IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和檢測(cè)方法
IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS)組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導(dǎo)體輸入的達(dá)林頓晶體管。

它結(jié)合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，具有易驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高(10-40hz)等特點(diǎn)。它已逐漸取代晶閘管和門極關(guān)斷晶閘管(GTO)，是目前發(fā)展最快的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積高效率變頻電源、電機(jī)調(diào)速、不間斷電源和逆變焊機(jī)。

IGBT的工作原則

IGBT由柵極G控制，發(fā)射極E和集電極c。如果 IGBT柵極和發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動(dòng)電壓太低， IGBT就不能穩(wěn)定工作；如果柵極和發(fā)射器之間的耐受電壓過(guò)高甚至超過(guò)， IGBT可能會(huì)[敏感詞]受損。

同樣，如果IGBT的集電極和發(fā)射極之間的電壓超過(guò)允許值，流經(jīng) IGBT的電流將超過(guò)極限，導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過(guò)允許值，此時(shí)IGBT可能會(huì)[敏感詞]受損。

IGBT極性判斷

測(cè)試 IGBT時(shí)，應(yīng)選擇指針式萬(wàn)用表。首先將萬(wàn)用表設(shè)在r1k，用萬(wàn)用表測(cè)量?jī)蓸O間的電阻。如果一極和其他極的電阻值是無(wú)窮大，換探頭后這個(gè)極和其他極的電阻值還是無(wú)窮大，這就是柵極g，用萬(wàn)用表測(cè)量其他極之間的電阻。如果測(cè)得的電阻為無(wú)窮大，則更換探頭后電阻變小。當(dāng)測(cè)得的電阻較小時(shí)，紅色探針接觸集電極C，黑表筆接觸發(fā)射極e

對(duì) IGBT品質(zhì)的判斷

判斷 IGBT好壞時(shí)，必須選擇指針式萬(wàn)用表(電子萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓過(guò)低)，也可以用9V電池代替。首先，將萬(wàn)用表?yè)艿絩10k檔(當(dāng)使用r1k檔時(shí)，內(nèi)部電壓過(guò)低，無(wú)法打開(kāi) IGBT)。用黑色手寫筆連接 IGBT的集電極C和紅表筆接IGBT的發(fā)射極E，萬(wàn)用表的指針為零。

用手指同時(shí)觸摸網(wǎng)格G和集電極C，則觸發(fā) IGBT導(dǎo)通，萬(wàn)用表指針明顯擺動(dòng)指向電阻較小的方向，可以保持在一定位置。然后用手指同時(shí)觸摸柵極G和發(fā)射極E。這時(shí) IGBT被堵了，萬(wàn)用表指針是回零在檢測(cè)中，上述現(xiàn)象都是一致的，可以判斷 IGBT是好的，否則就是 IGBT有問(wèn)題。

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