IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？

發(fā)布時(shí)間：2022-03-17作者來源：薩科微瀏覽：1758

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？

IGBT

怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。

1.結(jié)構(gòu)上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。

2.原則上， IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻，但同時(shí)也會(huì)引入拖尾電流等問題。

3.從產(chǎn)品來看， IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應(yīng)用電壓相對(duì)較低，從10伏到1000伏左右。

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理

QQ：332496225 丘經(jīng)理

地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號(hào)展滔科技大廈C座809室

上一條：如何正確選擇mosfet場(chǎng)效應(yīng)管
下一條：薩科微分享比較常見的開關(guān)電源拓?fù)鋱D（2）