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比亞迪半導體車規(guī)級IGBT技術長足進步!

發(fā)布時間:2022-03-10作者來源:薩科微瀏覽:2823

行業(yè)新趨勢,中國核心動力! 近日,由芯碩主辦的第三屆硬核中國芯片閱讀器峰會暨2021汽車芯片創(chuàng)新與應用論壇成功舉辦。 比亞迪半導體有限公司(以下簡稱“比亞迪半導體”)功率半導體產品中心高級市場經理孫云帥在線分享了《車用IGBT技術的[敏感詞]發(fā)展》。  
  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors)是汽車電氣化、控制電機、電控、電池等的核心技術元件,在汽車半導體中占非常高的比例。 孫云帥在 IGBT 器件行業(yè)擁有 15 年經驗,本次主題演講詳細介紹了汽車功率器件的技術進步、研發(fā)難點和[敏感詞]技術。     
   
,時長17:48
比亞迪半導體功率半導體產品中心   高級市場經理孫允帥   (視頻來源:芯師爺)  
       
   功率器件是汽車電動化的關鍵技術    
   
   
     


根據咨詢機構的調研報告,2019年全球新能源乘用車銷量為221萬輛,2020年銷量達到310萬輛,2021年銷量將為500萬輛,2025年預計將達到2000萬輛。聚焦我國,根據中國汽車工業(yè)協(xié)會的數據,2019年中國新能源汽車銷量為120萬輛,2021年銷量突破300萬輛。


按照《新能源汽車產業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2021—2035年)》,在2025年新能源汽車銷量將達500萬輛,新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的20%左右。同時,該規(guī)劃指出要深化“三縱三橫”研發(fā)布局:“三縱”即純電動汽車、混合動力汽車以及氫燃料電池汽車;“三橫”為動力電池與管理系統(tǒng)、驅動電機與電力電子、網聯(lián)化與智能化技術。


需要指出的是,功率器件是汽車電動化的關鍵技術,主要用于主電控、DC-DC、車載充電器及充電樁以及用于汽車空調控制系統(tǒng)、PTC加熱控制器等的其他應用。在 IGBT 領域, 根據 Omdia統(tǒng)計,以 2019 年 IGBT 模塊銷售額計算, 比亞迪半導體在中國新能源乘用車電機驅動控制器用 IGBT 模塊全球廠商中排名第二,市場占有率 19%,在國內廠商中排名[敏感詞],2020年在該領域保持全球廠商排名第二、國內廠商排名[敏感詞]的領先地位。 功率器件國產化尚存較大空間,除了應用于汽車市場之外,功率器件還廣泛用于工業(yè)、消費等領域。       車規(guī)級功率器件發(fā)揮了控制直、交流電的轉換;決定驅動系統(tǒng)的扭矩(汽車加速能力);決定[敏感詞]輸出功率(汽車[敏感詞]時速)等功能。以電機驅動為例,功率器件一方面決定了電機的輸出扭距,進而直接決定了汽車的加速能力;同時電機的[敏感詞]輸出功率也由功率器件來決定,也就是汽車的[敏感詞]行駛速度決定于功率器件。因此,車規(guī)級功率器件研發(fā)制造難度極高,其一是芯片技術工藝特殊復雜,另外封裝技術遠高于工業(yè)要求。



   比亞迪半導體車規(guī)級IGBT的技術突破    
   
   
     


比亞迪半導體以車規(guī)級半導體為核心,致力于打造集成化和協(xié)同化的應用平臺,以實現(xiàn) 更低的損耗、更高的集成度、更高的工作結溫 (>200度)、更高的可靠性以及更低的成本。  
    (圖源:比亞迪半導體)  
  具體而言,IGBT芯片需要 更薄的晶圓厚度 ,但要應對耐壓余量、高溫漏電、關斷軟度、短路耐量等挑戰(zhàn)。另一方面,IGBT芯片要實現(xiàn) 溝槽的精細化 ,需考慮不同性能指標之間的優(yōu)化折中。


