導(dǎo)語：

SIA 數(shù)據(jù)顯示，6 月份全球半導(dǎo)體銷售額相對穩(wěn)定，6 月份銷售額為 508.2 億美元，第二季度全球半導(dǎo)體銷售額為 1525 億美元。 同比增長 13.3%，環(huán)比增長 0.5%。 據(jù) Gartner 稱，由于對云基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)投資，數(shù)據(jù)中心市場的半導(dǎo)體收入預(yù)計將在 2022 年增長 20%，因為它們在更長時間內(nèi)保持彈性。 在接下來的三年里。

近幾年，中美圍繞芯片之爭一直是個熱門話題，現(xiàn)在隨著美國芯片法案的正式落地，中國半導(dǎo)體行業(yè)或隨之發(fā)生質(zhì)變。?本文從設(shè)備、部件和材料看半導(dǎo)體行業(yè)的國產(chǎn)替代趨勢。

01.

根據(jù)集微網(wǎng)統(tǒng)計，2020~2022 年國內(nèi)晶圓廠總投資金額分別約 1500/1400/1200 億元，其中內(nèi)資晶圓廠投資金額約1000/1200/1100 億元。2020~2022 年國內(nèi)晶圓廠投資額將是歷史上[敏感詞]的三年，且未來還有新增項目的可能。

▲國內(nèi)晶圓廠投資規(guī)模（億元）（2020~2022 年為預(yù)測數(shù)據(jù)）

生產(chǎn)效率及降低成本因素推動下，全球 8 寸擴產(chǎn)放緩，12 寸晶圓廠擴產(chǎn)如火如荼。2020 年以來，國內(nèi) 12 寸晶圓廠遍地開花，除中芯國際外，聞泰、格科微、海芯等公司紛紛計劃建設(shè) 12 寸晶圓廠，粵芯半導(dǎo)體、華虹無錫等 12 英寸生產(chǎn)線陸續(xù)建成投產(chǎn)。

根據(jù) SEMI，2019 年至 2024 年，全球至少新增 38 個 12 寸晶圓廠，其中中國臺灣 11 個，中國大陸 8 個，到 2024 年，中國 12 寸晶圓產(chǎn)能將占全球約 20%。大量晶圓廠的擴建、投產(chǎn)，將帶動對上游半導(dǎo)體設(shè)備的需求提升，更有望為國產(chǎn)化設(shè)備打開發(fā)展空間。

中芯國際 2021 年資本開支維持高位，達到 45 億美金（大部分用于擴成熟制程，尤其是 8 寸數(shù)量擴 4.5 萬片/月），預(yù)計 2022 年達到 50 億美金。華虹 2021 年全年資本開支 9.39 億美金，其中 8.39 億美金用于 12 英寸擴產(chǎn)，0.99 億美金用于 8 英寸產(chǎn)能。

公司 2022 年規(guī)劃資本開支超過 15 億美金，其中 12 寸產(chǎn)能從 65K 增加到 95K，資本開支預(yù)計 14 億美金，8 寸廠升級提升效率，預(yù)計開支約 1.8億美金。根據(jù)公司 2022Q1 法說會，華虹無錫二期規(guī)劃開始進行，技術(shù)上延展特色工藝平臺，相關(guān)工作在抓緊推進中。

合肥長鑫從 19nm 向 17nm 轉(zhuǎn)移，加速技術(shù)提升，在北京設(shè)廠進一步擴產(chǎn)。長江存儲 2019 年開始量產(chǎn) 64 層 3DNAND，2020年 4 月發(fā)布 128 層 3DNAND，2022 年 8 月正式推出基于 Xtacking3.0 技術(shù)的第四代 TLC三維閃存 X3-9070，相比上一代產(chǎn)品，存儲密度更高，I/O 速度更快，高達 2400MT/s，提升 50%，并采用 6-plane 設(shè)計，在性能提升超過 50%的情況下，功耗降低 25%。此次新品推出，公司加速追趕步伐，進一步縮小與海外龍頭差距。

長江存儲二期合計規(guī)劃產(chǎn)能 30 萬片/月，合肥長鑫規(guī)劃三期產(chǎn)能，全部投產(chǎn)后達到 36 萬片/月。長江存儲、合肥長鑫作為國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展重鎮(zhèn)，在打開存儲產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代局面中具有重要作用。并且國內(nèi)的存儲產(chǎn)業(yè)對于半導(dǎo)體設(shè)備及材料都將具有重要的拉動作用。

