IGBT模塊是如何進行導通的？

?? IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET非常相似。主要區(qū)別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)不增加這部分)。一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極性器件。襯底的應(yīng)用在管的P和N區(qū)域之間產(chǎn)生了J1結(jié)。當正柵極偏置使柵極下的P-基區(qū)反轉(zhuǎn)時，形成N溝道，同時出現(xiàn)電子電流，完全以功率MOSFET的方式產(chǎn)生電流。
??如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V的范圍內(nèi)，那么J1會正向偏置，一些空穴會注入到N區(qū)，調(diào)整陽極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導的總損耗，開始第二次電荷流動。結(jié)果，半導體層中暫時出現(xiàn)了兩種不同的電流拓撲：一種是電子電流(MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。

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