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英特爾在這局“芯戰(zhàn)”中被我國“將”了一軍?

發(fā)布時(shí)間:2022-10-15作者來源:薩科微瀏覽:1534


近日,英特爾與中科院微電子所的專利訴訟糾紛,在歷經(jīng)4年多的交鋒后終迎來[敏感詞]進(jìn)展:英特爾表示,雙方已簽訂一項(xiàng)保密協(xié)議,解決所有未決訴訟,同時(shí)表示會獲得一些微電子所專利的許可,并對微電子所剩余專利組合達(dá)成一份長期的不起訴約定。


如“企業(yè)專利觀察”公眾號所述,至此,這場中、美芯片行業(yè)最重磅的一起專利糾紛案,以中科院微電子所專利最終被英特爾認(rèn)可并獲得許可,而告一段落。


據(jù)悉,該項(xiàng)專利名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”的FinFET專利。本次專利訴訟糾紛的解決,意味著我國在世界集成電路[敏感詞]的芯片制造領(lǐng)域正在迎頭趕上,經(jīng)得起全球科技巨頭的挑戰(zhàn),面對不正當(dāng)?shù)氖侄我颜莆樟艘欢ǖ脑捳Z權(quán)。


中科院微電子與英特爾六次交鋒均獲勝


早在2018年,中科院微電子所就指控英特爾(中國)有限公司的酷睿(Core)系列處理器侵犯了其名為“半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”的FinFET專利,要求英特爾賠償至少2億元,同時(shí)請求法院對“酷?!碑a(chǎn)品實(shí)施禁售。


此后,針對中科院微電子所的這項(xiàng)FinFET專利,英特爾曾在中國、美國兩地至少試圖6次申請無效宣告請求。因?yàn)榘凑沼⑻貭柕挠?jì)劃,如果能夠在各大市場中成功申請將中科院微電子所的專利無效化,就可以擺脫侵犯專利的嫌疑,自己非但不用賠償,還能夠繼續(xù)沿用這類技術(shù)進(jìn)行盈利。


不過,每次申請無效都以英特爾失敗告終,由此可見,中科院微電子所在FinFET領(lǐng)域?qū)@麑?shí)力非常雄厚。


國外專利咨詢公司LexInnova也曾在2015年進(jìn)行的FinFET領(lǐng)域?qū)@{(diào)查研究中顯示,中科院微電子所專利申請數(shù)量在該領(lǐng)域排名第11位,也是中國大陸[敏感詞]進(jìn)入前20位的企業(yè),但是其專利質(zhì)量卻能夠穩(wěn)壓英特爾等巨頭,成為世界[敏感詞]。

 

中科院微電子,為何能憑借

FinFET專利“將”英特爾一軍


上個世紀(jì)末,半導(dǎo)體工藝進(jìn)化之路曾一度面臨停滯,摩爾定律遭受威脅,直到一位華人教授胡正明帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)發(fā)明出「FinFET晶體管技術(shù)」,使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。


FinFET技術(shù)成功地推動了從22nm到5nm等數(shù)代半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,成為全球主流晶圓廠的“不二”之選。中科院微電子所也曾自己對涉訴專利有過評價(jià),其重要性程度不言而喻:


涉案專利涉及當(dāng)今[敏感詞]的晶體管器件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和核心工藝。該專利是在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))的支持下,圍繞集成電路先進(jìn)制造技術(shù)進(jìn)行布局的若干專利組合中的核心專利之一,能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。


簡單來說,這個專利技術(shù)主要涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法,包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底的鰭結(jié)構(gòu)上方的柵極結(jié)構(gòu)、位于柵極結(jié)構(gòu)下方的鰭結(jié)構(gòu)的溝道部分,以及設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方并且與溝道部分接觸的至少一個外延區(qū)等等。這一專利如今普遍應(yīng)用于芯片行業(yè),對于國內(nèi)而言,也是開拓芯片市場的一大利器。


行業(yè)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)FinFET商業(yè)化應(yīng)用的是Intel公司,英特爾率先于2011年推出了商業(yè)化的FinFET工藝技術(shù),將FinFET技術(shù)應(yīng)用到了自家的22nm制程工藝上,顯著提高了性能并降低了功耗,之后臺積電,韓國的現(xiàn)代和三星等相繼在16納米到10納米的節(jié)點(diǎn)上推出了鰭式場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品,使得FinFET大放異彩。


中科院微電子前身為原中國科學(xué)院109廠,其所在FinFET的研發(fā)上位居國際前沿,且多數(shù)專家都有國際巨頭半導(dǎo)體企業(yè)的從業(yè)經(jīng)歷。


FinFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上,因此對“鰭”的后續(xù)改進(jìn),就成為各家爭奪的焦點(diǎn),中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎(chǔ)性研究,有超過一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發(fā),所研發(fā)的FinFET技術(shù)比較接近基本原理,有充足的潛力去支持前端開發(fā),因此專利和科研成果之間的轉(zhuǎn)化也就相對容易。


公開信息顯示,微電子所專利數(shù)量和質(zhì)量都非??捎^。截至目前,微電子所圍繞集成電路、高可靠器件與電路、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域已經(jīng)提交中國專利申請5000余件,國外專利申請500余件,轉(zhuǎn)讓專利158件,達(dá)成專利許可1505件。


這些都是英特爾都很難具備對抗的實(shí)力。


寫在最后


綜上所述,中科院微電子所占據(jù)的優(yōu)勢并不是經(jīng)營規(guī)模多雄厚,資金實(shí)力多強(qiáng)大,而是在它擁有的業(yè)界知名專家,并且這些專家一直勤勤懇懇、兢兢業(yè)業(yè),這其中不少人在面臨改革開放對我國芯片產(chǎn)業(yè)造成的沖擊時(shí),也依然選擇堅(jiān)持下來,仔細(xì)研究,如此才獲得高質(zhì)量的專利產(chǎn)出,掌握了過硬的技術(shù)專利,才使得微電子所在應(yīng)對英特爾時(shí),一直處于優(yōu)勢。


中國芯片需要耐心、長期主義、需要腳踏實(shí)地,也希望我們國家能擁有更這樣的從業(yè)者!





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