如何正確選擇mosfet 場效應管

??場效應晶體管廣泛應用于模擬電路和數(shù)字電路，與我們的生活息息相關(guān)。場效應管的優(yōu)點是：[敏感詞]，驅(qū)動電路相對簡單。場效應管所需的驅(qū)動電流比BJT的小得多，通?？梢灾苯佑蒀MOS或開路集電極TTL電路驅(qū)動。場效應晶體管的開關(guān)速度相對較快，由于沒有電荷存儲效應，可以以更高的速度工作。此外，場效應管沒有二次擊穿失效機制，在較高溫度下的耐久性更強，熱擊穿的可能性更低，在更寬的溫度范圍內(nèi)也能提供更好的性能。場效應已廣泛應用于消費電子、工業(yè)產(chǎn)品、機電設備、智能手機等便攜式數(shù)字電子產(chǎn)品。
??近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等行業(yè)廣泛使用場效應管產(chǎn)品，近年來發(fā)展迅速。功率場效應管備受關(guān)注。在未來，場效應管仍將占據(jù)主導地位。場效應晶體管仍將是許多剛進入該領域的工程師會接觸到的器件。接下來，微碧半導體將從基礎上討論場效應晶體管的一些基本知識，包括關(guān)鍵常數(shù)的選擇、介紹、系統(tǒng)和散熱考慮等。

??一、 場效應管的基本選擇

??FET有兩種：N型溝道和P型溝道[敏感詞]步是決定用N型溝道還是P型溝道MOS晶體管。在典型的電源應用中，當金屬氧化物半導體晶體管接地并且負載連接到電源電壓時，金屬氧化物半導體晶體管被配置為低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，考慮到關(guān)斷或接通器件所需的電壓，應使用N-溝道MOS晶體管。當金屬氧化物半導體晶體管連接到總線并且負載接地時，它應該在高壓側(cè)接通和斷開。這種拓撲通常采用P-溝道MOS晶體管，也是出于電壓驅(qū)動的考慮。

??確定所需的額定電壓或設備能夠承受的[敏感詞]電壓。額定電壓越高，器件成本越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應大于電源電壓或總線電壓。這樣，可以提供足夠的保護以防止 MOS管失效。就選擇金屬氧化物半導體晶體管而言，有必要確定漏極和源極之間可能的[敏感詞]電壓，即[敏感詞]VDS。知道 MOS管能承受的[敏感詞]電壓會隨溫度變化是非常重要的。我們必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓范圍。額定電壓必須有足夠的裕量來覆蓋這個變化范圍，以確保電路不會出現(xiàn)故障。其他需要考慮的安全因素包括開關(guān)電子設備(如電機或變壓器)引起的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也不同；一般便攜式設備為20V，F(xiàn)PGA電源為20 ~ 30 V，85 ~ 220 VAC應用為450 ~ 600 V，起亞半導體設計的MOS管耐壓強，應用領域廣，深受客戶青睞。
       二、確定 MOS管的額定電流

??額定電流應該是負載在任何情況下都能承受的[敏感詞]電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生峰值電流，也要確保所選的MOS晶體管能夠承受此額定電流。考慮的兩種電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導通模式下，金屬氧化物半導體晶體管處于穩(wěn)定狀態(tài)，電流持續(xù)流過器件。脈沖尖峰是指流經(jīng)器件的大量浪涌(或尖峰)。一旦確定了這些條件下的[敏感詞]電流，只需直接選擇能夠承受該[敏感詞]電流的器件。

??選擇額定電流后，還必須計算導通損耗。實際上，金屬氧化物半導體晶體管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有功率損耗，這就是所謂的導通損耗。MOS晶體管就像“導通”中的可變電阻，由器件的RDS(ON)決定，隨溫度變化顯著。器件的功耗可以通過Iload2×RDS(ON)計算。由于導通電阻隨溫度變化，功率損耗也會成比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越??；反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關(guān)于無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)(接通)電阻的各種電氣和氣動參數(shù)的變化可在制造商提供的技術(shù)數(shù)據(jù)表中找到。

??三、選擇  MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求。

??必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用最壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供了更大的安全裕度，可以保證系統(tǒng)不會出現(xiàn)故障。MOS管數(shù)據(jù)表中還有一些測量數(shù)據(jù)需要注意；器件的結(jié)溫等于[敏感詞]環(huán)境溫度加上熱阻和功耗的乘積(結(jié)溫=[敏感詞]環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］)。根據(jù)這個公式，可以求解出系統(tǒng)的[敏感詞]功耗，定義為等于I2×RDS(ON)。我們根據(jù)器件的[敏感詞]電流計算了不同溫度下的RDS(ON)。此外，電路板及其MOS管的散熱也要做好。

??雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過[敏感詞]值，形成強電場，使器件中的電流增大。芯片尺寸的增加將提高雪崩電阻，最終提高器件的魯棒性。因此，選擇更大的封裝可以有效防止雪崩。

??4.選擇  MOS管的最后一步是確定MOS管的開關(guān)性能。

??影響開關(guān)性能的參數(shù)很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容會導致器件的開關(guān)損耗，因為每次開關(guān)時都要充電。因此，金屬氧化物半導體晶體管的開關(guān)速度降低，并且器件效率也降低。為了計算器件在開關(guān)過程中的總損耗，應計算開關(guān)過程中的損耗(Eon)和開關(guān)過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關(guān)的總功率可由下式表示：Psw= （Eon+Eoff）×開關(guān)頻率。柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響[敏感詞]。

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