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碳化硅(SiC)的前世今生!

發(fā)布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1768



 
     

SiC作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率元器件。與傳統(tǒng)硅器件相比可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)和耐高溫高壓工作,因此在電源、汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備和家用消費(fèi)電子設(shè)備中倍受歡迎。雖然SiC最后通過人工合成可以制造,但因加工極其困難,所以SiC功率元器件量產(chǎn)化曾一度令研究者們頭疼。


※ 啥是碳化硅(SiC)?


碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等,因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。


在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為:

[敏感詞]代元素半導(dǎo)體材料:如硅(Si)和鍺(Ge);

第二代化合物半導(dǎo)體材料:如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等;

第三代寬禁帶材料:如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等。


其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料,堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。


歷史上人類[敏感詞]次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年,美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物,這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后,人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性,并利用碳化硅特性,做出各種新器件,碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。




 
     
 

相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,耐大電流的高頻大功率的器件。


目前已知的碳化硅有約200種晶體結(jié)構(gòu)形態(tài),分立方密排的閃鋅礦α晶型結(jié)構(gòu)(2H、4H、6H、15R)和六角密排的纖鋅礦β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)等。


其中β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)可以用來制造高頻器件以及其他薄膜材料的襯底,例如用來生長氮化鎵外延層、制造碳化硅基氮化鎵微波射頻器件等。α晶型4H可以用來制造大功率器件;6H最穩(wěn)定,可以用來制作光電器件。




※ 碳化硅的性能優(yōu)勢


如果只算碳化硅芯片,在功率半導(dǎo)體方面碳化硅的對比傳統(tǒng)硅基功率芯片,有著無可比擬的優(yōu)勢:碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件,使得整個功率器件模組更加輕巧、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng),同時還增強(qiáng)了可靠性,優(yōu)點(diǎn)十分明顯,具體總結(jié)如下:


1、更低的阻抗,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率;

2、適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度;

3、[敏感詞]的高溫特性,能在更高溫度下工作。


※ 為什么碳化硅這么貴?


所有人都知道碳化硅未來巨大的商業(yè)前景,但是所有投身這個行業(yè)的就會遇到[敏感詞]條最現(xiàn)實(shí)的問題,材料怎么辦?


目前傳統(tǒng)硅基產(chǎn)業(yè)極其成熟的商業(yè)環(huán)境,至少有一大半原因是硅材料較為容易得到。硅材料成熟且高效的制備技術(shù)使得硅材料目前十分低廉,目前6英寸硅拋光片僅150元,8英寸300元,12英寸850元左右。


只有原材料足夠便宜,產(chǎn)業(yè)規(guī)模才可能做大!


目前用直拉法,72小時能生長出2-3米左右的硅單晶棒,一根單晶棒一次能切下上千片硅片。


你知道72小時能長多少厚碳化硅單晶體嗎?只有幾厘米都不到?。?!


目前最快的碳化硅單晶生長的方法,生長速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小時也僅有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。


所以大家可以想象,生產(chǎn)出來的碳化硅單晶片能貴成啥樣了。目前4英寸碳化硅襯底售價在2000-3000元左右,6英寸襯底更是達(dá)到6000-8000元的水平,外延片至少再X2的價格以上,而且還有價無貨。


作為全世界碳化硅龍頭企業(yè),美國科銳(Cree)幾乎壟斷了70%以上的產(chǎn)能,因此國內(nèi)外下游廠家,紛紛和科銳簽訂長期合約鎖定產(chǎn)能。


※ 碳化硅的市場


碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能,UPS,工業(yè),汽車等應(yīng)用:主要集中在光伏儲能中的逆變器,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的UPS電源,智能電網(wǎng)充電站等需要轉(zhuǎn)換效率較高的領(lǐng)域。但是隨著近些年電動和混合動力汽車(xEV)的發(fā)展,SiC也在這個新領(lǐng)域迅速崛起,輻射的產(chǎn)業(yè)包括能源(PV,EV充電,智能電網(wǎng)等)、汽車(OBC,逆變器)、基礎(chǔ)設(shè)施(服務(wù)器)等。


綜上,在不遠(yuǎn)的將來,我們能預(yù)想到碳化硅會對電力電子行業(yè)產(chǎn)生革命性影響!


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