根據(jù)SEMI，2021 年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額 1026 億美元，同比激增 44%，全年銷售額創(chuàng)歷史新高。大陸設(shè)備市場在 2013 年之前占全球比重為 10%以內(nèi)，2014~2017 年提升至 10~20%，2018年之后保持在 20%以上，份額呈逐年上行趨勢。2020-2021 年，國內(nèi)晶圓廠投建、半導(dǎo)體行業(yè)加大投入，大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模首次在市場全球排首位，2021 達到 296.2 億美元，同比增長 58%，占比 28.9%。展望 2022 年，存儲需求復(fù)蘇，韓國預(yù)計將領(lǐng)跑全球，但大陸設(shè)備市場規(guī)模有望保持較高比重。

▲全球半導(dǎo)體設(shè)備季度銷售額（億美元）

目前，國內(nèi)國產(chǎn)化逐漸起航，從 0 到 1 的過程基本完成。北方華創(chuàng)產(chǎn)品布局廣泛，刻蝕機、PVD、CVD、氧化/擴散爐、退火爐、清洗機、ALD 等設(shè)備新產(chǎn)品市場導(dǎo)入節(jié)奏加快，產(chǎn)品工藝覆蓋率及客戶滲透率進一步提高，在集成電路領(lǐng)域主流生產(chǎn)線實現(xiàn)批量銷售，產(chǎn)品加速迭代；第三代半導(dǎo)體、新型顯示、光伏設(shè)備產(chǎn)品線進一步拓寬，出貨量實現(xiàn)較快增長。

拓荊科技作為國內(nèi)[敏感詞]一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 PECVD 和 SACVD 設(shè)備的供應(yīng)商，PECVD累計發(fā)貨 150 臺，廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、合肥長鑫、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠，PEALD 已實現(xiàn)銷售；

中微公司介質(zhì)刻蝕機已經(jīng)打入 5nm 制程，新款用于高性能 Mini-LED 量產(chǎn)的 MOCVD 設(shè)備 UniMax 2022Q1 訂單已超 180 腔；

芯源微前道涂膠顯影設(shè)備在 28nm 及以上多項技術(shù)及高產(chǎn)能結(jié)構(gòu)方面取得進展，并實現(xiàn)多種核心零部件的國產(chǎn)替代，公司前道物理清洗設(shè)備已經(jīng)達到國際先進水平并成功實現(xiàn)國產(chǎn)替代，新簽訂單結(jié)構(gòu)中前道產(chǎn)品占比大幅提升；

華海清科 CMP 設(shè)備在邏輯芯片、3DNAND、DRAM 制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別突破至 14nm、128 層、1X/1Ynm，到2021 年底，公司 CMP 設(shè)備累計出貨超過 140 臺，未發(fā)出產(chǎn)品的在手訂單超 70 臺。

Mattson（屹唐半導(dǎo)體）在去膠設(shè)備市占率全球第二；盛美半導(dǎo)體單片清洗機在海力士、長存、SMIC 等產(chǎn)線量產(chǎn)。精測電子、上海睿勵在測量領(lǐng)域突破國外壟斷。

▲國產(chǎn)設(shè)備替代進程

從國內(nèi)晶圓廠招投標(biāo)情況，設(shè)備各個環(huán)節(jié)均有突破進展。華虹無錫2022 年上半年招標(biāo)刻蝕設(shè)備 49 臺，其中 Lam 中標(biāo)26 臺，TEL 中標(biāo) 5 臺，中微公司中標(biāo) 13 臺，北方華創(chuàng)中標(biāo) 4 臺。中微公司中標(biāo)的 13 臺具體為氧化膜等離子體刻蝕機 8 臺，鈍化膜等離子體刻蝕機 3 臺，氮化硅等離子體刻蝕機 2 臺；北風(fēng)華創(chuàng)分別中標(biāo)多晶柵等離子體刻蝕機 2 臺和有源區(qū)等離子體刻蝕機 2 臺。

