服務(wù)熱線
0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):20V
連續(xù)漏極電流(Id):±200mA
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.8Ω@2.5V,200mA
閾值電壓(Vgs(th)@Id):1V@1mA
產(chǎn)品介紹:低壓MOS管SL002N02K
產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管SL002N02K是一款專為低電壓應(yīng)用設(shè)計的N溝道增強型MOSFET,以其出色的電氣性能和緊湊的封裝設(shè)計,在眾多電子設(shè)備中展現(xiàn)出卓越的應(yīng)用潛力。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,確保了高可靠性和長壽命,是各種低壓電路中的理想選擇。
產(chǎn)品特性
低漏源電壓:SL002N02K的漏源電壓(Vdss)僅為20V,適合在低壓環(huán)境下工作,有效降低功耗和熱量產(chǎn)生。
高連續(xù)漏極電流:支持高達(dá)±200mA的連續(xù)漏極電流(Id),滿足多種高電流需求的應(yīng)用場景。
低導(dǎo)通電阻:在2.5V的柵源電壓(Vgs)和200mA的漏極電流下,導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為0.8Ω,有效降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:閾值電壓(Vgs(th))僅為1V@1mA,使得該器件在較低的控制電壓下即可開啟,便于集成于各種控制電路中。
產(chǎn)品優(yōu)勢
高效能:低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,使得SL002N02K在高效能電子系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。
低功耗:專為低壓設(shè)計,有效降低系統(tǒng)功耗,延長電池續(xù)航時間。
易于控制:低閾值電壓使得該器件易于通過微控制器等控制單元進(jìn)行開關(guān)控制。
高可靠性:采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,確保器件的高可靠性和長壽命。
應(yīng)用領(lǐng)域
SL002N02K廣泛應(yīng)用于各種低壓電子系統(tǒng),包括但不限于:
移動設(shè)備電源管理
便攜式電子設(shè)備的開關(guān)控制
低壓LED驅(qū)動電路
傳感器接口電路
微控制器輸出驅(qū)動
注意事項
在使用過程中,請確保電源電壓不超過器件的漏源電壓(Vdss)規(guī)格,以免損壞器件。
避免在超過連續(xù)漏極電流(Id)的條件下長時間工作,以防止器件過熱。
在進(jìn)行焊接或組裝時,請遵循相關(guān)安全操作規(guī)程,確保器件不受機械應(yīng)力或熱應(yīng)力影響。
請勿在潮濕或腐蝕性環(huán)境下使用或存儲該器件,以免影響其性能和可靠性。
以上即為SL002N02K低壓MOS管的詳細(xì)介紹,希望對您有所幫助。如有任何疑問或需要進(jìn)一步了解,請隨時聯(lián)系我們。
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