模塊保護(hù)-過(guò)壓保護(hù)

??晶閘管的過(guò)電壓能力極差。當(dāng)元件的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，元件也會(huì)被反向擊穿損壞。如果直流電壓超過(guò)晶閘管的正向?qū)妷海瑫?huì)導(dǎo)致晶閘管硬導(dǎo)通，不僅會(huì)使電路工作異常，而且在幾次硬導(dǎo)通后還會(huì)降低元件的正向?qū)妷?，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此，必須采取過(guò)電壓保護(hù)措施來(lái)抑制晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)電壓保護(hù)建議采用阻容吸收和壓敏電阻的保護(hù)措施。
??(1)阻容吸收回路

??晶閘管通斷時(shí)，與開(kāi)關(guān)電路一樣，由于線路電感(主要是變壓器漏電感LB)釋放的能量，會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。在晶閘管導(dǎo)通期間，載流子填充元件內(nèi)部，因此在元件關(guān)斷期間，直流電壓降至零，載流子保留在內(nèi)部。在反向電壓的作用下，這些積累的載流子瞬間出現(xiàn)較大的反向電流，使得積累的載流子迅速消失，然后反向電流消失得非?？?，即di/dt極大。因此，即使與元件串聯(lián)的線路的電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L  (di/dt)仍然很大。該電位與電源電壓串聯(lián)，反向施加到已被阻斷的元件上，這可能導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這種由晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓稱(chēng)為關(guān)斷過(guò)電壓，其值可達(dá)工作電壓峰值的5-6倍，因此必須采取抑制措施。

??在RC吸收電路中，電容將過(guò)電壓的電磁能量轉(zhuǎn)化為靜電儲(chǔ)能，電阻防止電容和電感之間的諧振，限制晶閘管的導(dǎo)通損耗和電流上升率。這種吸收回路可以抑制晶閘管從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管的擊穿。RC吸收電路的安裝位置應(yīng)盡可能靠近模塊的主端子。也就是說(shuō)，引線應(yīng)該很短。[敏感詞]使用無(wú)感電阻，以獲得更好的保護(hù)效果。

??(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓。

??壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱(chēng)電壓(V1mA)，是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30%的余量計(jì)算。V1mA≥1.3√2·U。式中 U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。

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