▲華虹無錫 2022 年上半年刻蝕設(shè)備采購情況（臺）

積塔 2022H1 招標(biāo)刻蝕設(shè)備 29 臺，其中北方華創(chuàng)中標(biāo) 13 臺，中微公司中標(biāo) 8 臺，TEL中標(biāo) 3 臺，Lam 中標(biāo) 2 臺。北方華創(chuàng)中標(biāo)的 13 臺設(shè)備分別為金屬等離子刻蝕機 7 臺，多晶硅刻蝕機 5 臺，鋁刻蝕機 1 臺。中微公司中標(biāo) 7 臺鈍化層等離子刻蝕機，1 臺通孔深隔離槽鈍化層介質(zhì)層刻蝕機。

從長江存儲的中標(biāo)信息看，截至 2021 年底，長江存儲共招標(biāo)刻蝕設(shè)備 452 臺，其中 Lam236 臺，TEL 61 臺，中微公司 59 臺，應(yīng)用材料 38 臺，北方華創(chuàng) 26 臺，SCREEN 13 臺，屹唐半導(dǎo)體 11 臺。北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域布局集中于硅刻蝕，設(shè)備品類對標(biāo) Lam，仍具有較大潛力空間。

以 Lam Research 為例，在長江存儲的 Nand Flash 產(chǎn)線上，僅僅刻蝕機一個品類，供應(yīng)的設(shè)備量接近 40 種不同工藝環(huán)節(jié)，其中多數(shù)工藝環(huán)節(jié)設(shè)備具有獨占性，尤其是刻蝕高深寬比的深孔、深溝等環(huán)節(jié)工藝。中微公司刻蝕設(shè)備種類范圍較多，主要布局介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域，北方華創(chuàng)在刻蝕領(lǐng)域布局集中于硅刻蝕，設(shè)備品類對標(biāo) Lam，仍具有較大潛力空間。

▲Lam Research、北方華創(chuàng)、中微公司中標(biāo)長江存儲的刻蝕機臺種類及數(shù)量（臺）

華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)薄膜沉積設(shè)備 60 臺，其中應(yīng)用材料 26 臺，Lam 中標(biāo) 26 臺，北方華創(chuàng)中標(biāo) 3 臺，拓荊科技 3 臺，ASM America 2 臺。北方華創(chuàng)中標(biāo)的 3 臺具體為 PVD（鈦、氮化鈦、氮化鉭和鋁銅）1 臺、金屬氮化鈦濺射掩膜層設(shè)備 2 臺；拓荊科技中標(biāo)的 3 臺均為 PECVD 設(shè)備，分別是 PECVD（后段以硅烷作反應(yīng)物的二氧化硅）2 臺以及 PECVD（后段以硅烷作反應(yīng)物的氮化硅）1 臺。

積塔 2022H1 招標(biāo)刻蝕設(shè)備 55 臺，其中 TEL 13 臺，拓荊科技 11 臺，應(yīng)用材料 7 臺，ASM 7 臺，北方華創(chuàng) 6 臺，中國臺灣旭宇騰 6 臺，Lam 3 臺。拓荊科技中標(biāo)的 11 臺PECVD 設(shè)備分別為 8 臺二氧化硅/氮化硅/氟化硅/氮氧化硅 PECVD 及 3 臺二氧化硅PECVD；北方華創(chuàng)中標(biāo)的 6 臺設(shè)備包括 5 臺鋁銅金屬濺射、厚鋁銅金屬濺射設(shè)備。

長江存儲截至 2021 年底共招標(biāo)薄膜沉積設(shè)備 779 臺，其中 TEL 212 臺，應(yīng)用材料 181臺，Lam 177 臺，日本國際計測器株式會社（KOKUSAI）150 臺，日立國際電氣 20 臺，拓荊科技 18 臺，北方華創(chuàng) 15 臺， ASM 5 臺。

根據(jù)招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)化學(xué)機械拋光設(shè)備 15 臺，其中應(yīng)用材料中標(biāo) 12 臺，華海清科中標(biāo) 3 臺。應(yīng)用材料中標(biāo)的 10 臺具體為銅金屬層化學(xué)機械拋光設(shè)備 7 臺，淺溝槽絕緣氧化膜化學(xué)機械拋光設(shè)備 2 臺，多晶硅膜化學(xué)機械拋光設(shè)備2 臺，硅化學(xué)機械拋光設(shè)備 1 臺；華海清科分別中標(biāo)銅金屬層化學(xué)機械拋光設(shè)備 2 臺，鎢金屬層化學(xué)機械拋光設(shè)備 1 臺。