除了在傳統(tǒng)的硅材料方面做進一步的性能提升之外,比亞迪半導體也在積極布局第三代碳化硅(SiC)功率器件。以電控系統(tǒng)為例,在0-4500rpm區(qū)間,比亞迪半導體基于SiC器件做的電控系統(tǒng)整體效率比硅材料器件 效率提升5%-8% 。由于效率的提升,可以進一步造成電控系統(tǒng)的體積縮小,并且實現(xiàn)更低的損耗、更低的熱阻、更長的壽命以及更好的拓展性。  
  同時在封裝層面,比亞迪半導體實現(xiàn)了技術突破,通過把芯片直接焊接到上下兩面的散熱水冷上,實現(xiàn)雙面直接水冷。  
 

(電驅功率模塊技術的組成  圖源:比亞迪半導體)


    電驅功率模塊技術發(fā)展  
   


正面互連  
  由于銅的熱導率、電導率都遠遠優(yōu)于鋁線。比亞迪半導體新型的車規(guī)模塊都是采用銅鍵合的方式讓芯片正面與DBC鍵合,進一步提升芯片的導電性和導熱性能。  
  銀燒結  
 

芯片傳統(tǒng)的焊接工藝一般使用錫焊,而錫的熔點的一般是230度左右,無法達到半導體材料超過200度的工作溫度要求。比亞迪半導體通過銀燒結工藝解決了這一難點,芯片工作溫度在200度以上時,也可以實現(xiàn)非常高的熱循環(huán)能力。


       
    低溫Ag燒結:  
   低的熱導率:熱阻更低
  厚度只有焊接層1/5:熱阻更低   高達962℃的熔點:熱循環(huán)能力高,工作溫度高   高成本


雙面散熱  
  比亞迪半導體雙面散熱技術具有幾方面的特點:很強的雙面散熱能力,熱阻降低30%以上;模塊可靠性更高;集成在片式溫度采樣和電流采樣;安裝工藝比較簡單,有利于實現(xiàn)高功率密度的電控系統(tǒng)。


 

(圖源:比亞迪半導體)


 

值得注意的是 ,在比亞迪暢銷車型“漢”應用的一款SiC模塊,采用Pin-fin直接水冷結構,輸出功率可達250KW。這款SiC MOSFET在比亞迪“漢”、“唐”四驅等旗艦車型上已大批使用,助力“漢”車型百公里加速達到3.9s,并降低了能耗,累計裝車量目前居于行業(yè)領先地位,引領了行業(yè)發(fā)展。


(圖源:比亞迪半導體)



   寫在最后    
   
   
     


據公開資料顯示,功率半導體方面,比亞迪半導體擁有從芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試到系統(tǒng)級應用測試的全產業(yè)鏈 IDM 模式。在 IPM 領域,根據 Omdia[敏感詞]統(tǒng)計, 以 2019 年 IPM 模塊銷售額計算,比亞迪半導體在國內廠商中排名第三,2020 年IPM 模塊銷售額保持國內前三的領先地位。在 SiC 器件領域,公司已實現(xiàn) SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規(guī)?;瘧茫彩侨騕敏感詞]、國內[敏感詞]實現(xiàn) SiC 三相全橋模塊在電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體供應商。

 

除功率半導體外,比亞迪的半導體產品線還涵蓋智能控制IC、光電半導體、智能傳感器、晶圓制造和服務。 近年來,日本積極支持半導體產業(yè)發(fā)展,在家電、工業(yè)等領域逐步實現(xiàn)進口替代。 雖然在汽車級半導體領域有所突破,但仍處于弱勢。 比亞迪半導體功率半導體產品中心高級營銷經理孫云帥表示,公司繼續(xù)堅持開放、合作、共贏的原則,為客戶提供前沿的汽車級半導體解決方案,高效智能。 新型集成半導體供應商。 





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