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0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):30V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
功率(Pd):15W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
產(chǎn)品名稱:低壓MOS管SL607B
產(chǎn)品描述:
低壓MOS管SL607B是一款N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓、12A的連續(xù)漏極電流、15W的功率以及30mΩ@10V,5.6A的導(dǎo)通電阻。它采用SOT-23封裝,適用于多種低壓開關(guān)應(yīng)用。
主要特性:
- N溝道MOSFET
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 連續(xù)漏極電流(Id):12A
- 功率(Pd):15W
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
- 封裝:SOT-23
應(yīng)用領(lǐng)域:
低壓MOS管SL607B可廣泛應(yīng)用于低壓開關(guān)電路中,例如:
- 電源開關(guān)
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 汽車電子
- 消費(fèi)電子
電氣特性(Ta=25℃):
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 門源電壓(Vgs):±20V
- 連續(xù)漏極電流(Id):12A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
- 靜態(tài)參數(shù):
- 輸入電容(Ciss):630pF
- 輸出電容(Coss):200pF
- 反向傳輸電容(Crss):120pF
- 封裝:SOT-23
注意事項(xiàng):
- 請(qǐng)勿讓器件超過[敏感詞]額定值,否則可能會(huì)損壞器件。
- 請(qǐng)遵循正確的電路設(shè)計(jì)和操作規(guī)范。
- 器件在操作和存儲(chǔ)時(shí)應(yīng)避免超出溫度和濕度限制。
- 請(qǐng)?jiān)陟o電敏感設(shè)備(ESD)安全環(huán)境中操作器件,以避免靜電放電可能對(duì)器件造成的損害。
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