場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 ??場(chǎng)效應(yīng)管是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管。少數(shù)載流子的熱傳導(dǎo)也稱(chēng)為多極結(jié)晶體管。屬于壓控半超導(dǎo)體零件。具有輸出電阻高(10^8~10^9Ω)、低噪聲、低功耗、靜態(tài)范圍大、易集成、無(wú)二次擊穿景象、保險(xiǎn)任務(wù)海域廣等優(yōu)點(diǎn)。雙極結(jié)型晶體管和功率結(jié)型晶體管已經(jīng)成為更強(qiáng)的合作伙伴。 ??場(chǎng)效應(yīng)管特性 ??……

場(chǎng)效應(yīng)管和 MOS管有什么區(qū)別嗎？ ??場(chǎng)效應(yīng)管一般分為MOS場(chǎng)效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。目前主要使用的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，俗稱(chēng) MOS管。MOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體的簡(jiǎn)稱(chēng)，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結(jié)”，表示PN結(jié)的結(jié)。FET代表Field Effect Transistor，即場(chǎng)效應(yīng)……

貼片 三極管的作用是什么？ ??產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)： ??(1)測(cè)量極間電阻。將萬(wàn)用表置于R×100或R×1K擋，根據(jù)紅黑兩種表筆的六種不同連接方式進(jìn)行測(cè)試。其中，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的正向電阻值相對(duì)較低，其他四個(gè)接法測(cè)得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無(wú)窮大。然而，無(wú)論是低電阻……

為什么 MOS管容易發(fā)熱？ ??在設(shè)計(jì)電源或驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，不可避免地要用到FET，也就是俗稱(chēng)的MOS晶體管。 MOS管的種類(lèi)很多，功能也很多。使用電源或驅(qū)動(dòng)，當(dāng)然是利用它的開(kāi)關(guān)功能。接下來(lái)我們來(lái)了解一下MOS管加熱的五大關(guān)鍵技術(shù)。 ??1.芯片加熱 ??本內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。如果芯片……

要適當(dāng)?shù)剡x擇拓?fù)?，熟悉不同拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域非常重要。 錯(cuò)誤的選擇會(huì)讓飲食設(shè)計(jì)從一開(kāi)始就注定失敗。 開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)大致給可總結(jié)為大概14種，其他的電源開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖無(wú)外乎是這14種的組合或變形，下面整理了兩種基礎(chǔ)型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖幫助系統(tǒng)掌握每種電路結(jié)構(gòu)的工作原理與基本特性。 一、Half-Bridge ……

市場(chǎng)上開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖是多種多樣的，但經(jīng)過(guò)總結(jié)整理不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)無(wú)非就只有14種，其他的無(wú)外乎是這14種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，接下來(lái)給大家分享兩種開(kāi)關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。 一、Forward 正激 特點(diǎn)： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續(xù)的輸入電流，平滑的輸出電流。 ……

MOS管和 三極管的功能差異 ??MOS晶體管和 三極管？的功能區(qū)別是什么這兩個(gè)元件本身可以看作是一個(gè)基本單元和一個(gè)獨(dú)立的器件。即使把外殼拆開(kāi)，肉眼也看不出有什么區(qū)別，從工作原理上理解起來(lái)很混亂。 ??如果你用手同時(shí)觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會(huì)發(fā)光，即使你松開(kāi)手，它也會(huì)繼續(xù)發(fā)光。至于為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況，可以簡(jiǎn)單理解為當(dāng)G極的電位升高時(shí)，D極(漏極)和S極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電通道(源極)，相當(dāng)于一根導(dǎo)線(xiàn)。 ??導(dǎo)通時(shí)D極和S極之間的壓降也可以用萬(wàn)用表量，計(jì)算，壓降接近

什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢? ??MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極型晶體管相比，F(xiàn)ET具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。 ??場(chǎng)效應(yīng)管 ??場(chǎng)效應(yīng)晶體管有很多種，主要分為結(jié)型場(chǎng)……

開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖千變?nèi)f化，但不管如何變化基本是基于基礎(chǔ)型電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，基礎(chǔ)型開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖歸納起來(lái)基本是14種，接下來(lái)就個(gè)大家做一下介紹。 二、基本的脈沖寬度調(diào)制波形 這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開(kāi)關(guān)式電路有關(guān)，基本的脈沖寬度調(diào)制波形定義如下： 八、Tw……

2021年，隨著5G、消費(fèi)電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換和新能源汽車(chē)需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對(duì)氮化鎵和碳化硅饋線(xiàn)的需求將增加。 據(jù) TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，GaN功率元件至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 13.2億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá) 94%。 新應(yīng)用下，氮化鎵的“革命”！……

如何正確選擇mosfet 場(chǎng)效應(yīng)管 ??場(chǎng)效應(yīng)晶體管廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路，與我們的生活息息相關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是：第一，驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單。場(chǎng)效應(yīng)管所需的驅(qū)動(dòng)電流比BJT的小得多，通?？梢灾苯佑蒀MOS或開(kāi)路集電極TTL電路驅(qū)動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)速度相對(duì)較快，由于沒(méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，可以以更高的速度工作。此外，……

IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢？ 怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。 1.結(jié)構(gòu)上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻，但同時(shí)也會(huì)引入拖尾電流等問(wèn)題。 3.從產(chǎn)品來(lái)看， IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應(yīng)用電壓相對(duì)較低，從10伏到1000伏左右。 公司電話(huà)