積塔半導(dǎo)體 2022 年 1-5 月招標(biāo)的化學(xué)機械拋光設(shè)備總共 6 臺，其中華海清科 5 臺，應(yīng)用材料 1 臺。華海清科中標(biāo)的 4 臺為鎢金屬層化學(xué)機械拋光設(shè)備，1 臺為二氧化硅化學(xué)機械拋光設(shè)備。應(yīng)用材料中標(biāo)了 1 臺銅金屬層化學(xué)劑型拋光設(shè)備。

長江存儲截至 2021 年底共招標(biāo)化學(xué)機械拋光設(shè)備 112 臺，其中華海清科中標(biāo) 34 臺，應(yīng)用材料中標(biāo) 73 臺。分具體產(chǎn)品來看，華海清科中標(biāo)的設(shè)備中，氧化硅化學(xué)機械拋光機 9臺，層間介質(zhì)層化學(xué)機械拋光機 6 臺，晶圓硅面化學(xué)機械拋光機 6 臺。應(yīng)用材料中標(biāo)的設(shè)備包括銅化學(xué)機械拋光機 23 臺，前段鎢化學(xué)機械拋光機 16 臺等。

根據(jù)招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)清洗/去膠設(shè)備 45 臺，其中SCREEN中標(biāo) 15 臺，盛美半導(dǎo)體中標(biāo) 10 臺，屹唐半導(dǎo)體中標(biāo) 8 臺，Lam 中標(biāo) 6 臺，TEL 中標(biāo) 5臺，至純科技中標(biāo) 1 臺。盛美半導(dǎo)體中標(biāo)的 10 臺設(shè)備種類較為豐富，包括銅線聚合體剝離設(shè)備、光刻膠剝離設(shè)備等，屹唐半導(dǎo)體 8 臺設(shè)備均為等離子去膠機，至純科技中標(biāo)的1 臺設(shè)備為后段擋控片清洗設(shè)備。

華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)涂膠顯影設(shè)備 9 臺，均采購于 TEL，包括 ArF 涂膠顯影機 2 臺，KrF 涂膠顯影機 2 臺，I 線涂膠顯影機 3 臺，聚酰亞胺涂膠顯影機及涂膠機 2 臺。長江存儲截至 2021 年底共招標(biāo)涂膠顯影設(shè)備 45臺，其中 TEL 4 臺，SCREEN 1 臺。積塔 2022H1 招標(biāo)涂膠顯影設(shè)備 12 臺，其中 TEL 3臺，芯源微中標(biāo) 2 臺，分別為抗反射層涂膠機和聚合物涂膠顯影機，上海向盈中標(biāo) 4 臺紫外線烘烤機，合肥開悅中標(biāo)了 2 臺涂膠顯影機。

根據(jù)招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)離子注入設(shè)備 18 臺，其中 Sumitomo（住友商事）中標(biāo) 8 臺（7 臺中電流離子注入設(shè)備），應(yīng)用材料中標(biāo) 7 臺（均為高電流離子注入設(shè)備），亞舍立 2 臺（分別為超高電流離子注入設(shè)備和高能量離子注入設(shè)備），北京爍科中科信 1 臺，爍科中標(biāo)的為中電流離子注入設(shè)備。積塔 2022H1 招標(biāo)離子注入設(shè)備 12 臺，其中亞舍立 10 臺，應(yīng)用材料 2 臺。長江存儲截至 2021 年底共招標(biāo)涂膠顯影設(shè)備 54 臺，其中應(yīng)用材料 44 臺，亞舍立 8 臺，中國臺灣漢辰科技 2 臺。

根據(jù)公開招投標(biāo)信息統(tǒng)計，截止 2021 年底，長江存儲項目累計中標(biāo)過程控制類設(shè)備約 376 臺，其中國產(chǎn)設(shè)備累計約 16 臺。上海精測中標(biāo) 6 臺集成式膜厚設(shè)備；中科飛測中標(biāo) 1 臺晶圓表面凹陷檢測系統(tǒng)、5 臺光學(xué)表面三維形貌量測設(shè)備、2 臺其他量測設(shè)備；睿勵科學(xué)中標(biāo) 2 臺介質(zhì)薄膜測量系統(tǒng)。KLA 的設(shè)備機臺數(shù)量占總數(shù)量約 26%，中標(biāo)數(shù)量約 97 臺，覆蓋超過30 種量測、檢測需求。

