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中國在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破!

發(fā)布時(shí)間:2024-10-26作者來源:薩科微瀏覽:672

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據(jù)“九峰山實(shí)驗(yàn)室”官方消息,2024年9月,該實(shí)驗(yàn)室在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進(jìn)展——成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源,這也是該項(xiàng)技術(shù)在國內(nèi)的首次成功實(shí)現(xiàn)。


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顯微鏡下,片上光源芯片的光輸出視頻


隨著人工智能大模型的開發(fā)和應(yīng)用,以及自動(dòng)駕駛等技術(shù)的發(fā)展,對(duì)于芯片算力的需求持續(xù)提升,但是半導(dǎo)體先進(jìn)制程工藝已經(jīng)越來越逼近物理極限,在單個(gè)芯片上增加晶體管密度這條路徑越來越難,每一代制程的提升所能夠帶來的性能提升或功耗降低也越來越有限,同時(shí)還帶來成本的急劇上升,這也意味著摩爾定律無法繼續(xù)發(fā)揮作用。為此,不少半導(dǎo)體廠商將目光轉(zhuǎn)向了先進(jìn)封裝技術(shù),即通過將多個(gè)芯粒封裝在同一塊基板上,以提升晶體管數(shù)量,從而提高性能。

但是,在單個(gè)封裝單元中芯粒越多,它們之間的互連就越多,數(shù)據(jù)傳輸距離也就越長,傳統(tǒng)的電互連技術(shù)迫切需要演進(jìn)升級(jí)。與電信號(hào)相比,光傳輸?shù)乃俣雀?、損耗更小、延遲更少,芯片間光互聯(lián)技術(shù)被認(rèn)為是推動(dòng)下一代信息技術(shù)革命的關(guān)鍵技術(shù),也被認(rèn)為是在后摩爾時(shí)代突破集成電路技術(shù)發(fā)展所面臨的功耗、帶寬和延時(shí)等瓶頸的理想方案。


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芯片間光互聯(lián)示意圖


目前業(yè)界對(duì)硅光全集成平臺(tái)的開發(fā)最難的挑戰(zhàn)在于對(duì)硅光芯片的“心臟”,即能高效率發(fā)光的硅基片上光源的開發(fā)和集成上。該技術(shù)是我國光電子領(lǐng)域在國際上僅剩不多的空白環(huán)節(jié)。

此次九峰山實(shí)驗(yàn)室硅光工藝團(tuán)隊(duì)與合作伙伴協(xié)同攻關(guān),成功在8英寸硅光晶圓上異質(zhì)鍵合III-V族激光器材料外延晶粒,再進(jìn)行CMOS兼容性的片上器件制成工藝,成功解決了III-V材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與生長、材料與晶圓鍵合良率低,及異質(zhì)集成晶圓片上圖形化與刻蝕控制等難點(diǎn)。經(jīng)過近十年的追趕攻關(guān),終成功點(diǎn)亮片內(nèi)激光,實(shí)現(xiàn)“芯片出光”。


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九峰山實(shí)驗(yàn)室8寸硅基片上光源芯片晶圓


相較于傳統(tǒng)的分立封裝外置光源和FC微組裝光源,九峰山實(shí)驗(yàn)室片上光源技術(shù)能有效解決傳統(tǒng)硅光芯片耦合效率不夠高、對(duì)準(zhǔn)調(diào)節(jié)時(shí)間長、對(duì)準(zhǔn)精度不夠好的工藝問題,突破了制作成本高、尺寸大、難以大規(guī)模集成等量產(chǎn)瓶頸。

資料顯示,湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室主要聚焦于化合物半導(dǎo)體研發(fā)與創(chuàng)新,于2023年3月正式投入運(yùn)營。成立一年半時(shí)間,九峰山實(shí)驗(yàn)室就吸引了近30家半導(dǎo)體鏈條企業(yè)比鄰而居,總估值超百億元,培育半導(dǎo)體領(lǐng)域人才超3萬人。九峰山實(shí)驗(yàn)室在這一年時(shí)間里,還實(shí)現(xiàn)了8英寸中試線通線運(yùn)行,首批晶圓(高精密光柵)成功下線,填補(bǔ)了國內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

2024年2月20日,九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓成功在該實(shí)驗(yàn)室下線。該成果使用8英寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓,單片集成光電收發(fā)功能,為目前全球硅基化合物光電集成[敏感詞]技術(shù)。該項(xiàng)成果可實(shí)現(xiàn)超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規(guī)模制造,為目前全球綜合性能最優(yōu)的光電集成芯片。


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除自身不斷創(chuàng)新突破外,作為國內(nèi)為數(shù)不多的公共、開放、中立、共享的科研平臺(tái),九峰山實(shí)驗(yàn)室還與產(chǎn)業(yè)鏈各龍頭企業(yè)通力合作,以“用”為導(dǎo)向,布局開發(fā)共性技術(shù),推進(jìn)國產(chǎn)半導(dǎo)體材料、設(shè)備的驗(yàn)證工作,打造化合物半導(dǎo)體中試平臺(tái)。

在九峰山實(shí)驗(yàn)室,9000平方米的潔凈室內(nèi),有上百個(gè)項(xiàng)目在同時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn):

上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)的刻蝕、薄膜沉積設(shè)備,在九峰山實(shí)驗(yàn)室的助推下,實(shí)現(xiàn)多款設(shè)備的量產(chǎn)。

武漢驛天諾科技有限公司與九峰山實(shí)驗(yàn)室合作開發(fā)的硅光及三代半導(dǎo)體晶圓級(jí)、芯片級(jí)、器件級(jí)封測裝備,測試精度達(dá)到微米級(jí)。

華工科技研制的首套高端半導(dǎo)體晶圓激光切割系列裝備借助九峰山實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)通過了中試驗(yàn)證,獲取測試報(bào)告的設(shè)備已成功導(dǎo)入下游企業(yè)。

驛天諾科技有限公司董事長單娜表示,在九峰山實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)的引薦下,公司已經(jīng)拓展了一批新客戶,獲得了一批訂單,下一步還會(huì)入駐九峰山科技園區(qū),進(jìn)一步擴(kuò)大經(jīng)營規(guī)模。

九峰山實(shí)驗(yàn)室有關(guān)負(fù)責(zé)人此前在接受媒體采訪時(shí)表示,我們希望與更多合作伙伴共同點(diǎn)亮化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的“燈塔”,為未來3~10年的技術(shù)難題進(jìn)行前沿探索和技術(shù)攻關(guān),打通全產(chǎn)業(yè)鏈條中的“斷點(diǎn)”,拉平產(chǎn)學(xué)研融合發(fā)展的鴻溝,引領(lǐng)全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步。

目前,九峰山實(shí)驗(yàn)室周邊已聚集了近30家化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)和創(chuàng)新型中小企業(yè),到2025年,這里將聚集產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)100家以上,培育1到2家細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè),在存儲(chǔ)、化合物半導(dǎo)體、傳感器、先進(jìn)封裝等細(xì)分領(lǐng)域打造一批創(chuàng)新產(chǎn)品,形成化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

編輯:芯智訊-浪客劍

資料來源:九峰山實(shí)驗(yàn)室、光谷融媒體中心

免責(zé)聲明:本文采摘自“芯智訊”,本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn),只為轉(zhuǎn)載與分享,支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán),轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。

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