方面的技術差距，用更激進的策略來獲取客戶的青睞。IBS首席執(zhí)行官Jones表示：“與3nm FinFET相比，3nm環(huán)繞閘極具有更低的閾值電壓，可能帶來15%到20%的功耗降低，在某種程度上提供更多的性能?！?/span>

未來晶體管結構

市場對于高性能芯片的渴望在不斷推動技術的進步，新的GAA技術讓3nm節(jié)點工藝成為現(xiàn)實。但是在GAA之后，半導體又有可能往哪些方向發(fā)展？

Forksheet FET

隨著未來向更小制程的繼續(xù)，將要求標準單元內(nèi)nFET和pFET器件之間的間距更小。但FinFET和Nanosheet的工藝限制n-to-p器件之間的間距。除了Nanosheet，還有一些屬于“全柵”類的其它技術選項。為了擴大這些器件的可微縮性，IMEC提出一種創(chuàng)新的架構，稱為Forksheet FET。

Forksheet可以理解為是Nanosheet的自然延伸，具有超出2nm技術節(jié)點的額外縮放和性能。Forksheet的nFET和pFET集成在同一結構中，由介電墻將nFET和pFET隔開。優(yōu)勢在于它有更緊密的n到p的間距，并減少面積縮放。與Nanosheet FET相比，在相同制程下的Forksheet FET電路將更加緊湊。

在從平面晶體管到FinFET再到Nanosheet的進化過程中，可以將Forksheet視為下一個發(fā)展路徑。CFET(Complementary FETs，互補場效應晶體管)是2nm甚至以后另一種類型的技術選項，由兩個獨立的Nanosheet FET(p型和n型)組成，把p型納米線疊在n型納米線上的結構。通過疊加的方式實現(xiàn)折疊的，借此消除n-to-p分離的瓶頸，能夠?qū)卧性磪^(qū)域的面積減少2倍。

IBS首席執(zhí)行官Handel Jones稱：“CFET前景廣闊，但目前還為時過早。向1nm CFET系列邏輯器件的發(fā)展推動新BEOL和MOL解決方案的開發(fā)，但問題是即使增強了柵極結構，我們也需要增強MOL和BEOL，需要通過引入新的導體來補充這些集成方案，否則性能提升將受到限制?！睂τ谖磥砑夹g架構的演進趨勢，IMEC認為：3納米之前采用Nanosheet、2納米采用Forksheet、1納米采用CFET。

在進一步的研究中，需要解決將這些器件完全投入生產(chǎn)的工藝挑戰(zhàn)。目前這些仍在研發(fā)中的技術前景尚好，但也都有更自的挑戰(zhàn)待突破，包含散熱的控制和制造成本等。但可以看到的是，2納米及之后已有數(shù)項技術正在進行中，雖有困難但也是遙不可及。

Bizen晶體管架構

英國初創(chuàng)公司Search For The Next(SFN)和蘇格蘭芯片制造商Semefab合作開發(fā)Bizen晶體管架構，可能從另一方向打破CMOS的極限。提出Bizen晶體管架構最初的目的就是為了創(chuàng)建具有較少掩膜步驟的芯片，使得同一塊芯片上同時具有邏輯和功率晶體管，在這一初衷下創(chuàng)建一個LED驅(qū)動器的集成電路。

SFN首席執(zhí)行官Summerland提出使用齊納二極管反向偏置特性的想法，該特性是由二極管N區(qū)域和P區(qū)域之間摻雜水平的突然變化產(chǎn)生的，最終致使量子電流的產(chǎn)生，以此來驅(qū)動雙極晶體管。SFN的Bizen晶體管設計將雙極結與齊納二極管的概念結合在一起，利用量子隧穿效應從傳統(tǒng)的雙極晶體管中消除了電阻以及所有金屬層。晶體管使用量子隧道連接柵極并能夠建立多個柵極連接，這意味著可以在一個晶體管內(nèi)創(chuàng)建多個非門和或門，從而縮小了邏輯電路的裸片。

由于沒有能夠滿足所有應用的技術，在芯片微縮和功能擴展的過程中，制程的進步、晶體管結構的變化和其他方法會交替進行，不斷推動芯片性能提升。在先進半導體制造的成本不斷攀升的當下，如何利用現(xiàn)有的技術，獲得客戶青睞至關重要;如果芯片制造商不能在生產(chǎn)技術與制造成本中取得較好的平衡，未來難以在競爭中保持優(yōu)勢地位。

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