▲國內(nèi)龍頭存儲晶圓廠中標(biāo)過程控制設(shè)備市占率分布

▲國內(nèi)龍頭存儲晶圓廠中標(biāo)過程控制設(shè)備 KLA 中標(biāo)機臺情況（臺數(shù)）

根據(jù)招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，華虹無錫 2022 年上半年招標(biāo)測試設(shè)備 57 臺，其中 TEL 中標(biāo)20 臺（19 臺測試探針臺），是德科技中標(biāo) 8 臺，DISCO 中標(biāo) 4 臺，廣立微中標(biāo) 3 臺，均為高性能并行電特性測試儀。積塔 2022H1 招標(biāo)測試設(shè)備 16 臺， TEL 9 臺，上海友能4 臺背面工藝測試測試機。

設(shè)備行業(yè)核心公司（北方華創(chuàng)、芯源微、華峰測控、中微公司、新益昌、長川科技、萬業(yè)企業(yè)、精測電子、至純科技，拓荊科技、華海清科及盛美上海由于 2020 年數(shù)據(jù)不完整未被算入）2022Q1營業(yè)收入總計76.2億元，同比增長55.3%；扣非歸母凈利潤11.4億元，同比增長83.0%。設(shè)備行業(yè)持續(xù)處于高速增長，國產(chǎn)替代空間快速打開，國內(nèi)核心設(shè)備公司成長可期。

▲設(shè)備核心公司營業(yè)收入及歸母凈利潤（億元）

根據(jù)韓國 etnews 報道，半導(dǎo)體設(shè)備需求激增與上游零部件擴產(chǎn)不足的矛盾形成了瓶頸。半導(dǎo)體設(shè)備先進部件的交貨期與通常相比延遲了兩倍以上，由原來的通常 2-3 個月拉長至超過 6 個月。美國、日本和德國生產(chǎn)的先進零部件交期延長尤為嚴(yán)重，如高級傳感器、精密溫度計、控制設(shè)備的 MCU 和電力線通信（PLC）設(shè)備。其中 PLC 設(shè)備的交期已經(jīng)被延遲到超過 12 個月。出現(xiàn)這種情況的原因主要是零部件廠商通常重資產(chǎn)，擴產(chǎn)速度相對半導(dǎo)體設(shè)備廠商較慢。

海外半導(dǎo)體研究機構(gòu) VLSI 將全球半導(dǎo)體零部件主要分為兩大類，一大類是半導(dǎo)體關(guān)鍵子系統(tǒng)（Critical Subsystems），主要包括真空系統(tǒng)（Vacuum）、電源系統(tǒng)（Power）、流量控制（Fluid）、光學(xué)系統(tǒng)（Optical Subsystems）、晶圓傳遞（Wafer Robotics）、熱量管理（Thermal）等，另一大類是關(guān)鍵零部件（Critical Components），包括靜電卡盤、陶瓷件等，根據(jù) VLSI，2020 年全球半導(dǎo)體零部件關(guān)鍵子系統(tǒng)市場規(guī)模超過 122 億美金，預(yù)計 2021 年同比再增長 7%達到約130 億美金。VLSI 測算關(guān)鍵子系統(tǒng)市場規(guī)模在 120 億美金左右的同時，認(rèn)為關(guān)鍵零部件市場規(guī)模在 70 億美金，若同樣按照 7%增速測算，2021 年關(guān)鍵零部件市場規(guī)模預(yù)計為75 億美金。

由于 VSLI 數(shù)據(jù)為 2020 年底預(yù)測數(shù)據(jù)，實際上根據(jù) SEMI，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模 2021年同比增長 44%，若按照與設(shè)備市場同樣的增速測算，2021 年半導(dǎo)體關(guān)鍵子系統(tǒng)的需求在 122*1.44=175.7 億美金，關(guān)鍵零部件市場需求在 70*1.44=100.8 億美金，合計市場規(guī)模或超過 275 億美金。

