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發(fā)布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:10744
一、指代不同
1、源極:簡稱場效應管。T僅是由多數(shù)載流子參與導電,與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。
2、漏極:利用外部電路的驅動能力,減少IC內(nèi)部的驅動,或驅動比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極:在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區(qū)(用P+表示),就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起,引出一個電極,稱為柵極(g),在N型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極:將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個電極。
擴展資料:
源極結構原理
在一塊P型半導體的兩邊各擴散一個高雜質濃度的N+區(qū),就可以制成一個P溝道的結型場效應管。上圖給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向,可以確認溝道的類型。
漏極結構原理
一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
參考資料來源:
百度百科-源極
參考資料來源:
百度百科-漏極
gate相當于一個門(開關)VG大于VT管子導通,源就是電子來源的地方,漏就是電子消失(漏掉)的地方。
通道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設漏極和源極是ntype,那么通道也會是ntype
動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息,但由于柵極電容的容量很小,而漏電流又不可能[敏感詞]等于0,所以電荷保存的時間有限
場效應管源極電位比柵極電位高(約0.4V)。
場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電,被稱之為雙極型器件.
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.to-3p這種直插式的封裝,有字的一面朝向自己,引腳向下,這樣從左到右依次是 g、c、e。
其中,g就是柵極,
c是集電極,相當于d漏極,
e是發(fā)射極,相當于s源極。
1、區(qū)別:源極(source)source資源,電源,中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出,泄漏,中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。
2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。mos管的定義:場效應管的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區(qū)域,用p+表示,形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極,分別稱為漏極d和源極s。 把兩邊的p區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓,n區(qū)中的多子(也就是電子)可以導電。它們從源極s出發(fā), 流向漏極d。電流方向由d指向s,稱為漏極電流id.。由于導電溝道是n型的,故稱為n溝道結型場效應管。
場效應管(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的,漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效應管在制造產(chǎn)品
時已把源極和襯底連接在一起了
,所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳,形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位,n襯底接高電位。MS在半導體材料的層面上沒有本質區(qū)別,當時在半導體器件設計時, 一般將襯底極與源極相連,所以MOSFET的開關性能與V_{GS}相關,只要V_{GS}超過閾值,就導通/截止(取決于耗盡型還是增強型)所以本質上S,D是由半導體器件制造時內(nèi)部連接方式?jīng)Q定的.所以反接會導致短路
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