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發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1532
意法半導(dǎo)體(ST)11 日宣布,瑞典Norrköping 工廠制造出首批8 吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圓;將SiC 晶圓升級(jí)到8 吋代表ST 對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得階段性成功,且提升功率電子芯片輕量化和能效,并降低客戶獲取產(chǎn)品成本。
意法半導(dǎo)體汽車和離散元件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示,汽車和工業(yè)市場(chǎng)正在加速推動(dòng)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的進(jìn)程,升級(jí)到8 吋SiC 晶圓將為ST 的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大優(yōu)勢(shì);藉由覆蓋在SiC 生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域累積的深厚專業(yè)知識(shí),可提升ST 的制造彈性,還能更有效地控制晶圓良率和改善品質(zhì)。
ST 先進(jìn)的量產(chǎn)碳化硅STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6 吋晶圓廠完成前段制程制造,后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測(cè)廠進(jìn)行。這個(gè)階段性的成功是ST 布局更先進(jìn)、高成本效益之8 吋SiC量產(chǎn)計(jì)劃的一部分;ST 正在執(zhí)行新建碳化硅基板廠和內(nèi)部采購碳化硅基板比重超過40% 的計(jì)劃(到2024 年)。
據(jù)悉,ST 首批8 吋SiC 晶圓品質(zhì)十分優(yōu)良,對(duì)芯片良率和晶體位元錯(cuò)誤之缺陷非常低。低缺陷率歸功于ST 碳化硅公司(前身為Norstel,2019年被ST 收購)在SiC 硅錠生長技術(shù)深厚積累的研發(fā)技術(shù)。除了晶圓能滿足嚴(yán)格的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn),升級(jí)到8 吋SiC 晶圓還需要對(duì)制造設(shè)備和支援生態(tài)系統(tǒng)的升級(jí),ST 正與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作研發(fā)專屬的制造設(shè)備和生產(chǎn)制程。
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