根據(jù)芯謀研究，2020 年中國大陸晶圓廠 8 英寸和 12 英寸前道設(shè)備零部件采購金額超過 10 億美金。其中不含海外廠商在國內(nèi)的產(chǎn)線，中國內(nèi)資晶圓廠采購金額約 4.3 億美金。中國晶圓廠采購的設(shè)備零部件主要包括石英（Quartz）、射頻發(fā)生器（RF Generator）、各種泵（Pump）等，分別占零部件采購金額的比重≥10%。此外各種閥門（Valve）、吸盤（Chuck）、反應(yīng)腔噴淋頭（Shower Head）、邊緣環(huán)（Edge Ring）等零部件的采購占比也較高。

如果以 2020 年全球 192 億美金的市場規(guī)模為基礎(chǔ)，中國的 10 億美金采購額占全球的不到 5%，主要是因為國內(nèi)設(shè)備廠商正處于持續(xù)研發(fā)突破，產(chǎn)品初步起量階段，也因此隨著國產(chǎn)設(shè)備廠商的放量，未來國內(nèi)零部件需求預(yù)計會快速增長。

▲2020 年中國晶圓廠商采購的 8-12 寸晶圓設(shè)備前道零部件產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

2000-2010 年伴隨收購并購，行業(yè)持續(xù)整合，全球關(guān)鍵子系統(tǒng)前十大廠商的合計份額逐步提升，2010年以來前十大家的份額始終維持在 50%左右的水平。2020 年，蔡司仍占據(jù)[敏感詞]位置，受益于對射頻電源子系統(tǒng)的強勁需求，MKS 超過 Edwards 躍居第二。

▲2020 年全球前十大關(guān)鍵子系統(tǒng)供應(yīng)商

▲全球前十大半導(dǎo)體零部件廠商營收

國產(chǎn)零部件廠商持續(xù)突破，加速替代。富創(chuàng)精密工藝零部件已應(yīng)用于 7nm 制程半導(dǎo)體設(shè)備；江豐電子與國內(nèi)主流設(shè)備廠達成戰(zhàn)略合作，2021 年半導(dǎo)體零部件營收 1.84 億元；

華亞智能精密金屬結(jié)構(gòu)件已通過海外龍頭設(shè)備廠商的一級供應(yīng)商初步認(rèn)證以及二級供應(yīng)商認(rèn)證；神工股份布局硅電極材料，打開市場空間；

萬業(yè)企業(yè)旗下 Compart Systems 是全球領(lǐng)先的集成電路氣體輸送系統(tǒng)領(lǐng)域精密零組件及流量控制解決方案供應(yīng)商；

華卓精科聯(lián)手清華大學(xué)，布局超精密測控裝備部件及光刻機雙工臺模塊；

新萊應(yīng)材深耕高潔凈應(yīng)用材料，產(chǎn)品特殊工藝和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)通過應(yīng)材認(rèn)證并成為其一級供應(yīng)商；

先鋒半導(dǎo)體 獲中微公司投資，表面處理等特種工藝及檢測尺寸檢測積累豐富；

英杰電氣正積極推進射頻電源行業(yè)相關(guān)應(yīng)用，屬于進口替代類型產(chǎn)品，可運用于半導(dǎo)體設(shè)備以及光伏電池行業(yè)；

漢鐘精機半導(dǎo)體用真空泵順利通過上海市真空學(xué)會科技成果評價，其半導(dǎo)體用真空泵已向國內(nèi)晶圓廠實現(xiàn)小批量供貨；國力股份在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域主要要生產(chǎn)用于半導(dǎo)體設(shè)備中射頻電源的陶瓷真空電容器及陶瓷高壓真空繼電器。

03.

半導(dǎo)體材料

晶圓廠持續(xù)擴產(chǎn)，材料拐點已至

2021 年半導(dǎo)體市場規(guī)模超預(yù)期增長，且未來隨著晶圓廠逐步投產(chǎn)，行業(yè)產(chǎn)值有望在2030 年超過萬億美元市場。從需求端來看，以汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、5G 通訊等代表的需求驅(qū)動驅(qū)動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入“第四次半導(dǎo)體硅含量提升周期”。根據(jù) SEMI，2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值有望超過 5500 億美元，達到歷史新高，且在 2022 年根據(jù) SEMI 對于行業(yè)資訊機構(gòu)的統(tǒng)計，平均對于 2022 年的增長預(yù)期將達到 9.5%，即 2022 年市場規(guī)模有望突破 6000 億美元（此為平均值）。

此外隨著全球 8 寸及 12 寸晶圓新產(chǎn)能逐步的在2022 年至 2024 年的投放，至 2024 年全球?qū)?25 家 8 寸晶圓廠投產(chǎn)，60 座 12 寸晶圓廠投放。隨著該 85 座晶圓廠的投放，至 2030 年全球半導(dǎo)體晶圓市場將有望達到萬億美元市場，實現(xiàn)年復(fù)合增長率約 7%。

2021 年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模創(chuàng)新高，中國大陸需求占比 18.6%。根據(jù) SEMI，強勁的下游需求及晶圓產(chǎn)能的擴張驅(qū)動2021 年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模同比增長 15.9%達到 643 億美金新高。其中晶圓制造材料和封裝材料市場規(guī)模分別為 404 億美金和 239億美金，同比增長 15.5%和 16.5%。

晶圓制造環(huán)節(jié)中的硅片、化學(xué)品、CMP 和光掩膜環(huán)節(jié)是增速最快的幾大領(lǐng)域，而硅片也是晶圓制造中成本占比[敏感詞]的環(huán)節(jié)，市場規(guī)模超過130 億美金。由于半導(dǎo)體芯片存在較大的價格波動，但是作為上游原材料的價格相對較為穩(wěn)定，因此半導(dǎo)體材料可以被譽為半導(dǎo)體行業(yè)中剔除價格影響[敏感詞]的參考指標(biāo)之一。

▲全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模

▲封裝及晶圓制造材料市場規(guī)模

在半導(dǎo)體原材料領(lǐng)域，集成電路技術(shù)發(fā)展到微納電子制造的物理極限，單獨依靠特征尺寸縮小已不足以實現(xiàn)技術(shù)發(fā)展目標(biāo)。新材料的引入以及相應(yīng)的新材料技術(shù)與微納制造技術(shù)相結(jié)合共同推動著集成電路不斷發(fā)展。集成電路制造工藝用到元素已經(jīng)從 12 種增加到 61 種。伴隨微納制造工藝不斷發(fā)展，對材料的純度，納米精度尺寸控制、材料的功能性等都提出了嚴(yán)苛的需求。

在全球半導(dǎo)體材料的需求格局之中，中國大陸從 2011 年的 10%的需求占比，至 2021 年已經(jīng)達到占據(jù)全球需求總量的 18.6%，僅次于中國臺灣（22.9%），位列全球第二。隨著整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長，以及中國大陸不斷新建的代工產(chǎn)能，我們有望看到中國大陸半導(dǎo)體市場規(guī)模增速將會持續(xù)超越全球增速的同時，攀登至全球需求[敏感詞]的寶座。

▲2021 年半導(dǎo)體材料市場按地域分布

隨著半導(dǎo)體市場晶圓代工的持續(xù)擴產(chǎn)，對于晶圓制造中不可缺失的基礎(chǔ)材料將會有著非常大的需求拉動，而在此階段我們可以看到隨著技術(shù)及工藝的推進以及中國電子產(chǎn)業(yè)鏈逐步的完善，在材料領(lǐng)域已經(jīng)開始涌現(xiàn)出各類已經(jīng)進入批量生產(chǎn)及供應(yīng)的廠商。

▲半導(dǎo)體材料公司在電子材料業(yè)務(wù)領(lǐng)域營收情況（億元）

▲當(dāng)前部分 A 股半導(dǎo)體材料公司在細(xì)分領(lǐng)域的進展及后續(xù)規(guī)劃（研發(fā)費用為 2021 年數(shù)字，億元）

智東西認(rèn)為，近期美國芯片法案進一步加大了對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的遏制，范圍從先進制程擴大到成熟制程。而中國要實現(xiàn)芯片的彎道超車，在無法從先進制程上突破時，只能從封裝技術(shù)、構(gòu)架、材料三方面入手，提高成熟制程的效率，具體受益方向包括但不限于半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備等。

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